日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅動器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:202071 Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型柵極驅動變壓器---MGDT，可在高功率的國防和航天、工業及醫療應用中顯著節省空間。
2018-03-07 13:57:098754 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A，擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。
2019-02-17 09:17:001369 Vishay宣布，推出節省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 08:08:00831 的 FET 和柵極驅動器。GaN FET 的開關速度比硅質 FET 快得多，而將驅動器集成在同一封裝內可減少寄生電感，并且可優化開關性能以降低功率損耗，從而有助于設計人員減小散熱器的尺寸。節省的空間
2018-10-31 17:33:14
IGBT、MOS驅動器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
等效的多數載流子MOSFET關斷時，在IGBT少數載流子BJT中仍存在存儲時間延遲td(off)I。不過，降低Eoff驅動阻抗將會減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關斷
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅動器可用來直接驅動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應加熱等領域。開關電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
數據。 在功率調節器電路中，比較了使用PrestoMOS時的損耗和傳統的MOSFET與FRD組合的損耗。使用PrestoMOS時，削減了VF比FRD低的這部分的再生損耗。在電機驅動器電路例中
2018-11-28 14:27:08
：-40°C至110°C最大低電平輸出電壓（VOL）：0.5V應用：隔離式IGBT / MOSFET柵極驅動器；交流和無刷直流電動機驅動器；電磁爐頂；工業變頻器；開關電源（SMPS）；不間斷電源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
的老式設計，節約了大量空間。 MOSFET或IGBT作為變流器控制開關，使用隔離驅動器驅動MOSFET或IGBT可以將大電流隔離，還可以保護控制單元免受高壓大電流的沖擊和避免大功率
2010-09-08 15:49:48
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET。 本文在實際
2018-11-20 10:52:44
的效率密切相關。 對于門驅動器或者逆變器應用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅動能力的MOSFET。 03 IGBT適合高壓大電流應用 與MOSFET相比，IGBT開關速度較慢
2022-06-28 10:26:31
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
較低。這里的關鍵之處在于，為了從MOSFET轉換到IGBT，必須對柵極驅動電路進行調節。傳導損耗需謹慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少
2017-04-15 15:48:51
大功率IGBT 在使用中驅動器至關重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅動器的設計計算方法，經驗公式及有關CONCEPT 驅動板的選型標準。
2021-07-26 14:41:12
? -40oC 到 125oC 的工作溫度范圍 SL27517 是單通道 4A 的高速低側柵極驅動器，可以高效安全地驅動 MOSFET、IGBT 以及新興的寬帶隙功率器件。低傳播延遲以及緊湊
2022-07-26 10:21:31
感應逆變器直通一般而言，有兩種方法可以解決逆變器IGBT的感應導通問題——使用雙極性電源和/或額外的米勒箝位。在柵極驅動器隔離端接受雙極性電源的能力為感應電壓瞬變提供了額外的裕量。例如，–7.5 V
2019-07-24 04:00:00
電機驅動設計中MOSFET驅動器與MOSFET的匹配設計相關文章資料，大家可以看看，對大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
器件時應考慮這測試條件中的VDD，因為在較低的VDD鉗位電壓下進行測試和工作將導致Eoff能耗降低。降低柵極驅動關斷阻抗對減小IGBT Eoff損耗影響極微。如圖1所示，當等效的多數載流子MOSFET
2019-03-06 06:30:00
`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器
2015-04-27 16:55:43
描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
逆變器中驅動 SiC，尤其是在功率級別>100kW和使用800V電壓母線的情況下，系統需要一款具有可靠隔離技術、高驅動能力以及故障監控和保護功能的隔離式柵極驅動器。牽引
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
技巧。對于電流測量而言，逆變器臂和相位輸出都需要諸如分流電阻等測量器件，以便應付直通故障和電機繞組故障。控制器和/或柵極驅動器中的快速執行跳變電路必須及時關斷IGBT，防止超出短路耐受時間。這種
2019-10-06 07:00:00
什么是變頻驅動器（VFD）/逆變器呢？變頻驅動器（VFD）/逆變器在TVS二極管中有何作用呢？
2022-01-14 06:56:58
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關頻率能大于20Mhz的mosfet驅動器。請問mosfet驅動器的最高工作頻率是由什么參數決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
應用。●并集成了IGBT驅動器（EiceDRIVERTM）。圖1給出逆變器各個功能元件。 圖1 集成PrimePACKTM IGBT半橋的模塊化ModSTACKTM功率單元（2）ModSTACKTM功率
2018-12-03 13:56:42
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
求教大佬們如何用DSP產生PWM波驅動IGBT的驅動器？代碼應該怎么寫啊？
2019-01-08 09:15:35
柵極驅動器中的快速執行跳變電路必 須及時關斷IGBT，防止超出短路耐受時間。這種方法的最大好 處是它要求在每個逆變器臂上各配備兩個測量器件，并配備一 切相關的信號調理和隔離電路。只需在正直流總線線路和負
2018-08-20 07:40:12
技巧。對于電流測量而言，逆變器臂和相位輸出都需要諸如分流電阻等測量器件，以便應付直通故障和電機繞組故障。控制器和/或柵極驅動器中的快速執行跳變電路必須及時關斷IGBT，防止超出短路耐受時間。這種方法的最大
2018-07-30 14:06:29
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
”時，我指的是連接到MOSFET的漏極的正電源電壓或連接到絕緣柵雙極晶體管(IGBT)集電極的正電源電壓。對于柵極驅動器，VDD定義驅動器輸出的范圍。寬VDD范圍有三個好處：· 為您的系統設計提供靈活性
2019-04-15 06:20:07
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網的時候，查找相關應用手冊的時候挖到的一篇文章。根據電機控制應用需求選擇合適的MOSFET 驅動器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片。 總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器
2015-03-23 14:53:06
，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流，同時選用時應該降額使用。額定工作電壓、電壓波動的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅動器的外殼結構以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發及測試
2023-03-23 16:01:54
驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅動。芯片內置了死區時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產生損害
2019-12-06 13:13:21
2ED020I06-FI是一款高電壓，高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有聯鎖高側和低側參考輸出。浮動高側驅動器可以直接供電，也可以通過二極管和電容供電。除了每個驅動器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
如何實現IGBT模塊的驅動設計？在設計驅動電路時，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅動器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅動器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
的 2 對隔離式正/負電壓軌2 組輸出（+16V、-9V），每組為 100mA，每個 IGBT 驅動器為 2.5W在未穩壓的 24V+/-20% 輸入條件下工作峰值效率為 87%，輸出波紋小于 55mV該設計兼容 C2000 HV 逆變器套件并經過該套件測試
2022-09-26 07:54:11
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達 100A，運行頻率高達 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現寄生導通和關斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅動器
2018-09-30 09:23:41
（PWM）控制輸出電壓。三相逆變器還使用6個隔離式柵極驅動器驅動IGBT。除了IGBT和隔離式柵極驅動器，三相逆變器還含有直流母線電壓感應、逆變器電流感應與過熱、過載和接地故障等IGBT保護。在暖通空調
2018-08-29 15:10:42
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
，可提供完全經濟高效的柵極驅動解決方案（圖1）。該器件具有2.5A軌到軌輸出，非常適合驅動工業電源逆變器和電機驅動器中的IGBT和功率MOSFET。最終結果是易于使用，緊湊且經濟實惠的IGBT柵極驅動光電
2018-08-18 12:05:14
IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術:介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅動技術以及當前市場上的各類成品驅動器的性能特點。關鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 當今多種MOSFET 技術和硅片制程并存，而且技術進步日新月異。要根據MOSFET 的電壓/ 電流或管芯尺寸，對如何將MOSFET 驅動器與MOSFET 進行匹配進行一般說明，實際上顯得頗為
2009-07-04 13:49:0595 lVO3120 IGBT/MOSFET驅動器：這些2.5A和0.5A的驅動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 系統介紹逆變器中IGBT 的驅動與保護技術, 給出了IGBT 對驅動電路的要求, 介紹了三菱公司的IGBT
驅動電路M 57962L 以及IGBT 的過壓、過流、過熱保護等措施。這些措施實
2010-10-13 15:45:2884 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅動器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅動器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556
三相逆變器中IGBT的幾種驅動電路的分析
摘要：對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅動專用集成電路進行了詳細
2009-07-16 08:34:286635 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節省空間，并簡化高效同步降壓轉換器的設計。
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。
2014-03-25 10:19:44691 。Vishay Polytech TMCJ和TMCP分別采用J（1608-09）和P（2012-12）外形尺寸，TMCU使用超平、超薄的UA（3216-12）和UB （3528-12）外形尺寸。
2015-04-03 16:48:37841 1.4mm x 1.8mm miniQFN10封裝的音頻接孔探測器DG2592和低壓雙路SPDT模擬開關DG2750，用來替代便攜式應用中常用的尺寸較大的miniQFN10和WCSP器件，達到節省空間的目的。
2016-03-07 11:33:06658 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 本參考設計采用一個22kW 功率級以及TI 全新的增強型隔離式(IGBT) 柵極驅動器ISO5852S，適用于交流驅動器等各類三相逆變器。此參考設計可用于評估3 相逆變器中ISO5852S 的性能
2016-11-05 15:45:140 電動汽車逆變器用于控制汽車主電機為汽車運行提供動力，IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件，其驅動電路是發揮IGBT性能的關鍵電路。驅動電路的設計與工業通用變頻器、風能太陽能逆變器的驅動電路有更為苛刻的技術要求，其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制，面臨諸多挑戰。
2016-11-14 15:16:461148 
（PWM）控制輸出電壓。 三相逆變器還使用6個隔離式柵極驅動器驅動IGBT。除了IGBT和隔離式柵極驅動器，三相逆變器還含有直流母線電壓感應、逆變器電流感應與過熱、過載和接地故障等IGBT保護。 在暖通空調、太陽能泵等許多終端應用中，平衡成本與
2017-04-26 11:43:00541 
的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 本參考設計采用一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 (IGBT) 柵極驅動器 ISO5852S，適用于交流驅動器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2524 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號：VSH）宣布，推出節省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 15:05:144303 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:003144 
本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術，驅動器的類型，隔離技術以及MOSFET / IGBT驅動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、...
2021-01-20 15:00:2413 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-17 10:06:141783 MOSFET及
IGBT柵極驅動電路的引腳排列內部結構、工作原理、主要技術參數和應用
技術。書中不但給出多種以這些驅動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統專用驅動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 額定功率使用一個硬件平臺通過交換MOSFET管套和電源IGBT/MOSFET開關。這個概念最大化了門驅動器設計的可伸縮性電機控制和功率轉換的應用范圍從低到高額定功率。
2022-12-15 13:58:19779 
（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:02906 在逆變器中驅動和保護IGBT 介紹ACPL-339J是一款先進的1.0 A雙輸出，易于使用，智能的手機IGBT門驅動光耦合器接口。專為支持而設計MOSFET制造商的各種電流評級，ACPL-339J
2023-02-22 14:54:521 SLM27517 單通道，高速，低側柵極驅動器器件可以有效地驅動MOSFET和IGBT功率開關。使用設計其固有地最小化擊穿電流，可以源匯高峰值電流脈沖轉換為電容性負載軌對軌驅動能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222 在所有工業控制系統中，變頻驅動器(VFD)/逆變器通常安裝在電動機的前端，以調節速度并節省能源。
2023-03-30 09:21:341102 眾所周知，在所有工業控制系統中，變頻驅動器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動機的前端，以調節速度并節省能源。根據不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為低壓(110V、220V、380V等)、中壓(690V、1140V、2300V等)或高壓(3KV、3.3KV、6KV、6.6KV、10KV等)。
2023-04-15 10:09:33826 ，該驅動器采用節省空間的 SOP-4 封裝，集成關斷電路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271? 專門用來提高汽車應用性能，同時提高設計靈活性并降低成本，開關速度和開路輸出電壓均達
2023-06-08 19:55:02374 
驅動器(VFD)和逆變器的可靠性？東沃電子資深技術團隊設計的變頻驅動器（VFD）和 IGBT逆變器過壓保護方案，如下圖所示：
2023-05-12 17:32:58698 
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
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