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貿(mào)澤LMG1020 GaN驅動器可用于高速LiDAR和TOF 達到最高功率密度

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開源硬件-TIDA-01634-適用于高速直流/直流轉換器的數(shù)兆赫茲 GaN 功率級 PCB layout 設計

此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT),實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區(qū)時間調節(jié),此參考設計不僅可以顯著改善
2020-06-30 08:00:000

用于激光雷達的納秒激光驅動器參考設計資料概述

此激光雷達(光距離和范圍探測)參考設計展示了一款低側納秒級 GaN 柵極驅動器 LMG1020,該驅動器能夠驅動 FET 產(chǎn)生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。
2020-07-23 08:00:0020

功率密度的基礎技術簡介

機電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作,使用先進的技術能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面,幫助您改進并達到功率密度值。 首先,讓我們來定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)。 什么是功率
2020-10-20 15:01:15579

探究功率密度基礎技術

的散熱 通過機電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作,使用先進的技術能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面,幫助您改進并達到功率密度值。 首先,讓我們來定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733

使用氮化鎵重新考慮功率密度

功率密度的方法,這些方法在以前并不可能實現(xiàn),如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中,我將探討如何實現(xiàn)。 ? 為何選擇GaN? 當涉及功率密度時,GaN為硅MOSFET提供了幾個主要優(yōu)點和優(yōu)勢,
2021-12-09 11:08:161428

使用GaN實現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)

(MOSFET),因為它能夠驅動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能,使用 GaN 進行設計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(如碳化硅)不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:52792

如何設計帶有GaN ToF激光驅動器LiDAR系統(tǒng)

。EPC21601 是一款單芯片加 eGaN? FET 驅動器,采用 EPC 專有的 GaN IC 技術,采用芯片級 BGA 外形尺寸,尺寸為 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:572015

具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510

功率密度基礎技術簡介

功率密度基礎技術簡介
2022-10-31 08:23:243

如何實現(xiàn)電機驅動系統(tǒng)功率密度

一般電驅動系統(tǒng)以質量功率密度指標評價,電機本體以有效比功率指標評價,逆變器以體積功率密度指標評價;一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標評價,而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:213715

基于WAYON維安MOSFET高功率密度用于USB PD電源

基于WAYON維安MOSFET高功率密度用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549

如何應用GaN 提高功率密度和效率?

集成驅動器可減小解決方案尺寸,實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時,集成降壓/升壓轉換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下工作,從而顯著降低對偏置電源的要求。
2023-02-06 14:29:32274

用氮化鎵重新考慮功率密度

作為一種寬帶隙晶體管技術,GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會,以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法,這些方法在以前并不可能實現(xiàn),如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中,我將探討如何實現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575

如何設置、設計及正確地驅動GaN功率

您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中,我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963

如何提高系統(tǒng)功率密度

功率器件領域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談論功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優(yōu)勢,能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741

利用GaN的帶寬和功率密度優(yōu)勢對抗RCIED

氮化鎵(GaN)是用于在干擾器中構建RF功率放大器(PA)的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因,也是功率密度能力的原因。因此,GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059

學技術 | ST 具有兩種增強型GaN HEMT的高功率密度集成600V半橋驅動器MASTERGAN4介紹

MASTERGAN4介紹ST推出世界首款集成半橋驅動IC和一對氮化鎵(GaN)的MASTERGAN產(chǎn)品平臺。該解決方案可用于最高400W以下的一代消費性電子、工業(yè)充電器,以及電源轉接器
2022-11-21 16:14:24510

全芯時代單通道低側GaN驅動器

該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器,可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動功率轉換器等領域。
2023-06-30 09:58:50263

Allegro在慕展期間推出GaN隔離柵極驅動器,實現(xiàn)領先的功率轉換密度

Allegro 在行業(yè)盛事慕展期間發(fā)布氮化鎵(GaN)隔離柵極驅動器AHV85110,這是Allegro Power-Thru產(chǎn)品系列的首次發(fā)布,AHV85110能夠提供2倍功率密度,以及更簡單
2023-07-13 16:05:02416

如何提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度呢?

電力電子產(chǎn)品設計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度,這些設計涵蓋多軸驅動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166

通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度

通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195

具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:20:580

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