和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率
2023-02-10 15:33:01
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的加強(qiáng)版隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用反激式隔離型控制拓?fù)洌峁┓?IEC61800-5 標(biāo)準(zhǔn)
2015-04-27 18:16:34
驅(qū)動(dòng)半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動(dòng)器級(jí)（驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度不足）以及系統(tǒng)級(jí)均會(huì)帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個(gè) IGBT 中保持相等電流分布的同時(shí)確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計(jì)使用增強(qiáng)型隔離式
2018-12-07 14:05:13
描述TIDA-00174 參考設(shè)計(jì)是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓
2018-09-05 08:54:59
顯示了IGBT的理想導(dǎo)通特性以及針對(duì)不同類型驅(qū)動(dòng)器的相應(yīng)柵極電流。在整篇文章中，僅考慮開啟特性。 （A） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)公司提供 （B） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)提供 （C
2023-02-21 16:36:47
ADuM3223/ADuM4223隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器(如圖8所示)采用iCoupler? 技術(shù)以獨(dú)立的隔離式輸出來驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制、開關(guān)電源和工業(yè)逆變器中所使用的高端和低端IGBT及MOSFET器件的柵極。這些
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過快速開關(guān)時(shí)間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
主要差異，以及柵極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。多年來，功率輸出系統(tǒng)的功率開關(guān)技術(shù)選擇一直非常簡(jiǎn)單。在低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會(huì)選擇MOSFET；在高電壓水平，通常會(huì)更多地選擇
2018-10-16 06:20:46
的一些主要差異，以及柵極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。多年來，功率輸出系統(tǒng)的功率開關(guān)技術(shù)選擇一直非常簡(jiǎn)單。在低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會(huì)選擇MOSFET；在高電壓水平，通常會(huì)更多地選擇
2018-10-16 21:19:44
主要差異，以及柵極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。多年來，功率輸出系統(tǒng)的功率開關(guān)技術(shù)選擇一直非常簡(jiǎn)單。在低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會(huì)選擇MOSFET；在高電壓水平，通常會(huì)更多地選擇IGBT
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
的門極驅(qū)動(dòng)問題做了一些總結(jié)，希望對(duì)廣大IGBT應(yīng)用人員有一定的幫助。 1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)要求 1.1 柵極驅(qū)動(dòng)電壓 因IGBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，但
2016-11-28 23:45:03
的門極驅(qū)動(dòng)問題做了一些總結(jié)，希望對(duì)廣大IGBT應(yīng)用人員有一定的幫助。 1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)要求 1.1 柵極驅(qū)動(dòng)電壓 因IGBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，但
2016-10-15 22:47:06
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供
絕緣柵極雙極型晶體管 (
IGBT)
柵極驅(qū)動(dòng)器所需的
隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)洌瑥膯我蛔儔浩魃捎糜谌嗄孀兤?/div>
2015-03-23 14:53:06
連接到地。圖2：MOSFET的常用示意圖之一，帶有三端：漏極（D），柵極（G），以及源極（S）。 IGBT是雙極型晶體管，也是一種三端子器件，但是發(fā)射極和集電極連接在一起充當(dāng)被控制的電流通路。如圖3所示
2016-01-27 17:22:21
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達(dá) 100A，運(yùn)行頻率高達(dá) 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現(xiàn)寄生導(dǎo)通和關(guān)斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅(qū)動(dòng)
2018-09-30 09:23:41
驅(qū)動(dòng)器小充電器和大柵極傳輸是隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的特色。它廣泛應(yīng)用于大功率和高電壓應(yīng)用，絕緣安全且控制快速。圖 1 顯示了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的常見電源系統(tǒng)應(yīng)用。圖 1：隔離驅(qū)動(dòng)器的常見電源系統(tǒng)應(yīng)用隔離系列產(chǎn)品
2022-09-30 14:05:41
IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng)，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41213 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:18
2182 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護(hù)電路
IGBT的柵極過壓的
2010-02-17 17:13:011796 
東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器TLP2451是一款使用圖騰柱輸出的IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
目前絕緣柵器件(IGBT)驅(qū)動(dòng)技術(shù)現(xiàn)狀
2012-06-16 09:48:49865 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，此器件能夠高效地驅(qū)動(dòng)MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開關(guān)。
2016-07-22 15:38:230 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2017-06-01 08:38:169 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 本參考設(shè)計(jì)采用一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S，適用于交流驅(qū)動(dòng)器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2524 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能：一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012784 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。基于柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導(dǎo)體開關(guān) (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本
2021-06-14 03:51:003144 
工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器需要隔離式電源，以實(shí)現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是，基于標(biāo)準(zhǔn)電源控制IC的隔離式電源設(shè)計(jì)并非易事。要使用離散的組件定制解決方案，就需要專門知識(shí)和大量的驗(yàn)證工作
2021-05-26 18:05:172342 
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、...
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件不需要隔離時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡(jiǎn)單的，目前也有了許多優(yōu)秀的驅(qū)動(dòng)集成電路。
2021-02-08 17:38:007374 
ADuM4135：提供米勒箝位的單電源 / 雙電源 高電壓隔離 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器
2021-03-21 13:47:029 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評(píng)估板處于良好狀態(tài)。
2021-06-23 10:45:213355 
ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)功率晶體管，不使用專用驅(qū)動(dòng)器一般都會(huì)導(dǎo)致電路功耗過高。大多數(shù)功率MOSFET和IGBT由柵極驅(qū)動(dòng)器IC驅(qū)動(dòng)，尤其是IGBT，幾乎
2021-11-08 09:28:072297 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對(duì)這些具
2022-08-13 09:21:390 本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中為功率級(jí)選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，您有多種選擇。柵極驅(qū)動(dòng)器可簡(jiǎn)單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
和發(fā)射極。為了工作MOSFET/IGBT，通常必須向柵極施加相對(duì)于器件源極/發(fā)射極的電壓。專用驅(qū)動(dòng)器用于向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論這些柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為什么需要它們，以及如何定義它們的基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2023-01-30 17:17:121151 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)
合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2023-02-23 09:52:070 柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是
2023-02-23 15:35:241 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391004 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56431 
驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該器件主要用來實(shí)現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
是MOSFET的控制電路，它對(duì)于MOSFET的工作狀態(tài)和性能有著重要的影響。以下是關(guān)于MOSFET柵極電路常見的作用以及電壓對(duì)電流的影響的詳細(xì)介紹。 1. 控制MOSFET的導(dǎo)通與截止： MOSFET的柵極電壓決定了通道電流的大小，從而決定MOSFET的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，
2023-11-29 17:46:40571 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將對(duì)MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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