來說，減少漏感可以減少能量損耗，以提高效率。MOS管驅動器變壓器的平均功率很小，但是在開通和關閉的時候傳遞了很高的電流，為了減少延遲保持漏感較低仍然是必須的。法拉第定律規定，變壓器繞組的平均功率必須為零
2012-11-12 15:39:26
VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要
2011-11-07 15:56:56
馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該 選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快
2018-07-09 17:24:24
MOS管種類和結構MOS管導通特性MOS管驅動及應用電路
2021-04-21 06:02:10
數字電路中MOS管常被用來作開關管，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，根據構成和導通特性可分為四類MOS管：g被稱為柵極，d為漏極，s為源極，B為襯底，在實際生產中，襯底與源極相連，所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
尖峰電壓但是不知道在實際中如何選型RCD器件，以及G極的電阻現在我的MOS管外接的直流源是50V，全橋輸出，前段通過IR2010S來驅動希望可以從這個實例來指導謝謝
2017-08-11 09:20:17
VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要
2012-11-12 15:40:55
的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒有的。2，MOS管導通特性導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓
2012-12-18 15:37:14
什么是MOS管？MOS管的構造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的電壓極性和符號規則MOS管和晶體三極管相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29
本帖最后由 Stark揚 于 2018-11-19 14:19 編輯
這是直流逆變成三相交流的機器上應用的，這是MOS管的驅動波形測試，此時MOS管在關斷，母線電壓48V，驅動電壓為15V，綠色的是Vgs驅動電壓，黃色的是Vds漏極源極電壓，請問為什么Vds那么晚才上升，比Vgs晚了那么久
2018-11-19 11:29:47
可以幫忙分析下ncp81704mos管驅動器內部工作原理圖嗎？實在不理解，求大神支持
2020-08-10 15:06:56
以圖中電路為例，當我給柵極與源極之間一個恒壓源，使得Ugs>Uth，然后Uac是一個交流源，波形為右邊那個圖。①那么當Uac過零時，mos管D->S間溝道會關斷嗎？②當Uac為負半軸時，mos管的導通情況是怎么樣的呢？是先導通反并聯二極管，再導通S->D間溝道嗎？
2019-12-26 17:04:09
有哪些方法可以獲得MOS變容管單調的調諧特性？MOS變容管反型與積累型MOS變容管
2021-04-07 06:24:34
1.直接驅動 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關斷時提供放電回路的;穩壓二極管D1和D2是保護MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關斷
2018-11-16 11:43:43
可以理解成半橋就是在拓撲上，把全橋拓撲取其一半嗎？如果全橋是2個橋臂4個開關管，那么半橋就是1個橋臂2個開關管？推挽電路和半橋電路是等價的嗎？還有橋式電路也分橋式整流和橋式逆變吧？謝謝！
2020-07-20 08:10:11
逆變驅動方式與輸出方式
2018-02-24 09:11:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
常見的逆變焊機有mos管逆變焊機，igbt逆變焊機，可控硅逆變焊機等等。可控硅焊機是指機器內使用可控硅的電焊機，（因為可控硅逆
2012-07-09 14:12:10
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
常見的逆變焊機有mos管逆變焊機，igbt逆變焊機，可控硅逆變焊機等等。可控硅焊機是指機器內使用可控硅的電焊機，（因為可控硅逆
2012-07-09 10:21:16
概述：MAX8751是MAXIM公司生產的一款冷陰極熒光燈(CCFL)逆變控制器，它采用固定頻率、全橋逆變拓撲用于驅動多個CCFL。MAX8751在啟輝過程中采用諧振模式，所有燈均點亮后轉向固定頻率工作。
2021-04-20 06:34:30
`驅動器DRV8305和mos管可以接不同的電壓輸入嗎？如圖`
2018-05-22 18:00:15
H橋逆變橋非線性分析中功率譜圖、分岔圖、折疊圖、lyapunov指數譜的程序哪位大神有，可以幫忙分享一下嗎
2019-03-06 16:17:55
以兩相混合式步進電機驅動器為例來設計H橋驅動電路．1 電路原理 圖1給出了H橋驅動電路與步進電機AB相繞組連接的電路框圖． 
2009-08-20 18:24:15
用IR2110驅動全橋逆變電路發現，IR2110發熱，MOSFET管也發熱，請問是什么原因啊？
2015-06-05 18:45:09
，經過仿真可以正常工作。電路如下圖；圖1全橋逆變電路現在想改為雙電源供電。但是直接將圖中畫圈地方的地換為負電源是不行的，仿真顯示下面兩個MOS管驅動電壓不對。于是又將下面兩個MOS管反接，和上面兩個
2019-05-07 18:48:46
本人最近利用Multisim軟件在做一個全橋逆變電路，用到里面自帶的IGBT模塊，按說明文檔驅動電壓為±20V，然而給定驅動脈沖，IGBT并未正常開通、關斷，本人用到的脈沖發生模塊為Sources下
2012-12-08 10:24:05
N-MOS管的原理是什么？N-MOS管為什么會出問題？如何去控制步進電機驅動器？
2021-07-05 07:39:44
1. 單相半橋SPWM逆變電路1.1 拓撲??下圖是單相半橋SPWM逆變電路，含有兩個開關管，橋臂中點和直流側電容中點之間連接負載，輸出電壓（端口電壓）是幅值為0.5Vdc的脈沖波形。1.2 輸出
2021-07-09 06:02:03
全橋逆變后接的是容性負載，全橋的高壓是220v整流的，驅動是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉裂了 是由于負載引起的過熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
=oxh_wx2、張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅動器（視頻+硬件）http://t.elecfans.com/topic/42.html?elecfans_trackid
2019-01-25 22:28:39
及 MOSFET 閾值電壓選取12-開關損耗的討論及三相逆變橋電路中上橋斬波下橋恒通回路分析13-三相逆變橋電路上橋斬波下橋恒通與下橋斬波上橋恒通回路分析14-單橋臂斬波時管子熱量分析及如何解
2021-09-08 09:52:54
討論交流，真正學到知識，現在增加提問，參與回答者贈送張飛實戰電子1部精品課程以下是今日問題：1、MOS管在H橋電路中，續流時源是哪個（），開通時源是哪個（）2、MOS管在H橋電路中，體二極管慢續流和快續流，哪個對電機驅動更有利（）`
2021-06-10 08:42:04
。驅動器必須具備低輸出阻抗以減少傳導損耗，同時還須具有快速開關能力以減少開關損耗。出于精度和效率的考慮，高端和低端驅動器需要具備高度匹配的時序特性，以便減少在半橋的第一個開關關閉，第二個開關開啟前
2018-07-03 16:33:25
一種實用的逆變橋功率開關管門極關斷箝位電路
2019-03-14 07:30:48
通用變頻器工作原理是什么？萬用示波表如何分析變頻器的逆變？
2021-05-13 06:15:05
SPWM 逆變器開環仿真模型和具有電壓調節作用的 SPWM 閉環仿真模型，分別對其進行仿真分析。仿真結果表明電壓閉環 SPWM 控制比開環 SPWM 控制具有更好的動靜態特性。得出的結論對三相橋式逆變...
2021-11-15 09:07:38
組6個MOS管的逆變橋驅動三相無刷直流電機。轉速平穩。本人想知道此預驅動的型號。SOP封裝，1腳到6腳為PWM輸入，7腳9腳為一組驅動控制型號，8腳10腳配合接電容和二極管。11腳為地線。12腳為15V供電電源。
2013-02-25 20:04:10
以兩相混合式步進電機驅動器為例來設計H橋驅動電路。電路原理圖1給出了H橋驅動電路與步進電機AB相繞組連接的電路框圖。4個開關K1和K4，K2和K3分別受控制信號a，b的控制，當控制信號使開關K1，K4
2020-08-25 14:11:27
如圖所示，這個是我的驅動電路及半橋逆變電路。現在用差分探頭示波器對上管進行測量，發現MOS管驅動電壓Vgs的幅值會隨著+310V的供電電壓的不同而不同（即+310V供電電壓為30V時，Vgs會變成
2019-07-12 04:11:58
，再送入驅動IC的輸入腳，由CPU到驅動IC，再到逆變模塊的觸發端子，6路信號中只要有一路中斷——（1）、變頻器有可能報出OC故障。逆變橋的下三橋臂IGBT管子，導通時的管壓降是經模塊故障檢測電路
2018-02-11 14:25:09
如圖所示，這個是我的驅動電路及半橋逆變電路。現在用差分探頭示波器對上管進行測量，發現MOS管驅動電壓Vgs的幅值會隨著+310V的供電電壓的不同而不同（即+310V供電電壓為30V時，Vgs會變成
2019-07-16 02:49:22
■逆變的概念 ◆與整流相對應，直流電變成交流電。 ◆交流側接電網，為有源逆變。 ◆交流側接負載，為無源逆變，本章主要講述無源逆變。■逆變與變頻 ◆變頻電路：分為交交變頻和交直交變頻兩種。 ◆交直交
2021-11-15 07:58:22
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應該可以測得到電阻一般為幾千歐以內。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅動電路分析下面是常見的MOS管驅動電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅動信號是低電平時起到快速關斷的作用。一般在H橋驅動電路中需要加此二極管起到“慢開快關
2021-12-31 06:20:08
本次是介紹了全橋逆變電路的整個驅動部分（比較方便快捷的一種方案，想學習更多驅動方式可以和博主相互討論），將在本人博客的下一部分（單元二部分）介紹后端全橋MOS電路的搭建。對文中感興趣的可以和博主相互
2021-11-16 07:43:46
本篇博客是全橋MOS/IGBT電路搭建的介紹，想了解全橋電路的驅動部分請看博主的單元一：全橋驅動電路詳解。感興趣的可以添加博主逆變電路（Inverter Circuit）是與整流
2021-11-16 06:14:11
首先來看單相逆變不間斷電源設計電路中的全橋逆變電路部分。它是由兩個IR2101驅動和4個MOS管構成的全橋逆變電路。有人會說了，IR2101不是半橋驅動芯片嗎？沒錯，的確是半橋驅動芯片
2021-11-15 06:31:11
，要得到比Vcc大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。 上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電
2016-12-26 21:27:50
半橋逆變snubbber電路、、、、、三相橋式全控整流電路
2013-06-11 16:02:22
比為n那么高壓包幅邊的電壓為 50/2n=25n(半橋逆變變壓器原邊的電壓為輸入電壓的一半)假設倍壓整流的放大倍數 A=8那么20KV=8*25n所以 n=20000/8/25=100按照這樣算高壓包的變比應該為 100不知道這樣算是否正確？
2019-04-08 11:56:28
使用。 這種芯片有很多替代品。MOS管主要用的是英飛凌的。電流大內阻也小。其他電路很簡單，不細說了，重點說一下 MOS橋的電路模型。1 首先，很多電路中，MOS管柵源兩...
2021-07-09 07:02:03
單相橋式全控整及有源逆變電路的MATLAB仿真單相橋式全控整流及有源逆變電路的MATLAB仿真圖1單相橋式全控整流知識點回顧：整流(AC/DC)就是將交流變化為方向不變，大小為紋波的直流，相信大家
2021-12-29 06:04:29
單相橋式全控整流及有源逆變電路的MATLAB 仿真圖1 單相橋式全控整流知識點回顧：整流(AC/DC)就是將交流變化為方向不變，大小為紋波的直流，相信大家都很清楚，這里就不詳細介紹整流啦！ 逆變
2021-11-16 06:14:24
上一期我們簡單談了「變頻器的整流單元」，而通常母線電壓經過電容平滑之后就進入逆變環節了，在這里我們將遇到變頻器最重要的部分：PWM 脈寬調制（Pulse Width Modulation）。PWM
2018-10-26 11:51:17
220V或380V，經整流裝置整流成高壓直流電，經過高頻電子開關組成的逆變功放，組件，變為幾千赫茲至幾十千赫茲的中高頻交流電，這是電壓還很高，必須通過中頻變壓器降壓，然后再整流成直流低電壓（幾十伏
2012-07-10 09:54:55
場效應管電機驅動-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機正反轉的。下圖就是一種簡單的H 橋電路，它由2 個P型場效應管Q1、Q2 與2 個N 型場效應管Q3、Q3 組成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
圖1給出了推挽逆變-高頻變壓-全橋整流DC-DC變換器的基本電路拓撲。通過控制兩個開關管S1和S2以相同的開關頻率交替導通，且每個開關管的占空比 d均小于50%,留出一定死區時間以避免S1和S2
2018-09-29 16:55:57
基于Matlab軟件平臺，采用雙環控制策略設計的逆變源，利用Matlab-Simulink-SimPowerSystems的工具箱進行建模仿真，驗證了本文所設計方案的可行性和有效性。0 引言隨著
2021-11-15 08:32:43
（因為我在做電機時候，逆變橋用自舉驅動MOS管是要GND網絡的，不知道這個是否需要），我有個想法就是不需要此GND網絡，但是在柵極和源極之間需要并個大電阻，不知這樣是否可行。
2020-11-11 20:39:43
TTL兼容驅動器工作頻率高達100 KHz熱關機內部邏輯電源高效率說明I.C.是一個全橋驅動器，用于在多電源BCD技術中實現的電機控制應用它結合了隔離的DMOS功率晶體管與CMOS和雙極電路在同一芯片上
2020-09-21 18:16:00
，實際上MOS管并聯多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-10-12 16:47:54
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
|。電信廠商傾向于采用兩級設計以產生負電壓軌用于氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)驅動器。第一級將輸入電壓(通常為48-65V)降至12V，然后是產生-6.5V的第二級。通過使用如安森美半導體
2020-10-27 09:33:19
)的柵極，由此來控制輸出功率。驅動器必須具備低輸出阻抗以減少傳導損耗，同時還須具有快速開關能力以減少開關損耗。出于精度和效率的考慮，高端和低端驅動器需要具備高度匹配的時序特性，以便減少在半橋的第一個開關
2018-10-23 11:49:22
和下橋臂驅動器需要高度匹配的時序特性，以實現精確高效開關操作。這減少了半橋關斷和開通之間的死區時間。實現隔離式半橋柵極驅動功能的典型方法是使用光耦合器進行隔離，后跟高壓柵極驅動器IC，如圖1所示。該電路
2018-10-16 16:00:23
輸出功率。驅動器必須具備低輸出阻抗以減少傳導損耗，同時還須具有快速開關能力以減少開關損耗。出于精度和效率的考慮，高端和低端驅動器需要具備高度匹配的時序特性，以便減少在半橋的第一個開關關閉，第二個開關
2018-09-26 09:57:10
或10V。如果在同一個系統里，要得到比Vcc大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。 上邊說的4V或10V
2018-12-03 14:43:36
驅動器是由功率電子器件和集成電路等構成，那么它的功能是什么呢？下面由博英特技術人員為大家介紹： 1、接受速度指令和速度反饋信號，用來控制和調整轉速； 2、接受電動機的啟動、停止、制動信號，以
2016-06-03 14:07:36
1、逆變器的概念：有源逆變和無源逆變的區別是什么？當交流側接在點網上，即交流側接有電源時，稱為有源逆變；當交流側直接和負載連接時，成為無源逆變。2、電池變流器（或電池逆變器）的功能，應用領域
2021-11-17 07:44:19
的。圖6顯示了電機驅動電路中常用的半橋拓撲結構，給定時間只有一個開關導通。在高功率側，低端晶體管Q2 的源極接地。Q2 的柵源電壓(VGSQ2)因此直接以地為基準，驅動電路的設計相對簡單。高端晶體管Q1
2021-07-09 07:00:00
，也就是說繞組有時需正向電流，有時需反向電流，這樣繞組電源需用H橋驅動．本文以兩相混合式步進電機驅動器為例來設計H橋驅動電路．1 電路原理 圖1給出
2008-10-21 00:50:02
，實際上MOS管并聯多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產生不利的影響。下面以4顆為例說明MOS管的應用。并聯的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅動電阻，每個MOS管都由獨立
2018-11-28 12:08:27
特性對開關電源工程師來說至關重要，下面就對MOS管的特性做一個簡要的分析。 一、MOS管的電壓特性，在MOS管柵源之間的施加電壓在多數情況下不能超過20V,在實際應用中功率MOS管的柵極電壓一般被控
2018-10-19 16:21:14
（1)直接驅動 電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10ohm到100ohm,R2是為關斷時提供放電回路的;穩壓二極管D1和D2是保護MOS管的門]極和源極;二極管D3是加速MOS的關斷
2018-12-24 14:39:02
基于Matlab/Simulink 的電壓型單相全橋逆變電路【摘要】學習電壓型單相全橋逆變電路的工作原理，了解單電壓型相全橋電路的工作特性。直流、交流電功率變換稱為逆變，了解直流、交流電功率交換
2021-07-08 09:10:06
電機驅動-MOS管H橋原理H橋電路的主要目的是提供大電流的回路，用來驅動電機的。常用H 橋電路來控制電機的正反轉。下圖就是一種簡單的H 橋電路，它由2 個P型場效應管Q1、Q2 與2 個N 型
2016-01-12 17:18:51
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd 三相逆變橋中IGBT應力偏高出現在兩種時刻
2019-05-02 12:59:20
為了提高等離子消融手術系統的頻率輸出,提出一種新型的全橋拓撲結構。應用LCR諧振原理,對傳統的全橋逆變拓撲結構進行改進,當諧振電路工作在恰當的區域可以實現開關管的零電壓的開通和近似零電壓的關斷,能
2023-09-20 07:38:22
有大神知道不用集成芯片搭建半橋驅動器的套路嗎？最近看電瓶車控制器里的驅動模塊沒有類似半橋驅動器的芯片，應該是自己搭建的，網上看了看也沒有類似的東西，來請教一下
2017-01-14 18:03:50
驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導
2017-08-15 21:05:01
極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓和漏極電壓(Vcc)相同，所以這是柵極電壓要比Vcc大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比Vcc大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成
2017-12-05 09:32:00
三相逆變全橋電路三相逆變橋電路采用IR2101S加MOS驅動方式。IR2101S本身是半橋驅動，采用上橋跟下橋驅動方式，也就是一路驅動需要1個IR2101S和2個MOS管，總共3路。所以電機驅動很大
2019-10-15 16:30:07
單相橋式全控整流及有源逆變電路的MATLAB 仿真圖1 單相橋式全控整流知識點回顧：整流(AC/DC)就是將交流變化為方向不變，大小為紋波的直流，相信大家都很清楚，這里就不詳細介紹整流啦！ 逆變
2021-07-06 07:08:45
|。電信廠商傾向于采用兩級設計以產生負電壓軌用于氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)驅動器。第一級將輸入電壓(通常為48-65V)降至12V，然后是產生-6.5V的第二級。通過使用如安森美半導體
2018-10-31 09:25:40
，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。 很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。 MOS管是電壓驅動，按理說只要柵極電壓到...
2021-10-29 08:34:24
的DC-DC變換器，并采用AP法設計相應的推挽變壓器。 1推挽逆變的工作原理 圖1給出了推挽逆變-高頻變壓-全橋整流DC-DC變換器的基本電路拓撲。通過控制兩個開關管S1和S2以相同的開關頻率交替導通，且
2018-10-10 17:00:06
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