英特爾（Intel）持續(xù)全力扶植大陸供應鏈，不僅攜手大陸相關業(yè)者搶攻全球IT市場，根據(jù)英特爾最新計劃，將在年度重頭戲IDF展會前夕舉行中美創(chuàng)新高峰論壇，聚焦物聯(lián)網(wǎng)領域，揭露英特爾與大陸供應鏈業(yè)者海康威視、大華科技、升騰資訊、深信服科技等最新戰(zhàn)略。
2015-07-07 09:48:15
845 后來進入10nm級，Intel在制程工藝層面一騎絕塵，領先三星和臺積電一代以上。不過，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，畢竟作為芯片一哥，需求量驚人，另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:04957 制造、設計或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費電子產(chǎn)品、計算平臺和任何其他需要固態(tài)大容量存儲的應用程序中。為NAND閃存定義標準化的組件
2023-06-21 17:36:325873 
有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領先的創(chuàng)新技術，從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應用提供卓越支持。 ? ? ? 美光技術與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁
2022-07-28 14:35:41813 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
Hittite推出業(yè)界領先的商業(yè)DRO產(chǎn)品線
2019-09-11 06:01:58
，三星電子和東芝(Toshiba)分別處于技術領先的地位，美光和英特爾(Intel)的IM Flash是在2009年正式量產(chǎn)34奈米制程技術后，才一舉追趕過競爭對手，勇奪NAND Flash市場技術領先
2022-01-22 08:05:39
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI（高達x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺，我當時
2019-05-21 06:43:17
BSIMProPlus?是業(yè)界領先的半導體器件SPICE建模平臺，在其產(chǎn)品二十多年的歷史中一直為全球SPICE建模市場和技術的領導者，被全球一百多家領先的集成電路制造和設計公司作為標準SPICE
2020-07-01 09:36:55
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品，包括手機和數(shù)碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
Altera和賽靈思20年來都在FPGA這個窄眾市場激烈的競爭者，然而Peter Larson基于對兩個公司現(xiàn)金流折現(xiàn)法的研究表明，賽靈思是目前FPGA市場的絕對領先者。
2019-09-02 06:04:21
全球領先的傳感器供應商InvenSense（INVN)7日宣布收購法國運動處理技術公司Movea,旨在通過此次收購在運動傳感器和聯(lián)網(wǎng)式（GPS/WIF）數(shù)據(jù)追蹤技術方面得以提升，此項收購的規(guī)模為8100萬美元，其中現(xiàn)金部分為7500萬美元。
2020-04-28 06:14:17
科技積極引進國內(nèi)先進技術，擁有多項核心技術，在行業(yè)競爭中具有明顯的技術領先優(yōu)勢。在積極利用自身優(yōu)勢進行科研開發(fā)工作的同時，華德利科技還與武漢多所高校建立了戰(zhàn)略合作關系，研發(fā)實力進一步增強。 為激發(fā)研發(fā)
2013-09-16 14:38:40
全球新車市場需求的近35%。今天，人們對于車載連接集成的關注度也正在急速升溫。互聯(lián)汽車的核心理念在于利用半導體芯片實現(xiàn)連通性。隨著技術的不斷革新，分析師預測到2020年每輛車上的芯片數(shù)量將接近1，000個。下面讓我們來更加深入地了解促進車聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的各種領先技術。
2019-07-10 07:14:30
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應 nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
黃金時代正式到來。與此同時，無可辯駁的，中國半導體產(chǎn)業(yè)的一大遺憾是我們幾乎沒有自己的核心芯片，無論MCU、DSP或是FPGA等，主流技術仍被國際廠商所壟斷。
2019-11-01 08:12:17
NAND閃存技術已經(jīng)遠離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之間， NAND的市場復合年增長率將達到 7%。技術方面，內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術，讓制造商能進一步擴大優(yōu)勢。領先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
日前，美容科技發(fā)達，祛斑的方法各色各樣，王者風范在祛斑界的效果已經(jīng)是遙遙領先了，那么，南寧OPT王者風范祛斑的原理是什么？下面我們就有請南寧整形醫(yī)院專家給我們介紹。王者風范祛斑的原理是利用光能被皮膚
2012-10-10 10:26:08
系統(tǒng)工程師是如何借助SDR平臺領先一大步的？
2021-05-21 06:32:20
`在2015年北京中關村智能硬件創(chuàng)業(yè)節(jié)上，藍宙電子與全球領先的開源軟硬件平臺Arduino達成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 藍宙電子正式成為Arduino官方授權(quán)的中國區(qū)域代理商，標志著藍宙電子正式成為國內(nèi)
2016-04-08 13:32:25
第七章 克服關鍵組織障礙第八章 寓執(zhí)行于戰(zhàn)略第九章 結(jié)論：藍海戰(zhàn)略的可持續(xù)性與更新附錄A 藍海戰(zhàn)略案例縱覽附錄B 價值創(chuàng)新：戰(zhàn)略的結(jié)構(gòu)再造觀點附錄C 價值創(chuàng)新的市場動態(tài)分析
2008-07-03 14:48:07
題為《OpenHarmony技術領先筑生態(tài)，萬物智聯(lián)贏未來》的主題演講。他圍繞萬物智聯(lián)趨勢，分享OpenHarmony四大技術架構(gòu)特征的關鍵技術成果與未來演進方向，并發(fā)布了多項技術指導委員會近期孵化
2023-11-06 14:35:46
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
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NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術，徹底改變了
2006-04-17 20:48:523067 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術創(chuàng)新獲得半導體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領先的D
2009-05-08 10:39:06909 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371002 集線器網(wǎng)絡移動通信交換解決方案領先供應商 MACH 今天公布新戰(zhàn)略
盧森堡2009年10月15日電 -- 旨在簡化并加快移動通信供應鏈創(chuàng)建和運行的解決方案領先供
2009-10-15 16:48:21852 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進行取樣測試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領先的50納米(nil])制程技術的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對快速提升技術領先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09632 東芝在半導體業(yè)務中提出了新戰(zhàn)略（圖1）。東芝計劃將把瞄準全球份額首位的NAND閃存業(yè)務實力，應用于其他半導體業(yè)務。具體做法是在分離式半導體業(yè)務、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務中剝離出來的
2011-09-23 09:27:581526 
意法半導體（ST）將于2012年12月10日公布新戰(zhàn)略計劃 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）將于2012年12月10日
2012-12-06 09:26:33711 全球行業(yè)領先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司（紐約證交所代碼：CODE）今天宣布推出一個新的串行外設接口（SPI）閃存產(chǎn)品家族。
2013-12-31 10:57:20657 11月17日,國家射頻識別(RFID)產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準在上海召開發(fā)布會,會上發(fā)布了國家射頻識別產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準,內(nèi)容覆蓋協(xié)議符合性、性能性、可靠性、環(huán)境適應性、電磁兼容性及安全性六大方面,將進一步推動射頻識別技術的民用化進程。
2016-11-21 11:27:111148 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會是東芝的下一個計劃。
2017-12-27 14:06:091773 富路集團董事長陸付軍先生對富路品牌作新戰(zhàn)略、新啟航的報告；陸董回顧不平凡的2017年，在行業(yè)競爭加劇、環(huán)保高壓、市場低迷的大環(huán)境下，富路逆勢而上，加大產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)投入，運用汽車沖壓、焊裝、涂裝、總裝檢測四大工藝標準生產(chǎn)制造電動車，依托三大核心技術奠定了富路在行業(yè)中的領先地位。
2018-01-23 09:25:524460 據(jù)韓國媒體報道，為了滿足PC、智能手機市場對NAND閃存的持續(xù)高需求，Intel正在與中國紫光集團談判，授權(quán)其生產(chǎn)64層3D NAND閃存。這種閃存技術來自Intel、美光合資的IMFlash，不過到明年初，雙方將結(jié)束合作。
2018-03-15 11:45:485454 DVEVM可以啟動或（默認），與非門，或通用異步接收機/發(fā)射機（UART）。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機的優(yōu)點訪問和執(zhí)行就地技術。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 存儲產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟連續(xù)五年被科技部評為“高活躍度聯(lián)盟”
2018-07-05 15:31:363517 美光、三星釋放信號僅是個開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度。可見，3D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲器廠商間的“主戰(zhàn)場”。
2018-07-17 10:34:084865 
從NAND閃存中啟動U-BOOT的設計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存 設備就是
2018-09-21 20:06:01485 英特爾(Intel Corp.)距離推出10納米服務器芯片、將有長達2年的空窗期，Raymond James證券認為，臺積電的技術將遙遙領先。
2018-09-28 10:35:402682 至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業(yè)級市場的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術不同，堆棧的層數(shù)
2018-10-08 15:52:39395 任正非日前在上研所5G業(yè)務匯報會上發(fā)表講話，他指出，華為要堅持多路徑、多梯次、多場景化的研發(fā)路線，攻上“上甘嶺”，實現(xiàn)5G戰(zhàn)略領先。
2018-11-08 09:56:443287 NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長江存儲
2018-11-23 08:45:2812115 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
12月27日上午，以新定位、新戰(zhàn)略、新零售為主題的愛瑪全球領先2019戰(zhàn)略年會在集團總部天津盛大啟幕，愛瑪集團副董事長段華、集團掌舵人王偉，央視廣告經(jīng)營管理中心副主任李怡，德國博世電動兩輪車事業(yè)部
2018-12-28 16:08:56656 根據(jù)江蘇省科技廳《關于公布2017年度江蘇省產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟績效評價結(jié)果的通知》（蘇科高發(fā)【2018】378號），江蘇省集成電路產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟被評定為A類聯(lián)盟。
2018-12-29 15:33:335671 工業(yè)和信息化部通信科技委常務副主任韋樂平發(fā)表了題為《網(wǎng)絡領先是實現(xiàn)國家5G戰(zhàn)略的基石》的主題演講。
2019-07-18 16:33:412697 全球碳化硅（SiC）半導體領先企業(yè)科銳與德國采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布達成戰(zhàn)略合作，開發(fā)業(yè)界領先的高效率電傳動設備。
2019-11-06 15:01:54745 四級單元（QLC）NAND正在進入企業(yè)領域，它可幫助降低價格，低于目前領先的三級單元（TLC）NAND。四級單元應該會讓NAND閃存在未來幾年保持主流地位，盡管有人預測，存儲級內(nèi)存（SCM）和持久內(nèi)存技術最終將取代NAND。SCM和持久內(nèi)存可彌合NAND與更快更昂貴的DRAM之間的價格和性能差距。
2020-03-06 15:50:003352 在過去50年的歷史中，AMD絕大多數(shù)時候都會在CPU工藝上落后Intel一兩代，不是AMD不努力，而是Intel實在是太強了，這二十多年來一直都擁有地球上最先進的制程工藝，官方之前還表態(tài)他們的制造工藝領先對手三年半，當然說這話的時候是22nm之前的節(jié)點了。
2019-12-14 09:30:433982 成本領先戰(zhàn)略和產(chǎn)品差異化戰(zhàn)略均能夠通過提升顧客價值而提升企業(yè)的競爭力。成本領先戰(zhàn)略將成本降到低于其他競爭對手的水平來贏得競爭優(yōu)勢，而憑借產(chǎn)品差異化戰(zhàn)略，企業(yè)能夠提升客戶對本企業(yè)產(chǎn)品或服務價值的認知
2019-12-18 14:54:5014 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495053 憑借領先一代的PCM相變存儲技術3D XPoint，Intel的傲騰系列內(nèi)存/SSD在企業(yè)級市場上占了上風，延遲超低，壽命也遠超閃存。
2020-03-05 14:34:41872 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片，這是當前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術，意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。
2020-04-14 08:55:4512821 據(jù)悉，美國國防部近日公布了一項新戰(zhàn)略，以推動對安全和具有彈性的5G網(wǎng)絡的采用，并保持領先于潛在對手。
2020-05-27 15:52:031119 無論消費者還是企業(yè)機構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
最近關于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項技術世界領先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017363 通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 作價 90 億美元，Intel 又賣出了旗下的一個重要業(yè)務。這個業(yè)務，就是 NAND 閃存。這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購 ARM 之后，全球半導體領域的又一筆重大交易。
2020-10-21 09:37:571755 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321345 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:43:421123 據(jù)報道，第三季度財報優(yōu)于市場預期的SK海力士計劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強調(diào)，決心通過從英特爾手中收購NAND業(yè)務，在NAND市場占據(jù)領先地位。
2020-11-05 12:17:421538 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 ，即使隔著屏幕也能感受到Intel撲面而來的“殺氣”。 此次Intel仍然發(fā)布了3D NAND產(chǎn)品，3款產(chǎn)品中有2款都拿到一個“業(yè)界第一”，即便是其閃存業(yè)務出售給SK海力士，其閃存產(chǎn)品性能依然風騷“不減”。 在傲騰業(yè)務方面，Intel公司執(zhí)行副總裁兼數(shù)據(jù)平臺事業(yè)部總經(jīng)理Navin She
2020-12-17 14:09:371728 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:48:342354 今天下午，在Lipro智能家居品牌分享會上，魅族科技正式公布了2021年全新戰(zhàn)略——一體兩翼。其中，魅族式旗艦手機仍為核心業(yè)務，新增雙項戰(zhàn)略引擎，智能穿戴與智能家居業(yè)務。
2020-12-30 15:41:323834 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術能力。
2021-02-26 15:49:372217 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談論NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 據(jù)最新報道，全球領先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預期。
2024-03-07 10:48:35263
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