3D NAND仍然是其主要閃存產品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開發轉向批量生產，現在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:55
5462 圖片來源：聯電 12月2日，中國臺灣半導體代工廠聯電（UMC）宣布，在首次成功使用硅技術之后，其22nm制程技術已準備就緒。 該公司稱，全球面積最小、使用22nm制程技術的USB 2.0通過硅驗證
2019-12-03 09:59:414518 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創建3D NAND閃存的后繼產品，與QLC NAND閃存相比，該產品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 據DigiTimes的消息人士報道，NAND閃存的整體價格將在2020年急劇上升。該報告來自存儲器芯片制造商的多個消息來源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價格的上漲
2020-01-06 11:15:333821 在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產，一舉領先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產。
2011-01-26 22:22:052197 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 半導體市況好熱鬧，就在臺積電透露5nm將在2019年試產之際，聯電23日也宣布，自主研發的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術，已成功進入客戶芯片量產階段，良率已達先進制程的業界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產品。
2017-02-24 07:56:012534 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發出業內首款LPDDR5-6400內存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據悉，該LPDDR5內存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
2018-07-17 10:15:014509 提升, 已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。慧榮科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:292569 的性能，現在的電子產品對于續航有著較為苛刻的要求，而制程工藝的進步是驅動芯片升級的重要動力。也許在7nm之后，還會有3nm甚至更加先進的制程工藝出現，進一步提高產品的使用性能。今天科普文先到這里，歡迎
2019-12-10 14:38:41
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。核心指標方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51:04
，25nm新工藝NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚些時候就可以看到相關U盤、記憶卡、固態硬盤等各種產品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產，這也是該領域的制造工藝首次進軍到
2022-01-22 07:59:46
量產，競爭對手三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技術；美光NAND Flash營銷總監Kevin Killbuck指出，隨著內嵌式
2022-01-22 08:05:39
S26KL512SDABHB020閃存芯片S26KS512SDGBHB030 前兩天西部數據召開了一個會議，主要討論關于與東芝合作的各項協議細則，而西部數據在會議上還報告了BiCS 3和BiCS 4
2022-02-03 11:41:35
不同的是Spansion的MID與另外兩個不一樣，然后又深入了解。原來Hynix 32nm晶圓直供給Spansion與JSC（濟州半導體），但Spansion是以專利協議從海力士進行購買，而海力士把余下的晶圓
2018-01-10 09:55:21
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產品應用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產
2008-08-14 11:31:20
從7nm到5nm，半導體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
封裝測試所有環節的純國產化和自主化，并已成功量產，標志著國內SLCNANDFlash產品正式邁入24nm先進制程工藝時代。該創新技術產品有助于進一步豐富兆易創新的存儲類產品線，為客戶提供更優化的大容量代碼存儲解決方案。
2020-11-26 06:29:11
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產品，可用于各種廣泛的數字消費產品【轉】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產品，這些產品整合了采用尖端的15納米工藝技術制造的NAND芯片。新產品符合
2018-09-13 14:36:33
/讀取代碼（比如apps/././sqi/flash_read_dma_mode等）。微芯片關于釋放數據FSSST26VF040B SQI和諧驅動支持？2）是否有人成功地開發了SQI閃存驅動器來實現和諧？謝爾斯科夫
2019-10-11 08:15:07
請問工程師，C2000系列產品的制程是45nm還是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生產嗎？
2020-06-17 14:41:57
成為雙模藍牙芯片的重要工藝節點。銳成芯微基于多年的射頻技術積累，在22nm工藝成功開發出雙模藍牙射頻IP，適用于藍牙耳機、藍牙音箱、智能手表、智能家電、無線通訊、工業控制等多種物聯網應用場景。此次銳成
2023-02-15 17:09:56
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 韓國三星電子公司周一說，它和蘋果電腦公司就合資生產NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36389 三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品，并對其進行取樣測試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領域的地位可謂舉足輕重，其有關產品的產銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤
2010-01-08 17:15:13988 Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內存芯片產品開發完成
韓國內存廠商Hynix日前宣布他們已經完成了2Gb密度低功耗DDR2內存芯片產品的開發，這款產品將主要面向移動設備，可在
2010-01-14 16:58:051015 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產品。其中moviNAND閃存芯片產品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:04713 Intel、美光宣布投產25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 華邦電子宣布將于年內開始40nm制程技術研發
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內開始40nm制程工藝的開發，不過華邦拒絕就其將于爾必達合作進
2010-02-02 18:00:12782 鎂光南亞合作開發出42nm制程2Gb DDR3內存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501091 鎂光年中量產25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發部門的經理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511087 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業領先的50納米(nil])制程技術的NAND閃存，這兌現了它們對快速提升技術領先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09632 英特爾今天宣布發布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(High Endurance Technology)，是為了解決閃存類型與壽命之間的矛盾而誕生的。
2011-09-15 09:28:331450 瑞薩電子宣布開發出業界首款適用于汽車實時應用領域的40nm工藝嵌入式閃存技術。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術，針對汽車應用領域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13797 SanDisk NAND閃存部門今天宣布公司將開始生產128Gb，也就是16GB容量的閃存芯片，該芯片將采用19納米制程，每單元三層結構，尺寸為0.26平方英寸，比一個一便士硬幣還要小，而傳輸速率可
2012-02-23 10:44:06847 
TDK株式會社成功開發出Single Chip固態硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術（MCP）、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA（SATA） 3Gbps SSD。
2012-03-23 08:23:38969 嵌入式市場閃存解決方案的創新領軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元（SLC）系列Spansion NAND閃存產品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產品采用4x nm浮柵技術，專門用于汽車、消費及網
2012-05-29 08:55:471159 東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產量削減30%，為2009年以來首次減產。
2012-07-24 09:08:06793 中國科學院微電子研究所（IMECAS）宣布在22奈米 CMOS 制程上取得進展，成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出，中國本土設計與制造的22nm元件展現出更高性能與低功耗。
2012-12-26 09:01:491655 比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經開發出一種納米級的氧化鋁鉿電介質（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質可用于平面 NAND Flash 結構中，并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進制程進一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲產品。
2014-09-03 11:40:13849 2016年12月7日，日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)今日宣布成功開發出全球首款(注1)分離閘金屬氧化氮氧化硅(SG-MONOS，注2)閃存
2016-12-19 10:11:43820 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%
2017-04-11 08:30:054095 據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:11991 2017年7月27日，北京—西部數據公司（NASDAQ： WDC）今天宣布，該公司已成功開發用于64層3D NAND （BiCS3）的X4閃存。在西部數據過去成功開發創新和商品化X4 2D NAND
2017-07-26 16:07:11848 目前，東芝和西數先后宣布成功開發基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393395 
Hynix NAND flash型號指南
2017-10-24 14:09:2925 在SK Hynix的72層（72L） TLC NAND快閃存儲器中，所謂的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）單元，是利用管線式（pipe）閘極連結每一個
2018-06-21 12:23:002150 
據外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 東芝宣布已經進行開發擁有當前最高容量的閃存芯片原型，單顆芯片就能有著 1.33Tb（或 166GB）的容量??這是利用他們的 96 層 QLC 3D NAND 技術，對比現在主流的 TLC 只有
2018-08-13 17:27:003673 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個NAND
2018-08-29 11:10:008278 
據外媒報道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已經開發出1300 nm波段的近紅外芯片。
2018-09-14 16:06:174907 2018年11月5日，華潤微電子有限公司（“華潤微電子”）旗下的華潤上華科技有限公司（以下簡稱“華潤上華”）宣布，公司已成功開發出第三代0.18微米BCD工藝平臺。新一代BCD工藝平臺在降低導通電
2018-11-06 16:44:336002 3月21日，三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251 包括7nm批量生產和6nm產品的流片, 三星電子在基于EUV技術的先進制程工藝開發上取得重大進展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場效應晶體管)工藝技術已經開發完成，該技術
2019-04-18 20:48:54272 華虹半導體有限公司（“華虹半導體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現量產。
2019-06-27 16:22:383721 SK海力士宣布，該公司已經在全世界率先成功研發出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產。
2019-06-28 14:35:205458 SK海力士近日正式宣布，已成功開發并開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822 本周，ARM和臺積電宣布，基于臺積電最先進的CoWoS晶圓級封裝技術，開發出7nm驗證芯片（Chiplet小芯片）。
2019-09-29 15:44:022862 瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術，以生產支持新一代環保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 眾所周知，臺積電目前最先進的是7nm+Euv工藝制程，也是目前全球最領先的芯片制造技術，新款的麒麟990 5G芯片就是源自臺積電的技術，指甲蓋大小的芯片里面內置超100億個晶體管，華為首次將5G
2019-12-12 17:33:2222888 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能，留給其他廠商的空間并不多。國內公司中，兆易創新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發。
2020-04-02 08:54:342726 長江儲存在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:062793 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:002648 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:141632 ，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889 ，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922 ，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883 我們都知道，構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 韓國存儲芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達成NAND閃存單元協議。根據協議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門，NAND部件
2020-10-21 14:30:372095 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:571856 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 據報道，SK hynix日前發布了其最新一代的3D NAND。據介紹，新產品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產品發貨之后，SK hynix是第二家達到這一層數的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122027 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動4D技術的發展。本文介紹的176層NAND芯片，已經發展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業內最佳的每片晶圓產出。
2020-12-15 17:55:342755 日本芯片制造商Kioxia開發了大約170層的NAND閃存，加入了與美國同行Micron Technology和韓國的SK Hynix的競賽。
2021-02-20 11:10:002580 據外媒最新報道，三星宣布，3nm制程技術已經正式流片! 據悉，三星的3nm制程采用的是GAA架構，性能上完勝臺積電的3nm FinFET架構! 據報導，三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444315 2021年5月6日，IBM宣布，該公司已開發出全球首個采用2nm技術的芯片，在半導體設計上實現了突破。
2022-06-22 11:21:203066 目前，IBM已開發出全球首個2nm芯片，這種新型2nm芯片所體現的IBM創新對整個半導體和IT行業至關重要，能夠在指甲大小的芯片上容納多達500億個晶體管，在半導體設計上實現了重大的突破。
2022-06-24 09:52:421762 現階段全球芯片行業都聚焦在了2nm工藝制程上，臺積電、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術的相關消息。
2022-06-27 16:55:3811543 IBM已成功研發出了全球首款2nm EUV工藝的半導體芯片。
2022-06-28 16:17:131065 臺積電2nm芯片什么時候研發出來的？去年五月份，美國企業IBM推出了全球首個2nm芯片制造技術，2nm芯片在市場掀起風起云涌。早在去年下半年，臺積電就實現了5nm芯片的量產，而它的下一個目標就是3nm和2nm制程。
2022-06-29 09:54:491081 2nm是目前芯片行業最先進的制程，雖然還沒有一家企業能夠量產2nm芯片，但已經有不少企業開始了2nm工藝的相關研發。 臺積電和三星都已計劃好在2025年左右實現2nm制程工藝的量產，而美國和日本
2022-06-30 10:01:392423 。 成功是指IBM確確實實已經研發出了2nm芯片，還沒成功指的是IBM雖然研發出了2nm芯片，但還沒有實現量產，并不能真正的投入到生產當中去，并且我國中科院也僅僅只是攻克了兩項2nm關鍵技術而已，還有很多方面的技術需要繼續研發。 雖然到現在為止還沒有廠商
2022-07-04 10:26:212307 IBM宣布已開發出全球首個2nm工藝的半導體芯片,采用三層GAA環繞柵極晶體管技術，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068 臺積電完成了3nm工藝，然而早在去年IBM公司就已經宣布研制出了2nm芯片，要知道三星和臺積電是全球最頂尖的兩家晶圓代工企業，他們都只在今年才進入3nm制程，IBM公司的2nm芯片是真的嗎？ IBM公司的2nm芯片是真的，不過IBM成功研制出2nm芯片和三星成功量產
2022-07-07 10:17:583921 TLC是當今使用最廣泛的閃存，盡管市場上有每單元4位的芯片。Lee表示，Hynix正在考慮增加層數和每個單元的位數。
2023-03-14 12:27:17340 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:47704 除了中興通訊和華為之外，國內還有其他擁有自研芯片設計和開發能力的公司。例如，小米旗下的松果電子于2017年發布了其首款自研芯片澎湃S1。雖然與7nm芯片相比，澎湃S1采用的制造工藝是10nm或14nm，但這一成果仍然顯示了松果電子在芯片設計和開發領域的實力。
2023-08-30 17:11:309506 已成功流片。 3NM制程天璣旗艦芯片量產時間預計在2024年，2024年下半年會正式上市。業內估計3NM的MediaTek旗艦芯片型號應該不是今年上市的天璣9300，天璣9300可能采用
2023-09-08 12:36:131373
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