memory」這種特性的存儲(chǔ)介質(zhì)都可以稱為ROM,我們一般使用的單片機(jī)里面使用的是EEPROM。 OTP「一次性可編程芯片」跟EEPROM可以說(shuō)是相輔相成的。 EEPROM的全稱是「電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器
2020-10-19 10:57:4411893 以前做項(xiàng)目,有時(shí)用Flash,有時(shí)用EEPROM,搞得我有點(diǎn)懵逼。
2023-07-27 12:24:241068 Flash是存儲(chǔ)芯片的一種,在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory,全稱為Flash EEPROM Memeory,即我們平時(shí)說(shuō)的“閃存”。它結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn),具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053184 概 述 在MCU的使用中,經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中,Flash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器,都可以做到設(shè)備掉電重啟后,數(shù)據(jù)還會(huì)保留。但二者有明顯的區(qū)別:EEPROM可以
2023-09-21 09:15:04783 概述在MCU的使用中,經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中,Flash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器,都可以做到設(shè)備掉電重啟后,數(shù)據(jù)還會(huì)保留。但二者有明顯的區(qū)別:EEPROM可以
2023-09-22 08:19:23676 (4KB)接口為iic。外置eeprom芯片一般是作為MCU芯片內(nèi)部eeprom的補(bǔ)充,用于存儲(chǔ)設(shè)置參數(shù)。SPI Flash的容量就大很多了,常見(jiàn)的32Mbit(4MB),我們已經(jīng)在ESP8266等模塊
2022-01-26 06:58:33
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
–> EPROM –> EEPROM2.EEPROM和FLASH的區(qū)別2.1 使用上的區(qū)別FLASH用于存放程序,在程序運(yùn)行過(guò)程中不能更改。我們編寫的程序是燒錄到FLASH...
2021-11-23 08:51:04
EEPROM和flash的區(qū)別
2019-09-02 15:16:34
FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同,FLASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM
2021-12-10 08:23:11
根據(jù)圖上的資料顯示:1、EEPROM的地址包含了FLASH的地址。2、FLASH和EEPROM的讀寫方式是一樣的。怎么有人說(shuō)“單片機(jī)內(nèi)置的eeprom本質(zhì)上也是flash, 但是他們的讀寫條件完全不同”。
2013-03-29 13:05:15
概念理解:FLASH存儲(chǔ)器又成為閃存,它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器,但是FLASH得存儲(chǔ)容量都普遍的大于EEPROM,,在存儲(chǔ)控制上,最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
FLASH模擬EEPROM入門指南使用AT32 的片上FLASH 模擬EEPROM 功能。
2023-10-19 06:10:52
在江蘇實(shí)習(xí)時(shí),接觸過(guò)一個(gè)儀器上的一塊實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互功能的ARM控制板,用到控制器是LPC1766的?,F(xiàn)在要寫一下這塊板子的介紹。板子上的東西也不復(fù)雜,一個(gè)FLASH,一個(gè)EEPROM,一個(gè)網(wǎng)口,四路
2015-10-19 16:07:16
讀這篇文章不是為了要破解rom,而是為了了解ROM。作為軟件人員,對(duì)于flash,rom,eeprom等硬件的東西不是很了解,不知道他們有什么區(qū)別。某天在ed-china網(wǎng)站上發(fā)現(xiàn)了這篇文章,覺(jué)得
2021-11-03 06:42:32
FLASH有哪些類型?flash和EEPROM的異同是什么?
2022-01-20 06:15:25
詳解無(wú)刷電機(jī)和有刷電機(jī)的區(qū)別在哪里?
2021-06-26 06:27:27
DC中的target_library、link_library、symbol library之間的區(qū)別和聯(lián)系
2021-01-06 06:40:55
從架構(gòu)到RTOS,詳解DSP和MCU的區(qū)別和聯(lián)系
2021-02-05 06:57:28
我的MC9S12XEP100里的prm文件里一共有36K的EEPROM,1K的固定頁(yè),35K的非固定頁(yè):1:看數(shù)據(jù)手冊(cè),36K里面應(yīng)該有32K的D-flash,4K的buffer ram,這兩部分
2016-07-19 00:02:51
什么是JTAG?JTAG是一個(gè)通信標(biāo)準(zhǔn),用于計(jì)算機(jī)和單片機(jī)進(jìn)行實(shí)時(shí)快速通訊。AVR 的JTAG功能(只有部分型號(hào)才有)使得AVR的調(diào)試工作非常簡(jiǎn)單,可以通過(guò)JTAG 接口對(duì)Flash、EEPROM
2011-03-16 17:10:27
MC9S12XEP100系列EEPROM跟D-Flash區(qū)別是什么???
2017-04-22 09:32:13
[ZZ]EEPROM和FLASH,NAND FLASH和NOR FLASH的區(qū)別
2021-01-06 07:22:56
NXP LPC2000 內(nèi)部Flash用作EEPROM使用詳解隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)與處理器設(shè)計(jì)技術(shù)的不斷提高,嵌入式處理器的速度愈來(lái)愈快;而非易失性存儲(chǔ)器的讀取速度卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上CPU的發(fā)展。傳統(tǒng)
2009-11-03 10:30:48
PIC的程序存儲(chǔ)器是FLASH存儲(chǔ)器,主要存儲(chǔ)程序代碼,掉電不丟失。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是SRAM,主要存儲(chǔ)一些程序的變量,掉電丟失。EEPROM一般存儲(chǔ)程序中的重要數(shù)據(jù),掉電也不丟失。區(qū)別:FLASH:只能
2021-11-24 08:12:26
EPROM、EEPROM、FLASH的定義是什么? EEPROM和FLASH 的最主要的區(qū)別是什么?
2021-04-19 06:33:26
RAM,ROM,EPROM,EEPROM,FLASH ROM的區(qū)別1、RAM指的是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”,即Random Access Memory。它可以隨時(shí)讀寫,而且速度很快,缺點(diǎn)是斷電后信息丟失
2022-01-07 07:51:17
,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)。它于EEPROM的最大區(qū)別是,FLASH按扇區(qū)(block)操作,而EEPROM按照字節(jié)操作。FLASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比
2021-06-20 18:20:44
詳情參考文章01詳情參考文章02UART SPI IIC的詳解及三者的區(qū)別和聯(lián)系Arduino主從機(jī)之間的i2c通信I2C總線定義:I2C(‘intel’ -Integrated Circuit
2021-12-13 07:27:44
請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有g(shù)d32e230 flash 模擬eeprom例程。我有一個(gè)從stm32移植到gd32的項(xiàng)目用到flash模擬eeprom但是在gd的網(wǎng)站沒(méi)有找到相關(guān)的歷程。麻煩gd的工程師看到回復(fù)一下
2021-09-03 07:36:28
)要做,如果寫入,漫長(zhǎng)的等待是讓用戶忍無(wú)可忍的。FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)
2013-01-04 00:20:57
的。Flash:Flash屬于廣義的EEPROM,因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM,我們都叫它Flash。既然兩者差不多,為什么單片機(jī)中還要既有Flash又有
2018-09-26 14:29:06
Flash:Flash屬于廣義的EEPROM,因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM,我們都叫它Flash。既然兩者差不多,為什么單片機(jī)中還要既有Flash
2022-01-26 06:12:11
什么是EEPROM?和FLASH有什么區(qū)別?
2022-01-24 06:48:02
MCU模擬eeprom基本功能 如果你的MCU的flash足夠大。并且你的MCU提供自編程flash指令。則可以通過(guò)flash模擬出一片eeprom區(qū)域。用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 本文參考ST公司
2021-11-03 06:42:24
STM32F103C8T6使用內(nèi)部Flash的第63頁(yè)保存參數(shù)1. 概述STM32的FLASH是用來(lái)存儲(chǔ)主程序的,ST公司為了節(jié)約成本,沒(méi)有加入 EEPROM,但是許多場(chǎng)合下我們需要用EEPROM
2021-12-09 07:13:52
大家都知道內(nèi)存儲(chǔ)器分為兩大類:RAM和ROM,今天宏旺半導(dǎo)體就主要跟大家科普一下ROM類別下的EEPROM是指什么,它跟FLASH又有什么區(qū)別?它們各自的優(yōu)缺點(diǎn)又是什么?ROM,即只讀存儲(chǔ)器
2019-12-05 14:02:53
想要實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的掉電保存,現(xiàn)在由兩種方案,一種是硬件上加上eeprom,一種是用flash配置為eeprom。但是看了相關(guān)資料,flash只支持塊擦除,而eeprom支持位擦除,flash經(jīng)常擦除會(huì)影響使用的壽命。 綜合兩種方案,是eeprom更好還是flash更好呢?
2018-09-17 15:06:19
如何將Flash模擬成EEPROM (EEPROM Emulation)溫馨提示:本文參考《EEPROM Emulation with Qorivva MPC55xx, MPC56xx
2021-12-10 06:12:21
EMyEEPROM在其他受保護(hù)的閃存區(qū)域內(nèi)工作。這是一個(gè)繁瑣的任務(wù),不直觀aspsoc1 EEPOM組件。一個(gè)解決方案——在其他論壇后建議是使用Flash EEPROM連接指令定義一個(gè)固定區(qū)域。例
2019-01-15 06:40:27
本身沒(méi)有自帶 EEPROM,但是 STM32 具有 IAP(在應(yīng)用編程)功能,所以我們可以把它的 FLASH 當(dāng)成 EEPROM 來(lái)使用STM32 FLASH 簡(jiǎn)介不同型號(hào)的 STM32,其 FLASH 容量也有所不同,最小的只有 16K 字節(jié),最大的則達(dá)到了10...
2021-08-05 08:25:12
模電Flash動(dòng)畫(huà)詳解,一共有161個(gè)!
2023-09-27 08:15:23
();
SYS_Init();
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2023-06-13 07:00:08
我知道在PSoC 4的Flash模擬EEPROM,Flash是哪一塊emaulated EEPROM呢?它是否像PSoC 1一樣可配置?我想有EEPROM是emaulated EEPROM的最后一塊
2019-01-18 09:57:35
();
SYS_Init();
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2023-06-28 07:26:33
本文分析了Super Flash EEPROM 28SF040A的特性,并通過(guò)在射頻卡收費(fèi)機(jī)中的應(yīng)用介紹其使用方法.
2009-04-30 14:08:0512
電感和磁珠的什么聯(lián)系與區(qū)別
電感是儲(chǔ)能元件,而磁珠是能量轉(zhuǎn)換(消耗)器件
電感多用于電源濾波回路,磁珠多用于信號(hào)回路
2006-10-07 09:20:171043 電感和磁珠有什么聯(lián)系與區(qū)別?
電感是儲(chǔ)能元件,而磁珠是能量轉(zhuǎn)換(消耗)器件
電感多用于電源濾波回路,磁
2009-07-01 17:26:341203 FLASH的全稱是FLASH EEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同, FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同
2011-12-28 10:02:196031 STM32 FLASH模擬EEPROM資料,mcu,單片機(jī)相關(guān)的知識(shí)及內(nèi)容。
2016-03-10 17:14:1018 FLASH和EEPROM的區(qū)別
2017-03-29 09:09:146 EEPROM,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編程。一般用在即插即用。由于EPROM操作的不便,后來(lái)出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM
2017-11-14 15:37:3127017 svpwm與spwm已經(jīng)廣泛運(yùn)用到了電機(jī)設(shè)備,那么該如何選擇?它們兩者之間有什么區(qū)別聯(lián)系?請(qǐng)看下文。
2017-12-11 11:35:4239564 FLASH芯片是應(yīng)用非常廣泛的存儲(chǔ)材料,Flash芯片可進(jìn)行可快速存儲(chǔ)、擦除數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)物質(zhì)。本文主要介紹了其中Flash芯片的種類以以它們區(qū)別詳情。
2018-03-30 11:42:3561175 本文開(kāi)始介紹了堆和棧的要點(diǎn)以及對(duì)堆和棧的對(duì)比進(jìn)行了分析,其次闡述了堆和棧的聯(lián)系,最后介紹了堆與棧的主要區(qū)別。
2018-04-11 09:50:5238217 FLASH的全稱是FLASHEEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。 FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)
2018-09-21 22:40:01779 FLASH用于存放程序,在程序運(yùn)行過(guò)程中不能更改。我們編寫的程序是燒錄到FLASH中的;
RAM用作程序運(yùn)行時(shí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器;
EEPROM用于存放數(shù)據(jù),是用來(lái)保存掉電后用戶不希望丟的數(shù)據(jù),開(kāi)機(jī)時(shí)用到的參數(shù)。運(yùn)行過(guò)程中可以改變。
2018-11-09 16:16:333648 EPROM、EEPROM、FLASH都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中,充入的電子只能用紫外線的能量來(lái)激出
2018-12-31 10:10:0012401 FLASH是用于存儲(chǔ)程序代碼的,有些場(chǎng)合也可能用它來(lái)保存數(shù)據(jù),當(dāng)然前提是該單片機(jī)的FLASH工藝是可以自寫的(運(yùn)行中可擦寫),但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬(wàn)次,而且通常FLASH只能
2019-09-26 17:16:001 Flash屬于廣義的EEPROM,因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM,我們都叫它Flash。
既然兩者差不多,為什么單片機(jī)中還要既有Flash又有EEPROM呢?
2019-05-03 09:45:004601 EPROM、EEPROM、FLASH都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中,充入的電子只能用紫外線的能量來(lái)激出。
2019-05-07 10:56:466810 FLASH是用于存儲(chǔ)程序代碼的,有些場(chǎng)合也可能用它來(lái)保存數(shù)據(jù),當(dāng)然前提是該單片機(jī)的FLASH工藝是可以自寫的(運(yùn)行中可擦寫),但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬(wàn)次,而且通常FLASH只能按塊擦除。
2020-01-25 16:16:0029819 STM8S_007_片內(nèi)FLASH和EEPROM編程
2020-03-20 10:00:374092 詳談數(shù)組和指針的區(qū)別與聯(lián)系
2020-06-29 15:18:0221814 0歐姆電阻、磁珠和電感的作用、區(qū)別及聯(lián)系
2020-09-01 16:09:014912 本文主要闡述了單片機(jī)與微機(jī)的區(qū)別與聯(lián)系。
2020-09-03 15:16:5314514 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供單片機(jī)中的FLASH和EEPROM怎么操作?資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-21 08:42:518 N76E003的EEPROM問(wèn)題解決方案:使用Data Flash模擬EEPROM(嵌入式開(kāi)發(fā)與應(yīng)用專業(yè)開(kāi)學(xué)要買電腦嗎)-N76E003的EEPROM問(wèn)題解決方案,官方文檔,找了很久才找到。這份文件
2021-07-30 09:28:4125 –> EPROM –> EEPROM2.EEPROM和FLASH的區(qū)別2.1 使用上的區(qū)別FLASH用于存放程序,在程序運(yùn)行過(guò)程中不能更改。我們編寫的程序是燒錄到FLASH...
2021-11-14 21:06:0114 AN0002—AT32 MCU如何使用片上Flash來(lái)實(shí)現(xiàn)EEPROM功能當(dāng)前諸多嵌入式應(yīng)用場(chǎng)景都需要用到 EEPROM 作為非易失性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。出于客戶低成本的考慮,AT32 系列部分
2021-11-18 16:21:0214 在一些應(yīng)用中,經(jīng)常需要存儲(chǔ)一些信息,掉電后可以保存。當(dāng)然,可以外掛eeprom,flash也可以。不過(guò)呢,占用空間,資源,增加成本,設(shè)計(jì)上的難度也會(huì)增加(況且,460的flash這么大,分出來(lái)一點(diǎn)
2021-11-23 18:06:4045 芯片與模組的區(qū)別與聯(lián)系。模組與開(kāi)發(fā)板的區(qū)別與聯(lián)系。芯片到模組,模組到開(kāi)發(fā)板的演變?cè)蚺c過(guò)程。一文帶你了解芯片是什么、模組是什么、開(kāi)發(fā)板是什么。芯片和模組有什么區(qū)別或差異。
2021-11-26 09:21:1049 【轉(zhuǎn)載】keil將程序裝入外部FLASH詳解
2021-12-01 20:21:1311 (4KB)接口為iic。外置eeprom芯片一般是作為MCU芯片內(nèi)部eeprom的補(bǔ)充,用于存儲(chǔ)設(shè)置參數(shù)。 SPI Flash的容量就大很多了,常見(jiàn)的32Mbit(4MB),我們已經(jīng)在ESP8266
2021-12-01 21:06:0818 Flash:Flash屬于廣義的EEPROM,因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM,我們都叫它Flash。既然兩者差不多,為什么單片機(jī)中還要既有Flash
2021-12-02 10:06:069 Flash:Flash屬于廣義的EEPROM,因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM,我們都叫它Flash。既然兩者差不多,為什么單片機(jī)中還要既有Flash
2021-12-02 10:51:2013 內(nèi)部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機(jī)內(nèi)部Flash的擦寫次數(shù)僅有10k次,如果遇到想要存儲(chǔ)又多變,又需要掉電保存的數(shù)據(jù),就顯得有點(diǎn)捉襟見(jiàn)肘了。我決定利用單片機(jī)
2021-12-02 11:36:2131 保護(hù)接地與保護(hù)接零的區(qū)別與聯(lián)系
2022-11-11 15:47:551136 flash屬于廣義的EEPROM,因?yàn)樗彩请姴脸膔om。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM,我們都叫它flash。
2023-01-29 11:11:07774 Flash和EEPROM都是非易失性存儲(chǔ)器,就是你設(shè)備掉電重啟后,數(shù)據(jù)還會(huì)保留,如果是RAM的話掉電數(shù)據(jù)直接就丟了。
2023-03-08 14:07:0017556 在本文中,單片機(jī)開(kāi)發(fā)工程師將FLASH和EEPROM兩者之間的關(guān)系以及背景進(jìn)行了比較。
2023-07-10 10:57:582933 最開(kāi)始參加工作的時(shí)候,經(jīng)常聽(tīng)到有需求說(shuō)XX參數(shù)存到EEPROM,XX事件保存在FLASH中,當(dāng)時(shí)只是覺(jué)得這兩個(gè)東西都是可以用來(lái)存數(shù)據(jù),應(yīng)該大差不差。那真是這樣么?這篇就來(lái)說(shuō)說(shuō)EEPROM和FLASH的那些事。
2023-08-10 11:15:03598 FPGA和ASIC作為數(shù)字電路的常見(jiàn)實(shí)現(xiàn)方式,其聯(lián)系和區(qū)別備受關(guān)注。本文將從FPGA和ASIC的基本概念入手,深入研究它們的區(qū)別與聯(lián)系,以幫助讀者更好地理解兩者的應(yīng)用場(chǎng)景和選擇方法。
2023-08-14 16:38:511583 是源(Source)、漏(Drain)、控制柵(ControlGate)和浮柵(FloatingGate)。 Flash 器件與普通MOS管的主要區(qū)別在于浮柵,Flash 器件通過(guò)浮柵注入和釋放電荷表征
2023-09-09 14:27:383616 單片機(jī)常有Flash,而不常有EEPROM原因
2023-10-24 15:38:36333 使用MCU Flash模擬EEPROM
2023-10-18 18:01:17386 在MCU的使用中,經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中,Flash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器
2023-09-21 09:14:39812 一文詳解pcb和smt的區(qū)別
2023-10-08 09:31:561277 在工業(yè)應(yīng)用中經(jīng)常使用EEPROM來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),為降低成本、節(jié)省PCB空間,外部EEPROM可以用片內(nèi)Flash加上特定的軟件算法代替。
2023-10-23 17:40:301010 Flash與EEPROM一次操作的數(shù)據(jù)大小不同。雖然MCU內(nèi)部的Flash和EEPROM一樣,可以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)的讀寫,但是在寫入的時(shí)候,是必須要先按扇區(qū)擦除的,這里也可以說(shuō)相當(dāng)于是一次操作的數(shù)據(jù)大小不同。
2023-12-01 17:52:48305 在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中廣泛使用。EEPROM和Flash Memory有很多共同之處,比如它們都屬于非易失性存儲(chǔ)器,可以在斷電后保留數(shù)據(jù)。然而,它們也有一些關(guān)鍵的區(qū)別,包括擦除方式、寫入速度、使用壽命
2023-12-07 16:10:20517 ,STM32F103的Flash存儲(chǔ)器可以模擬EEPROM的功能,在本文中我們將詳細(xì)介紹如何使用STM32F103的Flash存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)EEPROM。 概述 EEPROM(Electrically
2024-01-09 11:21:36374 單片機(jī)為何需要Flash和EEPROM?它們有何作用? 單片機(jī)是一種集成電路,具有處理器核心、內(nèi)存和外設(shè)等功能,通常用于嵌入式系統(tǒng)中。Flash和EEPROM則是單片機(jī)中常用的存儲(chǔ)器類型,它們具有
2024-01-18 11:43:40555 EEPROM和FLASH總體差異 ????部分MCU片內(nèi)不帶程序存儲(chǔ)器ROM,可執(zhí)行代碼只能放在外面的EEPROM、FLASH(外擴(kuò))中; ????單片機(jī)對(duì)于數(shù)據(jù)的處理和系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)采集,需要考慮
2024-02-27 08:37:26110
評(píng)論
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