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電子發燒友網>EMC/EMI設計>富昌電子SiC設計分享(五):SiC MOSFET 相關應用中的EMI改善方案

富昌電子SiC設計分享(五):SiC MOSFET 相關應用中的EMI改善方案

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2022-08-01 09:51:151688

用于改善SiC MOSFET導通瞬態的電荷泵柵極驅動

用于高功率和高頻應用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結溫,其特點包括低導通電阻和更高的開關。SiC MOSFET 允許構建具有更高功率密度和更高效率的轉換器。然而
2022-08-03 09:40:47827

SiC MOSFET應用中的EMI改善方案分析

寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關速度會導致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設備的設計裕量,并且較長的振鈴時間會引入EMI
2022-08-29 15:20:381010

SiC MOSFET 的優勢和用例是什么?

SiC MOSFET 的優勢和用例是什么?
2022-12-28 09:51:201034

大電流應用中SiC MOSFET模塊的應用

在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491

SiC-MOSFET的特征

繼前篇結束的SiC-SBD之后,本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211

SiC-MOSFET的應用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-08 13:43:21366

SiC MOSFET:橋式結構中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結構

在探討“SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹,這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340

低邊SiC MOSFET導通時的行為

本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301

低邊SiC MOSFET關斷時的行為

通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333

SiC MOSFETSiC IGBT的區別

  在SiC MOSFET的開發與應用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,另由于其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032102

SiC MOSFET的結構及特性

SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構,主要有二種:平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構,
2023-02-16 09:40:102938

溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品

SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET
2023-02-24 11:48:18426

SiC-MOSFET的應用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:19481

SiC MOSFET的橋式結構及柵極驅動電路

下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導通的,為了防止HS和LS同時導通,設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區時間。右下方的波形表示其門極信號(VG)時序。
2023-02-27 13:41:58737

SiC MOSFET學習筆記(三)SiC驅動方案

如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片?(英飛凌官方) 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同,并且其通常工作在高頻應用環境中, 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479

SiC MOSFET的設計和制造

首先,是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106

SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

SiC設計干貨分享(一):SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439

SiC MOSFET的橋式結構

SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157

怎么提高SIC MOSFET的動態響應?

可行的解決方案。 首先,讓我們了解一下SIC MOSFET的基本原理和結構。SIC(碳化硅)MOSFET是一種基于碳化硅材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管。相較于傳統的硅MOSFETSIC MOSFET具有更高的載流能力、更低的導通電阻和更優秀的耐高溫性能,可以應用于高頻、高功率和高溫環境
2023-12-21 11:15:52272

SIC MOSFET在電路中的作用是什么?

SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場效應晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關速度和功率密度,廣泛應用于多種電路中。 首先,讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687

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