在便攜設備市場，手機占據重要位置。自然地，手機中諸多位置都會應用到集成ESD保護的濾波器。就手機應用而言，常用的濾波器除了LC和RC濾波器，還有共模扼流圈EMI濾波器，這種濾波器幫助減少寄生電感，提供更出色的共模濾波。這些手機濾波器的類型帶寬頻譜見圖3。

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　　圖3：手機濾波器類型帶寬頻譜。

　　不同的手機應用需要采用不同的濾波器。一般而言，應用的數據率越高，濾波器線路的總電容就要越小。對于音頻線路等數據率相對較低的手機應用而言，EMI濾波器的標準電容在幾百個pF范圍內，就足以提供優秀的濾波性能和最小的信號干擾。

　　其中，在揚聲器、麥克風、音頻插孔/耳機等音頻應用中，可以選用LC或RC類型的濾波器，如安森美半導體的NUF2441FCT1G、NUF2450MUT1G、NUF2114MNT1G、NUF2116MNT1G和NUF4220MNT1G等，這些濾波器均集成了ESD保護功能，保護2條至4條音頻線路，二極管電容在數十pF到240 pF之間。以NUF2441FC為例，這LC濾波器為2條音頻線路提供EMI濾波與IEC61000-4-2第4級 ESD保護功能，采用倒裝芯片(flip-chip)封裝，以單顆IC替代2顆電感、4顆電容再加4顆TVS二極管，幫助節省成本及減小電路板占用空間。

　　NUF2450MUT1G也是一款雙線式LC型EMI濾波及ESD保護器件，在800 MHz至5.0 GHz頻率范圍下提供大于-30 dB的衰減;這器件采用節省空間的uDFN 1.2×1.8×0.5 mm的超小封裝，提供20 MHz的截止頻率與極小的線路阻抗，非常適合需要低帶通衰減的音頻應用。NUF2114MNT1G則是一款雙線式RC型EMI濾波及ESD保護器件，采用DFN8封裝，在900 MHz至3.0 GHz頻率下提供大于-30 dB的衰減，同樣以單顆IC替代多達10顆分立元件，幫助降低成本及節省空間。

　　在手機應用中，顯示屏和相機等數據線路的帶寬比音頻更高，可以采用RC濾波器，如安森美半導體采用uDFN封裝的NUF40xx、NUF60xx和NUF80xx等系列器件。此外，安森美半導體還為數據線路濾波應用推出采用極小型WDFN/uDFN封裝的X3系列RC濾波器，包括NUF4310MN和NUF4110MN。這新系列的4通道RC濾波器在2.5 V電壓時的線路電容僅為17 pF，集成了40個分立元件，提供極小占位面積(1.0×1.4×0.75 mm/1.0×1.6×0.75 mm)、極低阻抗(100 Ω)和業界領先的ESD保護(IEC61000-4-2第4級)，支持高達120 Mbps帶寬，適合手機、移動互連設備(MID)、便攜式媒體播放器(PMP)、數碼相機、膝上型電腦或上網本等便攜產品的高分辨率相機模塊和顯示屏等應用。

　　在上述手機高分辨率顯示屏和相機接口等數據應用中，還可以采用高速LC濾波器，如安森美半導體的NUF2900MN。與傳統RC濾波器相比，高速LC濾波器的截止頻率更高、寬頻衰減更大、插入損耗更低。如NUF2900MN的典型截止頻率為350 MHz，在800 MHz至6.0 GHz頻率時提供大于-30 dB的衰減，插入損耗性能也更具優勢，參見圖4。

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　　圖4：典型RC EMI濾波器與高速LC EMI濾波器(NUF2900)的響應性能比較。

　　值得一提的是，手機中的高帶寬應用越來越多，顯示屏尺寸更大且分辨率更高，而且空間受限，推動并行數據轉向串行數據，解決方案就是采用低壓差分信令(LVDS)來串行MDDI、MPPI、USB 2.0和uSerDes等數據，相應地采用共模扼流圈(CMC) EMI/RFI濾波器，通過高帶寬差分信號，同時濾除不需要的共模EMI/RFI信號。在這方面，可以采用安森美半導體的NUC2401MN高速串行數據濾波器。這是業界首款集成超低電容(0.8 pF) ESD保護和共模濾波技術的CMC濾波器，采用小型2.0×2.2 mm DFN封裝，單顆元件適合USB2.0(480 Mbps)、IEEE1394(400 Mbps)、MDDI(最高550 Mbps)、MIPI(最高1.0 Gbps)和HDMI 1.2(每通道最高1.32 Gbps)等多種高速設計，為這些應用消除共模噪聲，提供純凈的數據流。

　　值得一提的是，NUC2401MN與電容同樣低于1 pF的硅競爭器件相比，提供更優異的ESD鉗位性能，非常適合高速數據線路的EMI濾波及ESD保護應用。

　　總結

　　手機等便攜設備隨著數據率及時鐘頻率的提高，越來越需要高性能的EMI濾波與ESD保護方案。安森美半導體提供新的集成型EMI濾波器，在提供優異的EMI/RFI濾波性能的同時，還提供符合IEC61000-4-2 4級標準的ESD保護功能，以單顆IC替代10顆甚至數十顆分立元件，非常適合手機等便攜應用中的音頻及數據線路應用。