PCB布線設(shè)計時寄生電容的計算方法
在PCB上布兩條靠近的走線,很容易產(chǎn)生寄生電容。由于這種寄生電容的存在,
2009-09-30 15:13:3326465 大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。 對于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況 1.
2018-04-10 09:14:2524300 從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100毫微微法拉)會讓您無法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中,這種電容器不多。即使有,它們也會因寄生問題而提
2019-04-09 13:56:011373 首先,我們介紹設(shè)計寄生電容對三極管產(chǎn)生的影響;然后,我們學(xué)習(xí)上拉電阻和下拉電阻的含義以及在電路中的使用方法。
2019-05-20 07:28:009439 我們應(yīng)該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時,漏源之間也有一個寄生電容CDS,所以考慮寄生電容時,MOSFET
2021-01-08 14:19:5915831 寄生電容有一個通用的定義:寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容(通常不需要的),是PCB布局中的一種效應(yīng),其中傳播的信號表現(xiàn)得好像就是電容,但其實并不是真正的電容。
2024-01-18 15:36:14868 可能會由輸出線而耦合到外界,干擾到其它用電設(shè)備。一般是加共模和差模濾波,還可以在輸出線串套磁珠環(huán)、采用雙絞線或屏蔽線,實現(xiàn)抑制EMI干擾。2、開關(guān)管電源模塊由于開關(guān)管結(jié)電容的存在,在工作時,開關(guān)管在快速
2019-04-27 08:00:00
路的PCB線跡。常見的一些輻射 EMI 干擾源包括以前文章中談及的組件,以及PCB板上開關(guān)式電源、連接線和開關(guān)或者時鐘網(wǎng)絡(luò)。傳導(dǎo)性 EMI 干擾是開關(guān)電路正常工作與寄生電容和電感共同作用產(chǎn)生的結(jié)果。圖 1
2013-12-06 18:01:44
傳導(dǎo)性 EMI 信號的耦合介質(zhì)傳導(dǎo)性 EMI 干擾是開關(guān)電路正常工作與寄生電容和電感共同作用產(chǎn)生的結(jié)果。圖 1 顯示了一些會進(jìn)入到您的 PCB 線跡中的 EMI 干擾源情況。Vemi1 源自開關(guān)網(wǎng)絡(luò)
2012-11-15 16:12:16
正常工作與寄生電容和電感共同作用產(chǎn)生的結(jié)果。圖 1 顯示了一些會進(jìn)入到您的 PCB 線跡中的 EMI 干擾源情況。Vemi1 源自開關(guān)網(wǎng)絡(luò),例如:時鐘信號或者數(shù)字信號線跡等。這些干擾源的耦合方式均為
2012-12-08 10:56:22
而變化。CM noise由功率管的開通關(guān)斷(通常而言是dv/dt)通過寄生電容CPS耦合到電阻R1和R2。共模噪音干擾噪音耦合路徑如圖1中紅色虛點(diǎn)所示。差模干擾和共模干擾可以通過EMI噪音分離測量
2018-05-28 10:24:51
模式)干擾在每一電源線與地間產(chǎn)生干擾電壓。共模電流從干擾源通過分布電容入地,沿分布電容入地,沿地線傳播,再經(jīng)每一電源線返回。 目前,抑制EMI的技術(shù)措施有屏蔽、接地和濾波。其中,濾波技術(shù)是目前抑制傳導(dǎo)
2020-11-26 17:24:38
共模噪聲又稱為非對稱噪聲或線路對地的噪聲,在使用交流電源的電氣設(shè)備的輸入端(輸電線和中線)都存在這種噪聲,兩者對地的相位保持同相。共模噪聲的來源于高頻的模電壓和電流,電場耦合和磁場耦合。共模電流由
2021-11-12 07:27:56
寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,和一個電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會增大,不能忽略。
2019-09-29 10:20:26
寄生電容的影響是什么?焊接對無源器件性能的影響是什么?
2021-06-08 06:05:47
作者:Loren Siebert 1 您是否注意到了差分信號在高性能信號路徑中正日益占據(jù)主導(dǎo)地位?差分信號可提供多種優(yōu)勢!我一直在考慮這樣一個事實,即每個差分信號路徑都有一個與其相關(guān)的寄生共模信號
2018-09-13 14:27:23
。噪聲分為差模噪聲和共模噪聲,差模噪聲是LN線之間的電位差,共模噪聲是待測零部件的LN線和參考地之間的電位差。DCDC電源EMI主要于電流和電壓跳變,通過共模和差模的形式耦合到接收器上。 如圖4所示
2018-12-25 11:47:36
一旦處理不好,都會成為EMI的潛在威脅。 圖3.9 AC耦合電容不對稱通過仿真可以明顯看到不對稱的電容擺放會帶來更多的共模信號,而不對稱擺放對插損回?fù)p影響不大。圖3.10插損和回?fù)p結(jié)果圖3.10為電容
2014-10-21 09:57:28
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:39 編輯
很多控制板輸入濾波設(shè)計都把Y電容放在了共模電感后面,然后經(jīng)過一個X電容到整流器輸入。一直有個疑問:EFT測試時,對PE進(jìn)行干擾時,干擾波形豈不是經(jīng)過Y電容耦合到電源線上,再直接干擾到后級電路?
2018-06-15 17:47:22
現(xiàn)場電磁干擾是plc控制系統(tǒng)中最常見也是最易影響系統(tǒng)可靠性的因素之一。思考“從哪里來,到哪里去”的問題非常有必要。今天小編就來講講PLC干擾源的分類和常見來源,希望對干擾治理有所幫助。1.干擾源
2020-11-02 08:13:45
寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,一個電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻情況下,等效值會增大。在計算中我們要考慮
2021-01-11 15:23:51
,您是否曾經(jīng)消除過它呢?在一些高壓電源中,例如:LED 燈泡所使用的電源,您可能會發(fā)現(xiàn)您無法消除它們。經(jīng)仔細(xì)查看,發(fā)現(xiàn)非隔離式電源與隔離式電源其實并沒有什么兩樣。開關(guān)節(jié)點(diǎn)接地寄生電容,產(chǎn)生共模電流
2011-12-20 09:21:36
回路。2)共模(CM)干擾。CM 噪聲主要由dv/dt引起,通過PCB的雜散電容在兩條電源線與地的回路中傳播,干擾侵入線路和地之間,干擾電流在兩條線上各流過二分之一,以地為公共回路;在實際電路中由于
2016-04-20 16:25:31
構(gòu)成回路。2)共模(CM)干擾。CM 噪聲主要由dv/dt引起,通過PCB的雜散電容在兩條電源線與地的回路中傳播,干擾侵入線路和地之間,干擾電流在兩條線上各流過二分之一,以地為公共回路;在實際電路中由于
2016-05-04 14:03:26
的,你隨便看看隔離模塊電源的手冊,原副邊耦合的寄生電容一般在60pF左右,也是就說在高速開關(guān)瞬間,會產(chǎn)生大約6A的電流從副邊的地通過電容耦合到原邊,原邊的地電平肯定瞬間產(chǎn)生尖峰,整個控制系統(tǒng)產(chǎn)生強(qiáng)烈的干擾
2018-09-26 14:24:08
相關(guān)傳導(dǎo)騷擾測試。圖4 漏電流對采樣精度的影響三、針對無Y電容反激電源的傳導(dǎo)EMI主要措施無Y電容反激電源應(yīng)用的典型電路圖如圖2所示。圖3所示是差模干擾和共模干擾在傳導(dǎo)EMI不同頻率段中產(chǎn)生影響的主要
2020-10-22 08:47:39
干擾可分為哪幾種?引起干擾的原因是什么?為什么共模電感只能對共模干擾起作用,對差模干擾不起作用?常見的開關(guān)電源EMI電路設(shè)計方案有哪幾種?
2021-07-09 06:37:17
本文介紹一些最常見的光電耦合器應(yīng)用電路。
2021-06-08 06:22:56
極端的電壓變化幅值大,主要針對這個部位進(jìn)行設(shè)計。電流及電壓的變化是產(chǎn)生差模及共模電流的主要原因,也是影響EMI的最主要的原因,特別是電壓變化,寄生電容是其流動的通道。前面提到Cm和Cme及Cme和Ca也
2016-10-14 14:55:43
電源紋波和瞬態(tài)規(guī)格會決定所需電容器的大小,同時也會限制電容器的寄生組成設(shè)置。圖1顯示一個電容器的基本寄生組成,其由等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)組成,并且以曲線圖呈現(xiàn)出三種電容
2018-09-10 08:16:02
發(fā)生的情況。現(xiàn)在,我們來看看共模 EMI 問題的最常見來源:電源變壓器。該問題由一次繞組和二次繞組間的寄生電容以及一次繞組的高 dV/dt 引起。這個繞組間的電容可起到充電泵的作用,導(dǎo)致雜散電流流到通常連接至
2022-11-22 07:17:08
接地要求18W以內(nèi)反激電源(b)適應(yīng)于有接地要求18W以內(nèi)反激電源(c)適應(yīng)于18W以上反激電源圖7 典型輸入EMI濾波器B.Y電容的選取:Y電容容量遠(yuǎn)大于變壓器寄生電容,可將流過變壓器共模電流旁路為差
2017-07-27 09:53:05
這些寄生電容在電路中的分布如圖1所示。 圖1、共模噪聲電流在電路中的耦合途徑圖1中的共模電流ICM在電路中的耦合途徑主要有3條:從噪聲源—— 功率開關(guān)管的d極通過Cde耦合到地;從噪聲源通過Cpa耦合到
2014-10-10 10:07:06
的任何處理方式都不全面,因為在這些電路中,電源變壓器的 EMI 性能對于整體 EMI 性能至關(guān)重要。特別是,了解變壓器繞組間電容對共模 (CM) 發(fā)射噪聲的影響尤其重要。共模噪聲主要是由變壓器繞組間
2022-11-09 08:07:21
了在輸入端與大地、機(jī)殼所構(gòu)成回路之間流動的共模傳導(dǎo)EMI電流。 具體到變壓器中,一次繞組與二次繞組之間的電位差也會產(chǎn)生高頻變化,通過寄生電容的耦合,從而產(chǎn)生了在一次側(cè)與二次側(cè)之間流動的共模傳導(dǎo)EMI
2018-09-27 15:17:42
目前,大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。以下將著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況。1. 只需幾 fF 的雜散電容
2019-12-08 17:00:00
節(jié)點(diǎn)與鉗位電路延伸至了圖片的頂部。輸入連接從左側(cè)進(jìn)入,到達(dá)距漏極連接1cm以內(nèi)的位置。這就是故障點(diǎn),在這里FET的開關(guān)電壓波形可以繞過EMI濾波器耦合至輸入。 如何處理好電源中的寄生電容才能獲得符合
2019-05-14 08:00:00
2所示,這個微小的電容會導(dǎo)致電源EMI簽名超出規(guī)范要求。 圖2. 寄生漏極電容導(dǎo)致超出規(guī)范要求的EMI性能 這是一條令人關(guān)注的曲線,因為它反映出了幾個問題:明顯超出了規(guī)范要求的較低頻率輻射、共模
2019-10-18 10:21:50
開關(guān)電源共模電感和X電容的選取電磁干擾濾波器電路L的電感量與EMI濾波器的額定電流I有關(guān)電流和共模電感感值對應(yīng)基本關(guān)系50W開關(guān)電源輸入前段EMI&EMC處理電磁干擾濾波器電路電磁干擾濾波器
2021-12-28 07:54:31
,且寄生參數(shù)越大,振蕩的幅度也越大,甚至損壞開關(guān)管。該高頻振蕩會通過SW節(jié)點(diǎn)與輸出VOUT之間的寄生電容耦合到輸出電壓,也就是輸出電壓中的高頻噪聲。圖1. Buck電路的寄生參數(shù)第二部分:輸出電壓噪聲
2022-11-07 08:01:47
您是否注意到了差分信號在高性能信號路徑中正日益占據(jù)主導(dǎo)地位?差分信號可提供多種優(yōu)勢!我一直在考慮這樣一個事實,即每個差分信號路徑都有一個與其相關(guān)的寄生共模信號路徑。在差分信號路徑中,大部分環(huán)境噪聲
2022-11-21 06:34:35
作者:Brian King 大部分傳導(dǎo)EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。對于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入
2018-09-14 15:21:01
給大家分享一份資料教大家如何避免傳導(dǎo)EMI問題(資深工程師電源設(shè)計資料)序: 大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。 我們著重討論當(dāng)
2016-01-14 14:15:55
電容器的外殼連接至主接地,可為共模電流提供返回主接地的路徑。如圖2所示,這個微小的電容會導(dǎo)致電源EMI簽名超出規(guī)范要求。 圖2. 寄生漏極電容導(dǎo)致超出規(guī)范要求的EMI性能 這是一條令人關(guān)注的曲線
2018-10-23 16:01:01
接有負(fù)載阻抗。每一線對地的電壓用符號V1和V2來表示。差模信號分量是VDIFF,共模信號分量是VCOM,電纜和地之間存在的寄生電容是Cp。其電路如圖1所示,其波形如圖2所示。2.1差模信號純差模信號
2011-08-10 14:21:36
共模電感的原理差模噪聲和共模噪聲主要來源共模電感如何抑制共模信號共模電感的選取
2021-03-17 07:30:17
在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白,只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100毫微微法拉)會讓您無法滿足電磁干擾(EMI
2021-10-21 09:34:21
處理共模干擾的仿真分析;SIwave軟件提取出來的是電路的S參數(shù),不能清晰地反映PCB中的耦合情況及其對開關(guān)電源EMI的影響;Q3D 軟件利用FEA 和MOM結(jié)合的方法求解電磁場,可以得到PEEC部分元
2011-11-01 17:56:53
大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。對于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況1. 只需
2022-11-22 07:29:30
的電容器—在EMI濾波器中,可分別濾除串模和共模干擾。 17. 安全電容—含X電容和Y電容。 18. X電容—能濾除由一次繞組、二次繞組耦合電容器產(chǎn)生的共模干擾,可為從一次側(cè)耦合到二次側(cè)的干擾電流提供
2015-12-18 16:14:10
VDMOS的基本原理一種減小寄生電容的新型VDMOS結(jié)構(gòu)介紹
2021-04-07 06:58:17
電流而變化。CM noise由功率管的開通關(guān)斷(通常而言是dv/dt)通過寄生電容CPS耦合到電阻R1和R2。共模噪音干擾噪音耦合路徑如圖1中紅色虛點(diǎn)所示。差模干擾和共模干擾可以通過EMI噪音分離測量
2018-06-11 09:36:41
和摻雜輪廓3、功率MOSFET寄生電容的非線性MOSFET的電容是非線性的,是直流偏置電壓的函數(shù),圖3示出了寄生電容隨VDS電壓增加而變化。所有的MOSFET的寄生電容來源于不依賴于偏置的氧化物電容
2016-12-23 14:34:52
`磁芯對電感寄生電容的影響`
2012-08-13 15:11:07
`磁芯對電感寄生電容的影響`
2012-08-14 09:49:47
`資深工程師電源設(shè)計策略:如何避免傳導(dǎo)EMI問題大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。 我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線
2014-07-30 11:06:54
電源輸入電線時會發(fā)生的情況。現(xiàn)在,我們來看看共模 EMI 問題的最常見來源:電源變壓器。該問題由一次繞組和二次繞組間的寄生電容以及一次繞組的高 dV/dt 引起。這個繞組間的電容可起到充電泵的作用,導(dǎo)致
2018-09-14 14:52:27
為影響 EMI 和開關(guān)行為的功率 MOSFET 輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容三者之間的關(guān)系表達(dá)式(以圖 2 中的終端電容符號表示)。在 MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換期間,這種寄生電容需要幅值較高的高頻
2020-11-03 07:54:52
檢驗具有高轉(zhuǎn)換率電流的關(guān)鍵回路寄生組分和輻射EMI功率級寄生電容EMI頻率范圍和耦合模式
2021-02-24 08:01:34
文本來源于ADI線上培訓(xùn)筆記集成隔離電源工作原理集成隔離電源設(shè)計主要的EMI產(chǎn)生源頭:eg:使用50MHz至200MHz的頻率來減小變壓器尺寸 會帶來輻射的增加1、共模電流:寄生電流通過變壓器耦合到
2021-12-28 06:36:50
) 噪聲的主要來源和傳播路徑。高瞬態(tài)電壓 (dv/dt) 開關(guān)節(jié)點(diǎn)是共模噪聲的主要來源,而變壓器的繞組間分布電容則是共模噪聲的主要耦合路徑。在第 7 部分中,我們在簡單方便的雙電容變壓器模型基礎(chǔ)上,采用
2022-11-09 07:21:36
的反偏壓結(jié)電容,可以合理地降低電源線上的連接寄生電容,這兒近一步探討這一應(yīng)用,來分析下“二極管如何降低寄生電容?”。二極管參數(shù)——結(jié)電容在一些高速場合,需要選結(jié)電容比較小的二極管;在某些場合,則需
2020-12-15 15:48:52
、非隔離式電源時,共模電流會使EMI輻射超出標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。在一些雙線式設(shè)計中(無基底連接),解決這個問題尤其困難,因為有許多高阻抗被包含在內(nèi)。解決這個問題的最佳方法是最小化寄生電容,并對開關(guān)頻率實施高頻
2019-05-13 14:11:55
寄生電容對電磁干擾濾濾器效能的影響
本文將針對交換式電源供應(yīng)器在高頻切換所帶來的傳導(dǎo)性電磁干擾(Conducted Electromagnetic Interference)問題,藉由不同繞
2010-06-19 16:30:3754 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動電流小,頻率特性好,跨導(dǎo)高度線性
2009-11-25 17:49:501003 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動
2010-01-11 10:24:051321 寄生電容,寄生電容是什么意思
寄生的含義 寄身的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計電容,但由于布線構(gòu)之間總是有互容,互
2010-03-23 09:33:552558 以下這 4 個基本技巧可幫助您減少涉及 EMI 合規(guī)性時為您帶來的煩惱。當(dāng)然,EMI 主題非常廣泛,會涉及很多其它技巧。回顧第 1 部分()的討論內(nèi)容,在該部分我們重點(diǎn)討論了當(dāng)電源中的組件寄生電容直接耦合至電源輸入電線時會發(fā)生的情況。現(xiàn)在,我們來看看共模 EMI 問題的最常見來源:電源變壓器。
2017-04-18 14:23:32950 大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。對于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況 1. 只需幾 fF 的雜散電容就會導(dǎo)致 EMI 掃描失敗。
2017-04-18 14:34:32673 升壓設(shè)計中最關(guān)鍵的部件之一像圖1是變壓器。變壓器的寄生組件,可以使他們偏離它們的理想特性和寄生電容與二次關(guān)聯(lián)可引起大共鳴開關(guān)電流前沿的電流尖峰波形。這些尖峰可以導(dǎo)致調(diào)節(jié)器顯示表現(xiàn)為義務(wù)的不穩(wěn)定的操作
2017-05-02 14:15:4019 寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,和一個電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會增大,不能忽略。
2018-01-31 10:09:2921526 寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,和一個電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會增大,不能忽略。
2018-01-31 10:57:5626012 本文首先介紹了寄生電容的概念,其次介紹了寄生電容產(chǎn)生的原因,最后介紹了寄生電容產(chǎn)生的危害。
2019-04-30 15:39:3728588 分布電容強(qiáng)調(diào)的是均勻性。寄生跟強(qiáng)調(diào)的是意外性,指不是專門設(shè)計成電容,卻有著電容作用的效應(yīng),比如三極管極間電容。單點(diǎn)說,兩條平行走線之間會產(chǎn)生分布電容,元器件間在高頻下表現(xiàn)出來的容性叫寄生電容。
2019-04-30 15:56:3019503 減小電感寄生電容的方法
如果磁芯是導(dǎo)體,首先:
用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:001 寄生電感一半是在PCB過孔設(shè)計所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計中,過孔的寄生電感帶來的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會削弱旁路電容的貢獻(xiàn),減弱整個電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來簡單地計算一個過孔近似的寄生電感。
2019-10-11 10:36:3319064 寄生的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。
2020-09-17 11:56:1127673 AN39-升壓變壓器設(shè)計中的寄生電容效應(yīng)
2021-04-28 17:42:254 直接耦合至電源輸入電線時會發(fā)生的情況。現(xiàn)在,我們來看看共模 EMI 問題的最常見來源:電源變壓器。
該問題由一次繞組和二次繞組間的寄生電容以及一次繞組的高 dV/dt 引起。這個繞組間的電容可起到
2021-11-10 09:42:59143 作者:Brian King?
大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。
對于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到
2021-11-23 11:03:02999 的,今天我們就來講解一下,對于理想的MOS器件來說,我們只考慮器件本身,而不考慮MOS的寄生電容的話,那么是無需考慮驅(qū)動電流的大小的。相信大家都聽過一個名詞,叫寄生電容,也叫雜散電容,是電路中電子元件
2022-04-07 09:27:124967 本來沒有在那個地方設(shè)計電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容 寄生電容: 本質(zhì)上還是電容,滿足i=c*du/dt。 電容是用來衡量儲存電荷能力的物理量。根據(jù)
2022-07-27 14:23:5515292 繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后,本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說明。MOSFET的寄生電容:MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志 作者:Sumant Sarkar, 泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 使用Coventor SEMulator3D? 創(chuàng)建可以預(yù)測寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型 減少柵極金屬
2023-06-02 17:31:46305 本文要點(diǎn)寄生電容的定義寄生電容影響電路機(jī)理消除寄生電容的方法當(dāng)你想到寄生蟲時,你可能會想到生物學(xué)上的定義——一種生活在宿主身上或在宿主體內(nèi)的有機(jī)體,從宿主身上吸取食物。從這個意義上說,寄生蟲可能是
2022-05-31 11:09:011733 使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型
2023-07-06 17:27:02187 寄生電容有一個通用的定義:寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容(通常不需要的),是 PCB 布局中的一種效應(yīng),其中傳播的信號表現(xiàn)得好像就是電容,但其實并不是真正的電容。
2023-07-24 16:01:365440 pcb連線寄生電容一般多少 隨著電子產(chǎn)品制造技術(shù)的成熟和發(fā)展,隨之而來的是布線技術(shù)的迅速發(fā)展。不同的 PCB 布線技術(shù)對于電路性能的影響不同,而其中最常見的問題之一就是 PCB 連線寄生電容。這種
2023-08-27 16:19:441608 寄生電容對MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是一種晶體管,它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)備,如功率放大器和開關(guān)電源。盡管MOS管具有
2023-09-17 10:46:581244 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《反激式電源中最常見的噪聲來源.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-15 10:34:000 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21258 寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:35246
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