4 基于STFOD結(jié)構(gòu)的ESD偵測(cè)電路

　　ESD電壓可能會(huì)發(fā)生在一顆IC的任意兩pin腳之間，因此在ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中有腳對(duì)腳（pin-to-pin）的ESD測(cè)試方法。圖3顯示ESD電流在腳對(duì)腳ESD測(cè)試下的路徑。

　　如圖3所示，一正ESD電壓加到IC的某一輸入腳，而IC的另一輸出腳相對(duì)接地，該ESD電壓在輸入腳上可能通過(guò)ESD保護(hù)二極管Dnl擊穿來(lái)旁通ESD電流到浮接的Vss上，該ESD電流再經(jīng)由輸出腳NMOS的寄生二極管Dn2而流出IC到地去。但是，在Dn1擊穿前，該ESD電流會(huì)先經(jīng)由Dp1對(duì)浮接中的VDD充電，而浮接中的Vss也會(huì)因輸出腳接地而被Dn2偏置在接近地的電壓。因此，發(fā)生在一輸入腳對(duì)另一輸出腳的ESD電壓會(huì)轉(zhuǎn)變成跨在VDD與VSS之間的ESD過(guò)壓應(yīng)力（overstress）。這ESD電流會(huì)隨著VDD與VSS進(jìn)入IC的內(nèi)部電路，造成IC內(nèi)部損傷，而且ESD造成內(nèi)部破壞的地方是一非常隨機(jī)的現(xiàn)象，很難去防范。隨著CMOS工藝發(fā)展到深亞微米階段，IC內(nèi)部器件越縮越小，各種版圖設(shè)計(jì)規(guī)則也越縮越小，這使得IC內(nèi)部電路更易被ESD所破壞。

　　ESD對(duì)IC的放電現(xiàn)象當(dāng)然有可能直接出現(xiàn)在VDD與VSS之間。如圖4所示，在正ESD模式下，ESD電流會(huì)直接經(jīng)由VDD電源線導(dǎo)入IC內(nèi)部，這ESD電壓便會(huì)直接降在IC的內(nèi)部電路上，如果該IC沒(méi)有有效且快速的VDD到Vss的ESD保護(hù)電路做在VDD與Vss電源線之間，該IC的內(nèi)部電路將會(huì)遭受極為嚴(yán)重的ESD損傷。因此，要能夠有效地保護(hù)整個(gè)芯片不受ESD破壞，必須要在IC內(nèi)的VDD與VSS電源線之間做一有效的ESD保護(hù)電路。

　　如圖5是一基于襯底觸發(fā)N型厚氧化層器件（sTFOD）ESD偵測(cè)電路。該電路由電阻R、電容C，以及一個(gè)反相器所組成。當(dāng)ESD電壓跨在VDD與Vss之間時(shí)，該ESD偵測(cè)電路會(huì)把STFOD器件導(dǎo)通來(lái)泄流。當(dāng)IC在正常工作情形下，該ESD偵測(cè)電路使sTFOD器件保持關(guān)閉狀態(tài)。雖然sTFOD器件的柵極連接到VDD，但因這種厚氧化層器件的閾值電壓在一般CMOS工藝下都高達(dá)15～20伏特，所以該STFOD器件在IC正常工作情形下不會(huì)被5V以下的VDD所導(dǎo)通。

　　該ESD偵測(cè)工作原理如下

　　（1）ESD情形

　　在靜電放電時(shí)，該STFOD器件會(huì)被導(dǎo)通來(lái)旁通ESD電流。當(dāng)ESD尚未加到VDD與VSS電源線問(wèn)之前，在VX端點(diǎn)的電壓起始值是0伏特。在靜電放電偵測(cè)電路內(nèi)的R與C的時(shí)間常數(shù)是設(shè)計(jì)在0．1～1．0微秒左右。當(dāng)Vss端接地，而一ESD電壓出現(xiàn)在VDD端時(shí)，由于ESD電壓具有很快的上升速度（其上升時(shí)間約在5～15ns），Vx端的電壓因Rc延遲效應(yīng)無(wú)法跟得上VDD端的ESD電壓上升速度，因此VX端的低電位導(dǎo)致反相器的輸出端VB電壓卜升到高電位。VB端的高電位觸發(fā)導(dǎo)通了STFOD器件的雙極晶體管特性，因而ESD電流便經(jīng)由該STFOD器件而旁通掉。此導(dǎo)通的STFOD器件導(dǎo)致VDD與VSS之間短暫短路，因而可以有效且快速地抑制出現(xiàn)在VDD與VSS之間的ESD高電壓，從而有效地保護(hù)Ic的內(nèi)部電路免受ESD破壞。南于該STFOD器件是通過(guò)襯底觸發(fā)而導(dǎo)通，所以它可在較小的版岡面積下提供較高的ESD電流排放能力，因此可使整個(gè)芯片版圖面積大幅縮小，符合高密度、高集積度的應(yīng)用需求。