半壁江山。在射頻器件領(lǐng)域，目前LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者占比相差不大，但據(jù)Yole development預(yù)測(cè)，至2025年，砷化鎵市場(chǎng)份額基本維持不變
2019-05-06 10:04:10
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
波濾波器全部采用CMOS單片器件。此RFeIC設(shè)計(jì)用于802.11b/g/n/ac應(yīng)用程序工作頻率2.4GHz。性能優(yōu)越，靈敏度高而且效率高，噪音低，體積小，成本低RFX2402E是單天線應(yīng)用的理想
2019-11-08 17:07:27
CMOS器件空閑管腳怎么處理？
2021-11-05 08:40:06
CMOS射頻電路的發(fā)展趨勢(shì)如何？
2021-05-31 06:05:08
手機(jī)上還不現(xiàn)實(shí)，但業(yè)界還是要關(guān) 注射頻氮化鎵技術(shù)的發(fā)展。“與砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性
2016-08-30 16:39:28
組件策略轉(zhuǎn)向砷化鎵制程，將使得宏捷科、穩(wěn)懋等代工廠有機(jī)會(huì)受益，至于對(duì)臺(tái)積電的影響則有待觀察。
高通CEO Steve Mollenkopf回應(yīng)時(shí)表示，與TDK合作推出的“gallium arsenide
2019-05-27 09:17:13
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來，無線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無線
2019-07-05 06:53:04
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化鎵作為一種材料已經(jīng)在射頻應(yīng)用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導(dǎo)體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個(gè)來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術(shù)的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同，都是用來偵測(cè)故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測(cè)電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案RFaxis開始為智能手機(jī)和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍(lán)牙、WLAN 11a/n/ac、無線音頻、ZigBee和智能能源
2018-07-09 15:16:33
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
°C常規(guī)芯片F(xiàn)HC30LG砷化鎵晶體管FHC40LG砷化鎵晶體管FHX04LG砷化鎵晶體管FHX04X砷化鎵晶體管FHX06X砷化鎵晶體管FHX13LG砷化鎵晶體管FHX13X砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 編輯
FHX45X 砷化鎵功率管產(chǎn)品介紹FHX45X詢價(jià)熱FHX45X現(xiàn)貨王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
?無外部匹配?針對(duì)每個(gè)頻段進(jìn)行了優(yōu)化筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-16F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLM5964-18F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLM5964-25F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLM5964-35F砷化
2021-03-30 12:35:14
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
的HG106A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有高頻、高溫
2013-11-13 10:56:14
關(guān)鍵詞：AKM，旭化成，砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC，響拇指電子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體
2013-11-13 10:54:57
Sumzi官網(wǎng)AKE的HG166A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有
2013-11-13 10:53:33
教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應(yīng)用中的加速采用的報(bào)告，分享了目前的發(fā)展現(xiàn)狀及AIXTRON的策略。近年來，垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本
2018-11-05 09:51:35
耗盡型半導(dǎo)體技術(shù)為碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、硅基氮化鎵（GaN on Si）、砷化鎵（GaAs）射頻功率晶體管或模塊提供準(zhǔn)確的柵極電壓和脈沖漏極電壓。射頻功率 - 硅雙極單元和模塊
2017-08-14 14:41:32
Higham表示：“一旦高功率射頻半導(dǎo)體產(chǎn)品攻破0.04美元/瓦難關(guān)，射頻能量市場(chǎng)將會(huì)迎來大量機(jī)會(huì)。在商用微波爐、汽車照明和點(diǎn)火、等離子照明燈等設(shè)備市場(chǎng)，射頻能量器件出貨量可能在數(shù)億規(guī)模，銷售額可達(dá)
2018-02-12 15:11:38
硬件和軟件套件有助加快并簡(jiǎn)化固態(tài)射頻系統(tǒng)開發(fā)經(jīng)優(yōu)化后可供烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點(diǎn)火系統(tǒng)的商業(yè)制造商使用系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠以LDMOS的價(jià)格充分利用硅基氮化鎵性能的優(yōu)勢(shì)在IMS現(xiàn)場(chǎng)
2017-08-03 10:11:14
副總裁關(guān)于MACOMMACOM是一家新生代半導(dǎo)體器件公司，集高速增長(zhǎng)、多元化和高盈利能力等特性于一身。公司通過為光學(xué)、無線和衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)提供突破性半導(dǎo)體技術(shù)來滿足社會(huì)對(duì)信息的無止境需求，從而實(shí)現(xiàn)全面連通且
2017-06-06 14:37:19
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來越多，價(jià)格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPT25100P產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT25100P產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化和其他應(yīng)用從2100至
2018-09-26 08:54:30
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPTB00004D產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPTB00004D產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPTB00004D產(chǎn)品特性連續(xù)波、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE的優(yōu)化從DC到
2018-09-26 09:31:14
2.4G無線話筒模塊 激光筆系列。RFX2401C產(chǎn)品性能.RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案RFaxis開始為智能手機(jī)和平板電腦用雙模
2020-03-27 11:31:29
大批量生產(chǎn)并交付其他七種RFeIC。這將使RFaxis的供貨范圍拓展到更廣的無線/射頻領(lǐng)域。RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2020-06-04 17:20:31
`SGC1112-100A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGC1112-100A-R報(bào)價(jià)SGC1112-100A-R代理SGC1112-100A-R咨詢熱線SGC1112-100A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-11 14:52:17
SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGC8598-100A-R報(bào)價(jià)SGC8598-100A-R代理SGC8598-100A-R咨詢熱SGC8598-100A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-08-13 10:20:49
SGK1011-25A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1011-25A報(bào)價(jià)SGK1011-25A代理SGK1011-25A咨詢熱SGK1011-25A現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGK1011-25A
2018-08-06 11:41:49
SGK1314-25A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1314-25A報(bào)價(jià)SGK1314-25A代理SGK1314-25A咨詢熱SGK1314-25A現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGK1314-25A
2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK1314-30A報(bào)價(jià)SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨詢熱SGK1314-30A現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGK5254-120A-R報(bào)價(jià)SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨詢熱SGK5254-120A-R現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-08-13 10:23:05
）5.4Rth Typ。（°C / W）1.3操作模式連續(xù)作業(yè)筆記Tc（op）= + 25°CELM5964-4PS砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管ELM5964-7PS砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管ELM6472-4PS砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-30 12:17:43
）= + 25°CSGC7172-30A砷化鎵晶體管SGC7172-120A砷化鎵晶體管SGC8598-50A-R砷化鎵晶體管SGC8598-100A-R砷化鎵晶體管SGC8598-200A-R砷化鎵晶體管
2021-03-30 12:28:02
SGM6901VU砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGM6901VU報(bào)價(jià)SGM6901VU代理SGM6901VU咨詢熱SGM6901VU現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGM6901VU是一種高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管SGN26H080M1H砷化鎵
2021-03-30 11:37:49
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
TGF2040砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2040報(bào)價(jià)TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報(bào)價(jià)TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣
2019-07-31 07:54:41
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
制造商正在從傳統(tǒng)的全硅工藝轉(zhuǎn)向用于LNA 的砷化鎵(GaAs) 和用于PA 的氮化鎵(GaN)。本文將介紹什么是LNA和PA？有哪些基本原理？典型的GaAs 和GaN 器件以及在利用這些器件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)牢記哪些事項(xiàng)？
2019-08-01 07:44:46
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
5G時(shí)代手機(jī)內(nèi)的PA或多達(dá)16顆之多。就工藝材料來說，目前砷化鎵PA是主流，CMOS PA由于參數(shù)性能的影響，只用于低端市場(chǎng)。4G特別是例如高通等LTE cat16，4x20MHZ的載波聚合技術(shù)
2020-12-14 15:03:10
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
我的霍爾傳感器是砷化鎵，也是一種測(cè)量磁場(chǎng)的傳感器，兩個(gè)輸入端，兩個(gè)輸出端。我把十二個(gè)砷化鎵串聯(lián)使用，三個(gè)一組，輸入電流保持在1毫安。每一組測(cè)試的時(shí)候，所有的單個(gè)砷化鎵都對(duì)磁場(chǎng)有響應(yīng)，但是把四組串聯(lián)
2016-04-23 16:13:19
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對(duì)10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動(dòng)汽車充電
2023-02-21 16:27:41
砷化鎵的功率管資料上都給出了三階交調(diào)，可以根據(jù)資料選擇器件，但是氮化鎵功率管都沒給出三階的曲線，我先問一下大家一般經(jīng)驗(yàn)值是什么樣的曲線？
2020-09-27 09:51:14
本文設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片。
2021-05-24 06:58:23
簡(jiǎn)介 AKE（旭化成）的HG106A砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅
2013-08-22 16:11:17
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝，4,000
2013-06-19 17:00:47
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 1800Ω-3000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-06-17 17:05:35
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 1000Ω-2000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-05-20 11:41:47
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝，4,000
2013-05-21 14:45:25
`砷化鎵GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
趨勢(shì)應(yīng)用及其如何應(yīng)用于您的日常生活的更多信息，并核實(shí)創(chuàng)建用于簡(jiǎn)化射頻能量應(yīng)用設(shè)計(jì)過程的MACOM工具包。 關(guān)于MACOMMACOM是一家新生代半導(dǎo)體器件公司，集高速增長(zhǎng)、多元化和高盈利能力等特性于一身
2018-01-18 10:56:28
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運(yùn)營(yíng)完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
和相同電阻值的砷化鋁鎵PIN二極管和砷化鎵PIN二極管，砷化鋁鎵PIN二極管具有更小的結(jié)面積和更低的結(jié)電容，從而可提高電路性能。關(guān)于MACOMMACOM是一家新生代半導(dǎo)體器件公司，集高速增長(zhǎng)、多元化和高
2018-03-22 10:59:54
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
請(qǐng)問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
了類似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機(jī)和衛(wèi)星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導(dǎo)體的摻雜溝道導(dǎo)電，而是通過在兩個(gè)帶隙不同的半導(dǎo)體
2023-02-27 15:46:36
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
用于化合物半導(dǎo)體襯底：GaN氮化鎵 、GaAs砷化鎵 、GaP磷化鎵外延: MBE, LPE ,VPE
2022-01-17 13:46:39
XU1006-QB砷化鎵變送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 發(fā)射器在整個(gè)頻段具有 +17.0 dBm 輸出三階截距。該器件是一個(gè)平衡的電阻式 pHEMT 混頻器，后跟一個(gè)
2022-12-28 15:31:26
高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件-JM8630 替代HG-166A 產(chǎn)品描述：JM8630是一款高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件，可替代旭化成HG-166A。砷化鎵（GaAs
2023-03-09 17:42:14
SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關(guān)
2023-04-18 15:19:22
GaAs的靈敏度比Si材料高1個(gè)數(shù)量級(jí)、溫漂小1個(gè)數(shù)量級(jí)，是優(yōu)異的線性磁傳感霍爾材料。芯片特征：● 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾效應(yīng)IC● 單電源：VDD 3
2023-05-31 10:02:47
FLK017XP型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率
砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，設(shè)計(jì)用于Ku頻段的通用應(yīng)用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確?？煽啃院鸵恢碌男阅?/div>
2023-12-19 12:00:45
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