2、發射電路的結構和工作原理：

　　發射時，把邏輯電路處理過的發射基帶信息調制成的發射中頻，用TX-VCO把發射中頻信號頻率上變為890M-915M（GSM）的頻率信號。經功放放大后由天線轉為電磁波輻射出去。

　　該電路掌握重點：

　　（1）、電路結構。

　　（2）、各元件的功能與作用。

　　（3）、發射信號流程。

　　電路分析：

　　（1）、電路結構。

　　發射電路由中頻內部的發射調制器、發射鑒相器；發射壓控振蕩器（TX-VCO）、功率放大器（功放）、功率控制器（功控）、發射互感器等電路組成。（如下圖）

　　（2）、各元件的功能與作用。

　　1）、發射調制器：

　　結構：

　　發射調制器在中頻內部，相當于寬帶網絡中的MOD。

　　作用：

　　發射時把邏輯電路處理過的發射基帶信息（TXI-P；TXI-N；TXQ-P；TXQ-N）與本振信號調制成發射中頻。

　　2）、發射壓控振蕩器（TX-VCO）：

　　結構：

　　發射壓控振蕩器是由電壓控制輸出頻率的電容三點式振蕩電路；在生產制造時集成為一小電路板上，引出五個腳：供電腳、接地腳、輸出腳、控制腳、900M/1800M頻段切換腳。當有合適工作電壓后便振蕩產生相應頻率信號。

　　作用：把中頻內調制器調制成的發射中頻信號轉為基站能接收的890M-915M（GSM）的頻率信號。

　　原理：眾所周知，基站只能接收890M-915M（GSM）的頻率信號，而中頻調制器調制的中頻信號（如三星發射中頻信號135M）基站不能接收的，因此，要用TX-VCO把發射中頻信號頻率上變為890M-915M（GSM）的頻率信號。

　　當發射時，電源部分送出3VTX電壓使TX-VCO工作，產生890M-915M（GSM）的頻率信號分兩路走：

　　a）、取樣送回中頻內部，與本振信號混頻產生一個與發射中頻相等的發射鑒頻信號，送入鑒相器中與發射中頻進行較；若TX-VCO振蕩出頻率不符合手機的工作信道，則鑒相器會產生1-4V跳變電壓（帶有交流發射信息的直流電壓）去控制TX-VCO內部變容二極管的電容量，達到調整頻率準確性目的。
? ? ? ? b）、送入功放經放大后由天線轉為電磁波輻射出去。

　　 ? 從上看出：由TX-VCO產生頻率到取樣送回中頻內部，再產生電壓去控制TX-VCO工作；剛好形成一個閉合環路，且是控制頻率相位的，因此該電路也稱發射鎖相環電路。

　　3）、功率放大器（功放）：

　　結構：目前手機的功放為雙頻功放（900M功放和1800M功放集成一體），分黑膠功放和鐵殼功放兩種；不同型號功放不能互換。

　　作用：把TX-VCO振蕩出頻率信號放大，獲得足夠功率電流，經天線轉化為電磁波輻射出去。

　　值得注意：功放放大的是發射頻率信號的幅值，不能放大他的頻率。

　　功率放大器的工作條件：

　　a）、工作電壓（VCC）：手機功放供電由電池直接提供（3.6V）。

　　b）、接地端（GND）：使電流形成回路。

　　c）、雙頻功換信號（BANDSEL）：控制功放工作于900M或工作于1800M。

　　d）、功率控制信號（PAC）：控制功放的放大量（工作電流）。

　　e）、輸入信號（IN）；輸出信號（OUT）。

　　4）、發射互感器：

　　結構：兩個線徑和匝數相等的線圈相互靠近，利用互感原理組成。

　　作用：把功放發射功率電流取樣送入功控。

　　原理：當發射時功放發射功率電流經過發射互感器時，在其次級感生與功率電流同樣大小的電流，經檢波（高頻整流）后并送入功控。

　　5）、功率等級信號：

　　所謂功率等級就是工程師們在手機編程時把接收信號分為八個等級，每個接收等級對應一級發射功率（如下表），手機在工作時，CPU根據接的信號強度來判斷手機與基站距離遠近，送出適當的發射等級信號，從而來決定功放的放大量（即接收強時，發射就弱）。

　　附功率等級表：

　　6）、功率控制器（功控）：

　　結構：為一個運算比較放大器。

　　作用：把發射功率電流取樣信號和功率等級信號進行比較，得到一個合適電壓信號去控制功放的放大量。

　　原理：當發射時功率電流經過發射互感器時，在其次級感生的電流，經檢波（高頻整流）后并送入功控；同時編程時預設功率等級信號也送入功控；兩個信號在內部比較后產生一個電壓信號去控制功放的放大量，使功放工作電流適中，既省電又能長功放使用壽命（功控電壓高，功放功率就大）。

　　（3）、發射信號流程。

　　當發射時，邏輯電路處理過的發射基帶信息（TXI-P；TXI-N；TXQ-P；TXQ-N），送入中頻內部的發射調制器，與本振信號調制成發射中頻。而中頻信號基站不能接收的，要用TX-VCO把發射中頻信號頻率上升為890M-915M（GSM）的頻率信號基站才能接收。當TX-VCO工作后，產生890M-915M（GSM）的頻率信號分兩路走：

　　a）、一路取樣送回中頻內部，與本振信號混頻產生一個與發射中頻相等的發射鑒頻信號，送入鑒相器中與發射中頻進行較；若TX-VCO振蕩出頻率不符合手機的工作信道，則鑒相器會產生一個1-4V跳變電壓去控制TX-VCO內部變容二極管的電容量，達到調整頻率目的。

　　b）、二路送入功放經放大后由天線轉化為電磁波輻射出去。為了控制功放放大量，當發射時功率電流經過發射互感器時，在其次級感生的電流，經檢波（高頻整流）后并送入功控；同時編程時預設功率等級信號也送入功控；兩個信號在內部比較后產生一個電壓信號去控制功放的放大量，使功放工作電流適中，既省電又能長功放使用壽命。

　　3、本振電路的結構和工作原理：（本機振蕩電路、鎖相環電路、頻率合成電路）

　　該電路產生四段不帶任何信息的本振頻率信號（GSM-RX；GSM-TX；DCS-RX；DCS-TX）；送入中頻內部，接收時對接收信號進行解調；發射時對發射基帶信息進行調制和發射鑒相。

　　該電路掌握重點：

　　（1）、電路結構。

　　（2）、各元件的功能與作用。

　　（3）、本振電路工作原理。

　　電路分析：

　　（1）、電路結構。手機本振電路有四種電路結構：

　　a）、由頻率合成集成塊、接收壓控振蕩器（RX-VCO）、13M基準時鐘、預設頻率參考數據（SYN-DAT；SYN-CLK；SYN-RST；SIN-EN），組成（早期手機多用；如下圖）。

　　b）、把頻率合成集成塊集成在中頻內部，結合外接RX-VCO組成（中期機、諾基亞機多用；（如下圖）

　　c）、把頻率合成集成塊、接收壓控振蕩器（RX-VCO）集成一體，稱本振集成塊或本振舐IC（中期機、三星機多用；如下圖）。

　　d）、把頻率合成集成塊、接收壓控振蕩器（RX-VCO）集成在中頻內部（新型機、雜牌機多用；如下圖）。

　　值得注意：無論采用何種結構模式，只是產生的頻率不同；其工作原理，產生的頻率信號的走向和作用都一樣的。

　　（2）、各元件的功能與作用。

　　a）、接收壓控振蕩器（RX-VCO）：

　　與TX-VCO的結構和工作原理一樣；與TX-VCO不同的是：TX-VCO產生兩個頻率段，只參與發射；而RX-VCO產生四個頻率段，既參與接收又參與發射；兩個VCO不能互換。

　　b）、頻率合成集成塊：

　　為一個比較運算放大器；把RX-VCO產生頻率取樣信號、預設頻率參考數據在內部進行比較，并以13M基準時鐘為參考，產生1-4V跳變電壓（純直流電壓）去控制RX-VCO振蕩出準確本振頻率目的。

　　c）、預設頻率參考數據：

　　即工程師在設計手機時，根據手機在不同信道（GSM手機為124個）上工作時所需要的本振頻率標準預先設定好，列成數據表；并寄存在字庫內。即CPU送出的頻合時鐘（SYN-CLK）；頻合數據（SYN-DAT）；頻合復位（ SYN-RST）；頻合啟動（SIN-EN）。

　　（3）、本振電路工作原理。

　　手機正常開機后，電源部分送出頻合電源使本振電路工作，此時RX-VCO振蕩出本振頻率信號分兩路走：

　　1）、把本振頻率取樣送入頻率合成集成塊內，與預設頻率參考數據在內部進行比較；并以13M基準時鐘為參考，產生1-4V跳變電壓，去控制RX-VCO內部變容二極管的電容量，調整輸出頻率，使RX-VCO振蕩出符合手機工作信道所需的本振頻率（俗稱微調）。

　　2）、本振頻率送入中頻內部，經分頻后又分三路：

　　a）、接收時本振頻率送入接收解調器對接收信號進行解調（即本振頻率與接收頻率這兩個大小相等，相位相反頻率信號進行搬移和抵消；剩余對方送來的信息）。

　　b）、發射時本振頻率送入發射調制器，對邏輯電路送來的發射基帶信息（TXI-P；TXI-N；TXQ-P；TXQ-N），調制發射中頻（即把發射信息疊加在本振頻率上）。

　　C）、發射時，把TX-VCO產生頻率取樣送回中頻內部，與本振頻率混頻，產生一個與發射中頻頻率相等的發射鑒頻信號。

　　900M/1800M本振頻率轉換由CPU送出雙頻功換信號（BANDSEL）來控制（俗稱粗調）。

　　從上看出：由RX-VCO產生頻率到取送入頻率合成集成塊內部，再產生電壓去控制RX-VCO工作；剛好形成一個閉合環路，且是控制頻率相位的，因此該電路也稱鎖相環電路。從頻合電路工作原理看，本振頻率與接收頻率要同步（同一工作信道）手機才有信號。CPU如何判定手機工作信道？原來當手機開機后，CPU送出900M/1800M兩系統所有工作信道所需的SYN-DAT、SYN-CLK、SYN-RST、SIN-EN令RX-VCO產生所有本振頻率，遂一送入中頻內部與接收頻率進行對接，直到邏輯電路接到基帶信息為止。并鎖定在該信道上，因此，手機找網是漫長過程。