前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款通過AEC-Q101認證并具有ESD保護的600V標準整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對于空間有限的應用，新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:46
1053 Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:431353 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改進型TO-247封裝的汽車級FRED Pt?和HEXFRED?極快和超快整流器和軟恢復二極管。
2013-01-10 11:21:351332 
在40kHz以上的應用，具有極快的和軟恢復的時間，以及低正向壓降和反向峰值電流，可減少太陽能逆變器、UPS、電動汽車和混合動力汽車、電焊機、服務器和連續導通模式功率因數校正（CCM PFC）中的開關損耗。根據用戶需求設計的“U”系列可用于頻率最高為40kHz的應用，具有低得多的正向壓降，可優化導通損耗。
2013-05-31 10:33:25706 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢復整流器，其中包括業界首款采用SMA封裝的3A器件，采用SMB封裝的3A和4A器件，以及采用SMC封裝的4A和5A器件。
2013-06-06 12:36:211081 Vishay Intertechnology宣布，推出6顆新的1A和2A電流的FRED Pt? 超快恢復整流器---VS-1EFH01HM3、VS-1EFH01-M3、VS-2EFH01HM3
2015-07-07 11:47:49735 昨日下午，微軟在北京舉辦發布會，正式推出第五代小冰，微軟這款主打EQ（情商）的聊天機器人進入完成態。
2017-08-23 09:55:081787 新整流器的潮濕敏感度等級達到J-STD-020標準的1級，LF最高峰值為+260℃。器件符合RoHS，無鹵素，非常適合自動貼片，適應汽車系統里自動光學檢測（AOI）。
2018-03-21 16:08:2010373 在導通數據中，原本2，742μJ的開關損耗變為1，690μJ，損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用DO-214AC封裝的高壓、超快表面貼裝雪崩整流器---BYG23T。該器件將1.98mm的低外形、1300V的極高反向恢復電壓和75ns的快速反向恢復
2012-04-18 11:05:17781 Vishay宣布，推出eSMP?系列SMP （DO-220AA）封裝八款新型100 V和200 V器件，擴充其FRED Pt?超快恢復整流器陣容，包括業內額定電流首度達到2 A的器件。
2019-06-13 16:23:581371 FRED產品是一種為優化整流器性能而設計的超快恢復產品，擁有較低的正向壓降和極低的恢復時間，現有的產品分布在200V~600V，5A~20A，具有多種封裝類型。
2020-08-14 14:50:17945 整流器采用TO-220AC和TO-247AD封裝，X型為Hyperfast超高速恢復整流器，H型為Ultrafast超快恢復整流器。
2021-04-01 09:16:081529 
Trench肖特基整流器能夠實現超快的開關速度，既能減少整流器的開關損耗，又減少了同一換向單元中MOSFET產生的損耗（此種配置通常用于異步開關模式功率轉換器）。
2021-05-10 09:16:301033 15 A至 75 A器件提高電動汽車/混合動力汽車車載充電器AC/DC和DC/DC轉換器效率。
2021-11-03 14:16:301051 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔離封裝的新型FRED Pt? 第五代600
2022-10-11 13:51:48521 
日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt? 超快恢復整流器---1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-26 15:19:16373 
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-9-14 10:19 編輯
新五代的密碼哦
2015-09-12 12:17:58
和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
、遙測和無人值守。 開關整流器是電源系統中最重要的部分，它的技術是否先進，關系著開關電源系統的功能和可靠性。因此，一些自主開發的廠商很注重開關整流器技術性能的改進，其目的是使開關整流器的可靠性和效率得到很大提高，使其成本和高頻電磁干擾降低。`
2014-08-07 10:45:24
的過渡過程分段轉化成矩形和三角形面積，利用式(3)可以計算出這個損耗。 分析輸出整流器的開關損耗則要復雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內會引發很多問題。 開通期間，過渡過程是由整流管的正向恢復特性
2020-08-27 08:07:20
的過渡過程分段轉化成矩形和三角形面積，利用式（3）可以計算出這個損耗。 分析輸出整流器的開關損耗則要復雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內會引發很多問題。 開通期間，過渡過程是由整流管的正向
2023-03-16 16:37:04
一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-29 07:10:32
（快速恢復二極管）相結合的IGBT功率模塊應用廣泛。IGBT模塊存在IGBT的尾電流和FRD的恢復電流導致開關損耗大的課題，而SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”模塊則可顯著降低開關損耗
2018-12-04 10:14:32
1概述嵌入式系統要在5G時代中蓬勃發展，就需要針對5G特點，進行有針對性的應用于創新。1.15G的特點第五代移動通信技術的特點主要在：（1）高速率，5G網絡的下載速度高達10 Gbit/s,，比4G
2021-12-22 08:05:19
和三角形面積，利用式(3)可以計算出這個損耗。分析輸出整流器的開關損耗則要復雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內會引發很多問題。開通期間，過渡過程是由整流管的正向恢復特性決定的。正向恢復
2019-09-23 08:00:00
，實施成本低且性能可靠。然而，二極管橋式整流器的導通損耗是不可避免的，且這將不支持車輛向AC電網提供電能的雙向運行。采用多通道交錯式傳統升壓轉換器，對升壓電路進行多次迭代，可改善某些系統性能參數，但并不能
2022-05-30 10:01:52
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
-請問各位專家，我是個電源新手，剛開始接觸MOS管。現在又些問題，開關損耗主要是導通和關斷這兩個過程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關，與MOS管的結電容，輸入電容，輸出電容都有關系吧？具體的關系是什么？有沒有具體計算開關損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
`Nexperia 200V超快恢復整流器擁有高功率密度，同時最大限度地減少了反向恢復時間和損耗。這些器件是大功率密度、超快恢復整流器，采用高效平面技術，采用小型扁平引線SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
濾波電感。有了電容濾波器，LLC轉換器還可以使用額定電壓較低的整流器，從而降低系統成本。此外，次級側整流器可實現零電流轉換，大大減少了反向恢復損耗。利用LLC拓撲結構的各項優勢，可進一步提高效率，降低輸出整流器的損耗。
2019-08-07 08:10:47
管的吸收電容在開關狀態下引起的尖峰電流反射到原邊回路上，引起的開關損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。當然還有整流管上的開關損耗、導通損耗和反向恢復損耗，這應該在允許的情況下盡量選擇導通壓降低
2019-10-09 08:00:00
上，引起的開關損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。改善方法：在其他指標允許的前提下盡量降低吸收電容的容值，降低吸收電阻的阻值。當然還有整流管上的開關損耗、導通損耗和反向恢復損耗，這應該在允許的情況下盡量選擇導通壓降低和反向恢復時間短的二極管。10、輸出反饋電路的損耗
2021-04-09 14:18:40
和三角形面積，利用式(3)可以計算出這個損耗。分析輸出整流器的開關損耗則要復雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內會引發很多問題。開通期間，過渡過程是由整流管的正向恢復特性決定的。正向恢復
2019-09-02 08:00:00
（典型值）的低開關損耗（關斷損耗），與東芝當前產品GT50JR22相比降低了大約42% 。此外，新款IGBT還包含一個內置的二極管，其正向電壓為1.2V（典型值） ，比GT50JR22降低了大約43
2023-03-09 16:39:58
是基于技術規格書中的規格值的比較，Eon為開關導通損耗，Eoff為開關關斷損耗、Err為恢復損耗。全SiC功率模塊的Eon和Eoff都顯著低于IGBT，至于Err，由于幾乎沒有Irr而極其微小。結論是開關損耗
2018-11-27 16:37:30
：RGWxx65C系列的亮點＞使用SiC SBD作為續流二極管的Hybrid IGBT650V耐壓，IC(100℃) 30A/40A/50A有3種可選通過使用SiC SBD，顯著降低了導通時的開關損耗用于xEV車載
2022-07-27 10:27:04
，使用下面公式計算： 五、開關損耗分析插件高端示波器通常亦集成了開關損耗分析插件，由于導通狀態電壓測量不準確，所以導通狀態的計算公式是可以修改的，主要有三種：●UI，U和I均為測量值●I2R，I為測量
2021-11-18 07:00:00
開關條件得以改善，降低硬開關的開關損耗和開關噪聲，從而 提高了電路的效率。 圖1 理想狀態下軟開關和硬開關波形比較圖軟開關包括軟開通和軟關斷兩個過程： 理想的軟開通過程是：開關器件兩端的電壓先下
2019-08-27 07:00:00
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導，也可以提高開關速度，降低開關損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導通，而跨導和工藝有關。
2017-03-06 15:19:01
完全開通，只有導通電阻產生的導通損耗，沒有開關損耗。t1-t2、t2-t3二個階段，電流和電壓產生重疊交越區，因此產生開關損耗。同時，t1-t2和t2-t3二個階段工作于線性區，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復二極管）的trr比較。恢復的時間trr很短，二極管關斷時的反向電流
2018-12-04 10:26:52
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
求一個五電平整流器
2021-10-04 09:42:29
就要降低。芯片選型的時候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻（即降低空載和輕載的工作頻率），MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。 整流管D1損耗包括開關損耗，反向恢復損耗，導通損耗。整流管選型
2023-03-20 16:59:01
求一種使可控硅整流器導通的方法。既然可控硅整流器的特點：是“一觸即發”。那么，又用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢？
2021-04-09 06:27:26
和三角形面積，利用式(3)可以計算出這個損耗。 分析輸出整流器的開關損耗則要復雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內會引發很多問題。 開通期間，過渡過程是由整流管的正向恢復特性決定的。正向恢復
2020-08-07 08:06:08
矩形和三角形面積，利用式(3)可以計算出這個損耗。分析輸出整流器的開關損耗則要復雜得多。整流器自身固有的特性在局部電路內會引發很多問題。開通期間，過渡過程是由整流管的正向恢復特性決定的。正向恢復
2020-08-04 08:00:00
電鍍整流器可分為可控硅電源（俗稱硅整流）和高頻開關整流器（亦稱開關電源）兩種。
2019-09-18 09:10:26
歡迎回到直流/直流轉換器數據表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統效率方面的內容，在本文中，我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化
2018-08-30 15:47:38
的阻值。當然還有整流管上的開關損耗、導通損耗和反向恢復損耗，這應該在允許的情況下盡量選擇導通壓降低和反向恢復時間短的二極管。輸出反饋電路的損耗
2021-05-18 06:00:00
穩壓器進入非連續導通模式。在此模式下，該設備仍保持開關頻率。在每一個周期，功率仍在集成電路（IC）內部消散。因此，即使導通損耗在輕負載時并非一個因素，但由于一直存在開關損耗，設備的效率會受到影響。并且
2018-06-05 09:39:43
請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先，能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅動器源極引腳的MOSFET的驅動電路示例。它與以往驅動電路
2020-07-01 13:52:06
匯佳第五代25-29寸彩色電視機電路圖，匯佳第五代25-29寸彩電圖紙，匯佳第五代25-29寸原理圖。
2009-05-25 11:46:05
234 iPod nano(第五代)功能指南手冊
2009-12-10 15:37:08110 IGBT/FWD功率損耗模擬系統 （英文，含第五代U系列IGBT）
2010-07-20 09:10:20113 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28745 Vishay推出PowerBridge封裝單列直插橋式整流器
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電
2009-12-29 09:24:04817 Vishay推出新系列增強型高電流密度PowerBridgeTM整流器
Vishay Intertechnology日前宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridgeTM整流器。整流器的額定電流高達30～45A，最大峰
2010-01-06 10:45:07742 
Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環境優化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 Vishay推出6款用于消費電子應用的FRED Pt超快恢復整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降，在硬開關條件下的快速恢復時間只有16ns，在125℃下的典型泄漏電流低
2010-05-31 14:57:481425 Vishay 宣布對其使用Trench MOS勢壘肖特基技術的TMBS?整流器產品組合進行大幅擴充。Vishay今天共發布采用4種封裝類型、電流等級從10A至60A的20款45V器件
2011-03-21 11:09:171029 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43783 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351400 Vishay Intertechnology宣布，發布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-07-01 09:07:121028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封裝、正向電流為4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:333410 FRED Pt?超快恢復整流器。這些整流器具有超快和軟恢復特性、低泄漏電流和低正向壓降，通過AEC-Q101認證，在汽車和電信應用里可減少開關損耗和功耗。
2014-04-28 14:29:291068 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4個采用的小尺寸、低外形SMF （DO-219AB） eSMP?系列封裝的新型1A FRED Pt?超快恢復整流器。
2014-08-18 16:36:271718 
2015 年 1 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出六款采用小尺寸、超薄、表面貼裝SMF（DO-219AB） eSMP? 封裝的新款整流器。
2015-01-09 11:48:17817 ，電壓100V至600V的新款標準整流器---SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1。
2015-02-11 11:59:291083 這些Vishay Semiconductors整流器具有極快和軟恢復熱性、低漏電流和低正向壓降，在汽車、照明和通信應用里可減少開關損耗和過熱情況，同時為TO-263（D2PAK）封裝提供了低高度的替代產品。
2015-04-29 17:09:57526 FRED Pt? Gen 4 Ultrafast快恢復二極管，這些器件適用于電源模塊、電機驅動、UPS、太陽能逆變器、焊機逆變器里的高頻轉換器。
2015-06-02 15:10:531010 第五代增強型STC自動燒錄器資料包。
2016-03-22 14:31:048 這些200V器件有汽車級和商用/工業版本，高度小于1mm，可實現最高8A的單陰極結構 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的200V FRED Pt
2018-04-06 11:15:004106 來源：新華網 9月15日，第五代途勝全球首發亮相，全球網友通過云直播、借助CG（特效動畫）、AR（增強現實）等新技術全方位地了解這款全新車型。 目前，途勝系列車型全球累計銷量超過700萬輛，在中國
2020-09-17 16:02:381640 年全新推出的第五代、車載顯示系列新品已經跟大家見過面了，并在上一篇推文中，觸想小編已經詳細解析過五代新品的由來。 今天，小編就繼續跟大家聊一聊，關于第五代新品，你們關心的一個核心問題： 第五代新品有哪些最為顯著的優勢？ 與前幾代產
2020-11-24 15:51:451494 多方消息指出，蘋果最快3月發布第五代iPad Pro。
2021-01-12 17:23:243196 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572155 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-22 10:51:0611 推出 10 款符合 AEC-Q101 標準，適用于汽車應用的新型 FRED Pt 600 V 第五代 Hyperfast 和 Ultrafast 整流器。Vishay Semiconductors
2021-11-05 15:35:361798 
wifi技術標準第四代是第四代移動通信技術的意思，第五代就是第五代移動通信技術，那么這兩代之間有什么區別呢？
2022-01-01 16:43:0032519 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導通和開關損耗特性，能有效提高中頻功率轉換器以及軟硬開關或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11945 Vishay 推出 15 款采用 SOT-227 小型封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V 和 1200V Hyperfast 和 Ultrafast 恢復整流器。
2022-09-16 10:52:20737 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復整流器。
2022-10-14 16:11:241101 Vishay ?FRED Pt Hyperfast 恢復整流器? 1 A 整流器適用于工業和汽車應用 Q rr 低至 150 nC VF 為 1.10 V 同時降低寄生電容并提高 E rec
2023-01-19 17:20:05735 
全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:22676 
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。開關損耗：見文識意，開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49624 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢復整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤 DFN3820A封裝。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00525 
電子發燒友網站提供《同步整流器可降低LLC諧振電源的傳導損耗.pdf》資料免費下載
2023-07-26 10:40:300 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
超快恢復整流二極管（Ultrafast Recovery Diode）是一種具有更快恢復時間的特殊二極管。它的作用在于降低開關電源、電流整流以及頻率較高的電路中的功耗和損耗。
2024-02-01 18:25:39915 據悉，第五代超級電池既繼承前四代智能電池的優勢，又在重要技術升級中取得突破，包括能量密度和放電倍率等指標。相較于第四代智能電池，第五代超級電池能量密度顯著提升 20%。
2024-02-22 14:14:25220 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08356 
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14106
電子發燒友App
工商網監
評論