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富士通Custom SoC解決大數(shù)據(jù)背后的高速低功耗設計挑戰(zhàn) - 全文

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2020-06-28 16:04:16778

富士通新款4Mbit FRAM可穩(wěn)定在125℃高溫下運行

鐵電隨機存儲器FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內存,即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM主要結合了ROM和RAM的特性,并擁有高速寫入數(shù)據(jù)低功耗高速讀/寫周期的優(yōu)點
2020-07-30 14:22:20469

富士通將推出私人無線系統(tǒng)的使用服務

此外,富士通還在協(xié)議中提供了云服務,可按月訂閱。富士通表示,該公司正在提供基于云的基站、核心網(wǎng)絡、設備和應用程序管理。這將帶來操作的遠程監(jiān)控,以及故障時的主要響應。
2020-10-12 16:29:111546

如何選擇低功耗藍牙SoC

物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品高級營銷總監(jiān)Emmanuel Sambuis特別制作一篇技術應用文章,說明如何為您的產(chǎn)品設計選用正確的低功耗藍牙SoC。 優(yōu)化Bluetooth LE應用以實現(xiàn)最小能耗運行是一項挑戰(zhàn)。了解
2020-10-23 14:27:084358

Xilinx 聯(lián)手富士通助力5G在美部署

富士通 O-RU適用于 5G O-RAN 網(wǎng)絡各種頻段和多頻段應用。
2021-02-05 13:06:14913

賽靈思為富士通5G射頻單元提供領先技術

O-RAN 標準的新建 5G 網(wǎng)絡中。與此同時,富士通正對賽靈思 RFSoC 技術進行評估,以期為后續(xù)更多基站的部署進一步降低成本和功耗富士通 O-RU 理想適用于 5G O-RAN 網(wǎng)絡各種
2021-02-20 16:38:102221

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲器

相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片,由262,144字×16位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術制造。能夠保留數(shù)據(jù),而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02824

富士通這么多的FRAM都用到了哪些領域之中

與傳統(tǒng)的存儲技術相比,F(xiàn)RAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應用領域表現(xiàn)出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產(chǎn)20年以來,出貨量更是超過了41億顆!咱們富士通這么多
2021-04-24 10:56:48422

富士通FRAM一路走來,它是如何崛起的

FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。那么
2021-04-26 14:31:28545

富士通FRAM實現(xiàn)低成本通用智能表計的方案說明

表重要數(shù)據(jù)的標準元件。富士通FRAM在智能水和氣表中的應用,與智能電表類似,如非易失性與高寫入耐久性確保了準確、可靠的數(shù)據(jù)記錄。 此外由于水和氣表使用電池供電,F(xiàn)RAM存儲器擁有超低功耗的特性使之備受方案商的青睞。以64Byte數(shù)據(jù)
2021-05-08 15:41:37421

富士通半導體正在量產(chǎn)快速數(shù)據(jù)傳輸功能產(chǎn)品

每秒 54MB 的數(shù)據(jù)傳輸速率。 該產(chǎn)品具有高速運行和非易失性的特點,非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫的工業(yè)計算和網(wǎng)絡設備,如可編程邏輯控制器(PLC)和路由器。 20 多年來,富士通半導體量產(chǎn)的 FRAM 產(chǎn)品與 EEPROM 和閃存相比,具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。迄今為止,這些
2021-06-25 15:26:231603

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸

數(shù)據(jù)傳輸速率。 MB85RQ4ML具有高速運行和非易失性的特點,非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫的工業(yè)計算和網(wǎng)絡設備,如可編程邏輯控制器(PLC)和路由器。代理商英尚微支持樣品測試及技術支持。 富士通半導體20多年來量產(chǎn)的FRAM產(chǎn)品與EEPROM和閃存相比,具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的
2021-07-26 18:05:54714

富士通新品8Mbit FRAM高達100萬億次的寫入耐久性

100萬億讀/寫周期的產(chǎn)品。 ? 與富士通的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品實現(xiàn)了高速運行、約30%的訪問速度和低功耗、10%的工作電流。該存儲器IC是需要高速運行的工業(yè)機器中SRAM的理想替代品
2021-12-11 14:46:17579

淺析在低功耗應用中克服低IQ挑戰(zhàn)

淺析在低功耗應用中克服低IQ挑戰(zhàn)
2022-02-10 09:56:162

富士通在不同業(yè)務場景下的具體變革

富士通近日發(fā)布了中文版《Fujitsu Technology and Service Vision 2022(富士通技術與服務愿景,以下簡稱“FT&SV”)》,對富士通面向未來的商業(yè)與社會愿景進行了展望。
2022-08-30 10:27:191109

助力碳中和目標,富士通在行動

與此同時,富士通還積極投身到全球各項可持續(xù)發(fā)展及碳中和行動項目當中。就在本月,富士通宣布通過參與世界可持續(xù)發(fā)展工商理事會(WBCSD)的碳足跡數(shù)據(jù)共享倡議行動(PACT),成功實現(xiàn)了整個供應鏈中二氧化碳排放量的可視化。
2023-09-22 17:12:49654

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