下面以丹佛斯220kW軟起動器MCD3220為例，討論一下軟起動器的短路保護措施。

MCD3220額定輸出能力見下表：

當起動電流倍數為3倍時，額定電機滿載電流430A，由此推算其額定輸出電流能力為：

Ie = 430×3.0 = 1290 A

丹佛斯軟起動器MCD3220主回路可控硅模塊為EUPEC公司出品的T588N16TOF，相關技術參數如下：

關鍵數據1：通態電流有效值1250A，與軟起動器的額定輸出電流能力1290A近似相同；

關鍵數據2：單次10ms最大峰值有效電流8000A，即靠可控硅自然換流關斷的話最大短路電流不允許超過8000A；

關鍵數據3：最高結溫（125℃）時的I2t熱耐受能力為320000A2S，這是半導體器件的短路熱耐受能力，短路保護的主要參考數據。

短路電流的大小

短路電流到底有多大，由短路的類型和電網內阻決定。短路類型有三相火線同時短路，兩相火線之間短路和單相火線接地短路，其中以三相火線同時短路最為嚴重。我們就以此種短路形式分析短路電流。

圖二、不同電網容量和電網內阻時的短路電流

三相火線同時短路時的短路電流為Isca：

其中S為電網（變壓器）容量；

Z為電網（變壓器加上電纜）內阻。

圖二以電網內阻為5%和2%為例，分別計算出Isca的值。

MCD3220用于可能的較差的500kVA容量、5%內阻的電網中時，短路電流也達到13222A，比可控硅模塊T588N16TOF能夠耐受的單次10ms最大峰值有效電流8000A大。所以靠可控硅自然換流關斷無法作可靠的短路過流保護。因此丹佛斯軟起動器本體只提供過載和瞬時過載兩個過載保護。

下圖是丹佛斯軟起動器瞬時過載保護的整定參數。

通常用于短路保護的電氣裝置是斷路器和熔斷器，下面就他們的應用進行討論。

討論一、用斷路器作短路保護

選配斷路器作短路保護的話，按電機額定電流430A選，如果選用施耐德公司的產品，應選擇NS630斷路器。此斷路器可以配置兩種脫扣器，其一為電磁式MA（MAE500）型脫扣器，只有短路電流保護功能，由于MCD3000自帶過載保護，所以可以選用此型號的斷路器，最快動作時間為固定的20ms。NS630還可配置另一種電機專用電子式脫扣器STR43ME（500A），有短路和過載保護，短路保護最大動作時間為10ms。

但是由于斷路器是一種機械裝置，機械裝置有較大的動作滯后，所以施耐德給出總分斷時間約為60ms。總分斷時間與選用何種脫扣器沒有關系。另外也有文獻估算斷路器的分斷至少延遲一個工頻周期，即20mS。

如果選用國產斷路器，以上海華通的產品為例，當選用電機專用型SM30 630A或SM40 630A斷路器，最快短路保護時間為固定的20ms，查不到也問不到總分斷時間，但是由于國內產品多數仿制進口產品，所以可以估計實際總分斷時間不會優于施耐德的產品。

上述傳統斷路器的保護動作延時都比SCR可控硅的自然換流關斷時間長得多，因此不適于作軟起動器的短路過流保護。

再看一下施耐德NS斷路器的高級功能 — reflex能量跳閘功能，據稱在短路故障時能產生一種強大氣體壓力直接作用于一個活塞機構，使斷路器快速可靠地分斷。由于動作非常迅速，《10ms，所以如同快速熔斷器一樣，具有自然抑制短路電流的功能。其限流特性曲線如下圖：

圖三、施耐德斷路器的reflex抑制短路電流功能

從圖三可以看出NS630在預期短路電流》30kA以上時，有明顯的限制短路電流能力，但是30kA對于可控硅來說實在太大了，而且動作延時時間也要達到半個工頻周波10mS，因此reflex功能也不適于作軟起動器的短路過流保護。實際上施耐德推出此功能本身也只是定位在改善對動力電纜或母線的保護上的。

討論二、 用半導體保護專用快速熔斷器作短路保護（丹佛斯說明書的要求）

丹佛斯推薦MCD3220軟起動器前級安裝800A的快速熔斷器。

快速熔斷器的熔斷特性如圖三所示：

熔斷器動作時間分為兩段，第一四是弧前時間，即熔斷器溶化的時間，期間電流與預期短路電流相同。

弧前時間具體值可從圖五查得。可以查到額定電流800A的快速熔斷器，當短路電流為13222A時，弧前時間《2mS；當短路電流為99165A時，弧前時間《 0.1mS。第二段為弧斷時間，這是產生電弧和滅弧所需的時間，在此期間電流是不斷減小的。

圖五、快速熔斷器的弧前時間

圖四、快速熔斷器的動作特性 圖五、快速熔斷器的弧前時間

總的來說快速熔斷器在發生故障時的總動作時間與短路電流的熱效應相關，因此快熔的關鍵參數不是動作時間，而是動作過程中的累計電流發熱量I2t，這與可控硅短路保護需要參考的數據指標是一致的。只要快熔的總I2t值與被保護的半導體器件的I2t值相匹配，就能起到有效的短路保護作用。

下表是丹佛斯軟起動器要求的前級短路保護快熔選型表：

丹佛斯說明書中要求MCD3220前級安裝BUSSMANN的170M6012半導體熔斷器，要求的可控硅需要的短路保護I2t值為320000A2S，也就是MCD3220軟起動器使用的可控硅T588N16TOF需要的短路保護I2t值。

半導體熔斷器170M6012的數據見下表：

由于BUSSMANN的手冊中給出的弧斷I2t值為660V電網電壓時的數據，所以還要查表求出400V電網電壓時的修正系數，從右圖可以查到修正系數約為0.61。則可得：

170M6012在400V電網中的弧斷I2t 。

弧斷I2t = 465000×0.61= 283650

170M6012的總I2t值 = 弧前I2t + 弧斷I2t

= 69500 + 283650

= 353150

此值與可控硅保護需要的I2t值320000相近。

結論：

半導體器件保護專用快速熔斷器能夠提供軟起動器短路保護。對于通常客戶，必須要求采用丹佛斯推薦的半導體熔斷器作軟起動器短路保護。斷路器不能滿足軟起動器短路保護的要求。