8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
應(yīng)用。產(chǎn)品型號(hào)：2SC3422產(chǎn)品名稱：功率晶體管2SC3422產(chǎn)品特性適用于5瓦汽車收音機(jī)和汽車音響的輸出級(jí)良好的h FE線性度 2SC3422產(chǎn)品描述：2SC3422東芝是設(shè)計(jì)和制造高質(zhì)量閃存存儲(chǔ)解決方案
2018-07-24 18:05:11
PLC晶體管輸出和繼電器輸出區(qū)別
2012-08-20 08:26:07
PLC輸出電路(繼電器,晶體管,晶閘管輸出)區(qū)別和注意事項(xiàng)
2012-08-20 08:28:44
PLC繼電器和晶體管輸出
2012-08-20 08:24:48
電子設(shè)備和測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào):T2G6003028-FS產(chǎn)品名稱：射頻功率晶體管T2G6003028-FS產(chǎn)品特性頻率：直流至6千兆赫輸出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
s1307是什么類型的晶體管？
2022-09-25 09:21:11
，PHP型管置換PNP型管。特性相近用于置換的晶體管應(yīng)與原晶體管的特性相近，它們的主要參數(shù)值及特性曲線應(yīng)相差不多。晶體管的主要參數(shù)近20個(gè)，要求所有這些參數(shù)都相近，不但困難，而且沒有必要。一般來說，只要下述
2015-07-07 16:56:34
`TLP181(GB-TPL,F,T)詳細(xì)參數(shù)[/td][/td][td]制造商Toshiba產(chǎn)品種類晶體管輸出光電耦合器配置1 Channel最大正向二極管電壓1.3 V最大輸入二極管電流50
2012-08-16 16:34:23
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
）晶體管以圖7-1-3示出的等效模擬型代替；（2）所有直流電源、隔直電容，旁路電容都看作短路；（3）其它元件按原來相對(duì)位置畫出，利用等效電路可以求取放大器的放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻以及分析放大器的頻率特性。(520101)
2021-06-02 06:14:09
: ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開關(guān)時(shí)的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時(shí)和ON→OFF時(shí)的擴(kuò)大波形。2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？確認(rèn)絕對(duì)最大
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
計(jì)算機(jī)開關(guān)機(jī)的，那么就會(huì)把計(jì)算機(jī)關(guān)閉。這就是機(jī)器語(yǔ)言的原理。實(shí)際用于計(jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備上的晶體管大多是MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），它也分為N型和P型，NMOS就是指N型MOSFET
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據(jù)不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
晶體管的發(fā)射極箭頭朝內(nèi)，NPN型晶體管的發(fā)射極箭頭朝外。2．三極管各個(gè)電極的作用及電流分配晶體管三個(gè)電極的電極的作用如下：發(fā)射極（E極）用來發(fā)射電子；基極（B極）用來控制E極發(fā)射電子的數(shù)量；集電極（C極
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級(jí)視放輸出管的選用彩色電視機(jī)中使用的末級(jí)視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
是用于小信號(hào)放大，只要晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置正確，晶體管一般不會(huì)進(jìn)入飽和區(qū)。但如果晶體管放大電路處理的是信號(hào)幅值較大的信號(hào)，例音頻功放的輸出級(jí)，則晶體管極有可能進(jìn)入飽和區(qū)。此時(shí)，就會(huì)在輸出波形上出現(xiàn)“削頂
2012-02-13 01:14:04
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達(dá)式為：。晶體管輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)于 晶體管的三個(gè)工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
和高頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。WBG 材料以其優(yōu)異的電學(xué)特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是，WBG 半導(dǎo)體可用于可擴(kuò)展的汽車電氣系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(電動(dòng)汽車
2022-06-15 11:43:25
電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`產(chǎn)品型號(hào)：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場(chǎng)的款產(chǎn)品是采用
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場(chǎng)的款產(chǎn)品是采用我們獲得的新半導(dǎo)體
2019-05-14 11:00:13
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)：IGN2856S40產(chǎn)品名稱：晶體管IGN2856S40產(chǎn)品特性SiC HEMT技術(shù)中的GaN500瓦輸出功率AB類操作預(yù)匹配內(nèi)阻抗100%高功率射頻測(cè)試負(fù)柵電壓/偏置序列
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
MOS管，還有其他的電子元件。實(shí)際上場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為結(jié)型管（（Junction Field-Effect Transistor，J F E T））和MOS管（metal-oxide
2019-04-15 12:04:44
NJVMJD45H11T4G該雙極功率晶體管適用于通用電源和切換輸出，或開關(guān)穩(wěn)壓器、轉(zhuǎn)換器和功率放大器應(yīng)用中的驅(qū)動(dòng)器級(jí)。該產(chǎn)品在音頻放大器輸出級(jí)理想方案。特性：互補(bǔ)對(duì)簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)低集電極-發(fā)射極飽和
2021-11-29 14:26:08
晶體管PNP 型晶體管Vb<Ve （C）Vc>Vb>Ve （A）Vb>Ve Vb>Vc （S
2023-02-15 18:13:01
的比例關(guān)系。2）偏置電路 當(dāng)晶體管用于實(shí)際的放大電路時(shí)，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個(gè)原因。首先，由于晶體管的BE結(jié)（相當(dāng)于二極管）的非線性，輸入電壓達(dá)到一定水平后必須產(chǎn)生基極電流（對(duì)于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：NPT2020產(chǎn)品名稱：射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)
2018-05-21 15:49:50
型摻雜半導(dǎo)體材料隔開。PNP晶體管中的大多數(shù)電流載流子是空穴s，而電子是少數(shù)電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉(zhuǎn)的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)
2012-08-20 08:29:56
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
了功率晶體管的性能。如 (1)開關(guān)晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化， (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓， (4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力。 耗散功率也稱集電極
2010-08-13 11:35:21
單元，16輸入/16輸出(晶體管)FX2N-48ER 擴(kuò)展單元，24輸入/24輸出（繼電器）FX2N-48ET擴(kuò)展單元，24輸入/24輸出(晶體管)FX2N-48ER-UA1/UL 擴(kuò)展單元，24輸入
2020-05-05 14:09:09
，從而影響輸出。雙柵極 MOSFET 可用于許多應(yīng)用，包括射頻混頻器/乘法器、射頻放大器、具有增益控制的放大器等。
雪崩晶體管
雪崩晶體管是一種雙極結(jié)型晶體管，設(shè)計(jì)用于在集電極電流/集電極發(fā)射極電壓特性
2023-08-02 12:26:53
串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電源: 一、電路的結(jié)構(gòu)組成：電源部分、整流部分、濾波部分、穩(wěn)壓部分，四部分組成。電源部分：由一個(gè)降壓變壓器T組成。整流部分：由四個(gè)二極管 V1 V2 V3 V4組成。濾波部分：由一個(gè)
2010-06-08 08:10:12
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項(xiàng)。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
用作Q2的基極電壓，以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為3 V，偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測(cè)量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。置示波器以
2021-11-01 09:53:18
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
單極型晶體管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱FET（FieldEffectTransistor）。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與
2020-06-24 16:00:16
單結(jié)晶體管有一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極，一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以又稱雙基極二極管。其結(jié)構(gòu)、等效電路及電路符號(hào)如下圖所示。a、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)；b、等效電路；c、電路符號(hào)它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
，是另一種固態(tài)三端設(shè)備，可用于柵極脈沖、定時(shí)電路和觸發(fā)發(fā)生器，用于交流功率控制型應(yīng)用中開關(guān)和控制晶閘管和 triac。像二極管一樣，單結(jié)晶體管是由單獨(dú)的 p 型和 n 型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的，在器件的主導(dǎo) n
2022-04-26 14:43:33
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
S－l、S－4的封裝外形基本相同;TO一220封裝外形與國(guó)產(chǎn)管S一7B封裝外形基本相同;T0一202封裝外形與國(guó)產(chǎn)管S一6封裝外形基本相同。 采用TO系列封裝的常用晶體管有:T0一3為:2
2008-06-17 14:42:50
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
。場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
，這反過來又使耗盡層盡可能小，從而通過我們的晶體管的最大電流流動(dòng)。這使得晶體管開關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性。 圖2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，N場(chǎng)效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
本應(yīng)用指南介紹了一種采用后向設(shè)計(jì)的基本驅(qū)動(dòng)電路，它從輸出晶體管器件開始再返回到水平振蕩器，便于加速晶體管的水平輸出級(jí)。
2014-09-22 17:14:04
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開關(guān)
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
結(jié)型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。前者是本次討論的重點(diǎn)。 雙極結(jié)型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構(gòu)成組件的P型（正極）和N型（負(fù)極）半導(dǎo)體材料
2023-02-17 18:07:22
型dvp32hn00r（32點(diǎn)繼電器輸出）；dvp32hn00t（32點(diǎn)晶體管輸出）dvp48hp00r（24點(diǎn)入/24點(diǎn)繼電器輸出）；dvp48hp00t（24點(diǎn)入/24點(diǎn)晶體管輸出）模擬量
2020-10-22 19:33:21
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計(jì)算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
）ac型dvp32hn00r（32點(diǎn)繼電器輸出）；dvp32hn00t（32點(diǎn)晶體管輸出）dvp48hp00r（24點(diǎn)入/24點(diǎn)繼電器輸出）；dvp48hp00t（24點(diǎn)入/24點(diǎn)晶體管輸出）模擬量
2020-10-22 19:25:17
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
的選擇和比較進(jìn)行了分析。考慮了晶體管參數(shù)，如與時(shí)間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會(huì)影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48
2023-02-27 09:37:29
求51單片機(jī) STC89c526個(gè)晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時(shí)間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時(shí)間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
轉(zhuǎn)化為鋸齒波，由VT4 組成的射極輸出器經(jīng)阻抗變換后輸出:一方面通過R6 加至晶體管的集電極，作為晶體管的集電極電壓;一方面加至示波器的Y 輸入端，作為示波器的Y 軸輸入信號(hào)。C3 、VD1 與晶體管
2008-07-25 13:34:04
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
程控單結(jié)晶體管(PUT)具有敏發(fā)炅敏度高、速度快、功耗低和動(dòng)態(tài)電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于各種脈沖電路和晶閘管控制系統(tǒng)。PUT張弛振蕩電路上圖是PUT的基本張弛振蕩電路。它和普通單結(jié)晶體管張弛
2018-01-23 11:47:39
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
組合的結(jié)果是，“ IGBT 晶體管”具有雙極性晶體管晶體管的輸出開關(guān)和導(dǎo)通特性，但像 MOSFET 一樣是電壓控制的。Igbt 主要應(yīng)用于電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，如逆變器、變換器和電源等，但功率雙極器件和功率
2022-04-29 10:55:25
繼電器和晶體管輸出具有哪些特點(diǎn)？使用注意事項(xiàng)有哪些？繼電器與晶體管輸出有哪些差別？
2021-10-12 06:28:48
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù) ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
保護(hù)的二極管必須選用快速恢復(fù)型二極管，以保證二極管能夠迅速反應(yīng)得以保護(hù)晶體管。對(duì)于二極管的耐壓要求，一般其截止電壓為開關(guān)晶體管C-E間電壓的2倍。 2、RC阻尼電路 圖二 圖二中，在晶體管關(guān)斷
2020-11-26 17:26:39
溫度決定的倍增因子，后面將對(duì)其溫度特性進(jìn)行討論。 對(duì)于NMOS晶體管M1和M2,其柵源電壓分別為Vgs1和Vgs2,那么圖3中電壓為： 如果利用前面提到的兩個(gè)工作在弱反型區(qū)的MOS管輸出電壓特性
2018-11-30 16:38:24
PLC晶體管輸出和繼電器輸出的區(qū)別
2012-06-14 14:04:42
9149 本文主要介紹了plc晶體管輸出電路圖_PLC晶體管輸出接線圖。基本單元的晶體管輸出中，包括漏型輸出和源型輸出的產(chǎn)品，這兩者在回路上的差異如下：·漏型輸出［-公共端］，負(fù)載電流流到輸出（Y）端子，這樣
2018-03-20 09:44:3980155 
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