鋰電池應(yīng)用領(lǐng)域電池主要應(yīng)用在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、數(shù)碼類(lèi)產(chǎn)品、動(dòng)力產(chǎn)品、醫(yī)療和安防等。鋰電池保護(hù)板 MOS管選型以下為30V、40V、60V、80V、100V MOS管選型表,電流、內(nèi)阻覆蓋密集,重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域
2020-10-09 14:25:10
MIC4414YFT EV,MIC4414評(píng)估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于在低側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 50N06 50A/60V TO-252 MOS管 HN50N06DA,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)HN50N06DA參數(shù):60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2021-03-30 14:13:25
`惠海半導(dǎo)體供應(yīng)50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06LS,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)品牌:惠海型號(hào):HC080N06LSVDS:60V IDS:50A封裝:TO-252
2020-11-11 17:30:28
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 50N06 60V/50A 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)MOS管 TO-252 HN50N06 ,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)HN50N06DA參數(shù):60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2020-07-31 14:38:46
DRV8303是一種用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的門(mén)驅(qū)動(dòng)器IC。它提供三個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器,每一個(gè)都能驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道mosfet。它支持高達(dá)1.7A電源和2.3A峰值電流能力。DRV8303可以在6-V到60-V的大范圍單電源
2020-09-14 17:31:17
驅(qū)動(dòng)器?一般低壓側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用說(shuō)明DRV8803提供了一個(gè)帶過(guò)電流保護(hù)的4通道低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器。它有內(nèi)置二極管來(lái)鉗制感應(yīng)負(fù)載產(chǎn)生的關(guān)斷瞬態(tài),可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)單極步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、繼電器、螺線(xiàn)管或其他負(fù)載。在
2020-09-15 17:20:36
5L: 60V 3A SOT23 N溝道 MOS管HG02N0305N03L: 60V 50A TO-252 N溝道 MOS管 100V MOS N溝道HG02N035N03L: 100V 5A SOT-23 N
2021-03-13 09:34:36
型號(hào):HC080N06LS【06N06】絲?。篐C606參數(shù):60V 6A 類(lèi)型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 溝槽型內(nèi)阻72mR低結(jié)電容435pF 封裝:SOT23-3低開(kāi)啟電壓1.8V廣泛用于車(chē)燈照明、車(chē)載
2021-03-08 16:42:08
RT8560 1MHz,20mA滿(mǎn)量程電流PWM到模擬調(diào)光控制的典型應(yīng)用。 RT8560是一款60V 4通道LED驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)通道可提供30mA電流,15個(gè)LED(每個(gè)二極管3.6V)共60個(gè)LED,帶一個(gè)驅(qū)動(dòng)器
2019-10-17 08:45:05
通過(guò)將VCC1連接到LCD驅(qū)動(dòng)器電源AVDD,RT8560寬范圍VIN應(yīng)用的典型應(yīng)用。 RT8560是一款60V 4通道LED驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)通道可提供30mA電流,15個(gè)LED(每個(gè)二極管3.6V)共60個(gè)LED,帶一個(gè)驅(qū)動(dòng)器
2019-10-17 08:44:22
、 高壓降壓型DC-DC 轉(zhuǎn)換器,固定 150KHz 開(kāi)關(guān)頻率,可提供最高0.6A輸出電流能力,低紋波,出色的線(xiàn)性調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率。PW2906 內(nèi)置固定頻率振蕩器與頻率補(bǔ)償電路,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)
2020-11-18 10:00:48
產(chǎn)品概述:ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V至60V)提供0.5A電流的高效率輸出
2019-10-24 09:26:59
80V/550mΩ高側(cè)和一個(gè)80V/350mΩ低側(cè)MOSFET,可在4.5V至60V的寬輸入電壓范圍內(nèi)提供600mA的連續(xù)負(fù)載電流。 峰值電流模式控制可提供快速的瞬態(tài)響應(yīng)和逐周期的電流限制。產(chǎn)品特性
2022-08-18 15:21:12
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開(kāi)啟 低結(jié)電容東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專(zhuān)業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場(chǎng),專(zhuān)注中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售
2020-09-24 16:34:09
60V耐壓-50N06TO-252 60V50AN溝道汽車(chē)燈電源MOS管【惠海半導(dǎo)體直銷(xiāo)】品牌:惠海半導(dǎo)體型HC012N06L2VDS:60V IDS:50ARDS(on)Max:14mΩ封裝
2020-12-02 15:59:03
惠海半導(dǎo)體供應(yīng)50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06L,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)品牌:惠海型號(hào):HC012N06LVDS:60V IDS:50A封裝:TO-252溝道:N
2020-11-30 14:31:14
60V耐壓mos管50N06_低成本_原廠(chǎng)直銷(xiāo)_種類(lèi)齊全型號(hào):HC15N10 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15A(15N10)TO-252封裝,內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車(chē)燈電源等
2020-12-01 16:18:08
、 高壓降壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,固定150KHz 開(kāi)關(guān)頻率,可提供最高 0.6A輸出電流能力,低紋波,出色的線(xiàn)性調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率。輸入電壓范圍12V-90V。輸出 5V 時(shí)最大 0.6A 輸出電流
2020-11-18 10:53:17
MOSFET的區(qū)別N 溝道和 P 溝道 MOSFET 之間的主要區(qū)別在于,N 溝道通常連接到負(fù)載(被供電的器件)的接地 (-) 側(cè),而 P 溝道連接到 VCC (+)側(cè)。為什么你必須將一個(gè)與消極聯(lián)系起來(lái)
2023-02-02 16:26:45
180度?! 「叨?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)器 高端驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)浮動(dòng)低RDS(ON)N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅(qū)動(dòng)器在3nF負(fù)載下有20ns的上升和下降時(shí)間。高壓側(cè)
2020-07-21 15:49:18
的非常寬的結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍.特征:?溝槽型Power MV MOSFET技術(shù)-60V?低RDS(ON)?低 GATE CHARGE?針對(duì)快速切換應(yīng)用程序進(jìn)行優(yōu)化?VDS:-60V?ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
ETA7008是一個(gè)低側(cè)過(guò)電壓保護(hù)(OVP)芯片,其僅有34mΩ開(kāi)關(guān)阻抗。它使用了一個(gè)低側(cè)保護(hù)拓?fù)浼軜?gòu),確保了非常低的導(dǎo)通阻抗和高壓保護(hù)能力。ETA7008內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較器,一個(gè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器
2019-12-04 20:02:49
MOS柵極驅(qū)動(dòng)能力及最高600V工作電壓下,可提供200mA/300mA的驅(qū)動(dòng)電流。它有三個(gè)互相獨(dú)立的高邊和低邊輸出通路以及全保護(hù)功能。此外還有一個(gè)用于PFC 或 Brake IGBT驅(qū)動(dòng)的低邊驅(qū)動(dòng)器
2021-05-18 07:25:34
獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動(dòng)器有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí),適用于最小的驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo),同時(shí)浮動(dòng)通道可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá)600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
到低壓側(cè)的柵極MOSFET(LGATE)。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù),如果在初始啟動(dòng)期間,MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-30 16:47:03
KF2030是一個(gè)低側(cè)過(guò)電壓保護(hù)(OVP)芯片,其僅有34mΩ開(kāi)關(guān)阻抗。它使用了一個(gè)低側(cè)保護(hù)拓?fù)浼軜?gòu),確保了非常低的導(dǎo)通阻抗和高壓保護(hù)能力。內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較器,一個(gè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)34mΩ的N
2020-06-06 11:31:16
程序?yàn)镾O-8和DFN10 3x3包裝電氣特性表5。電氣特性(VCC=12 V±15%,TJ=0°C至70°C,除非另有規(guī)定)設(shè)備說(shuō)明和操作L6743、L6743Q為高壓側(cè)和低壓側(cè)提供大電流驅(qū)動(dòng)控制N溝道
2020-09-22 16:32:27
保持運(yùn)行,并且可以承受60V電源瞬變。LM9061可用于8針小外形表面安裝封裝。 特征 內(nèi)置電荷泵,用于高壓側(cè)柵極過(guò)驅(qū)動(dòng) 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用程序 功率MOSFET的無(wú)損保護(hù) 可編程MOSFET保護(hù)
2020-07-14 14:53:05
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)或在 200kHz 至 700kHz 的范圍內(nèi)實(shí)施同步。在降壓或升壓操作中,無(wú)需上管 MOSFET 刷新開(kāi)關(guān)周期。憑借 60V 輸入、60V 輸出能力以及工作區(qū)之間的無(wú)縫轉(zhuǎn)換
2018-11-29 17:10:36
和卓越的電壓調(diào)節(jié)。 據(jù)了解,Linear的LT3840集成的降壓-升壓型穩(wěn)壓器可產(chǎn)生7.5V MOSFET柵極驅(qū)動(dòng),以保持在2.5V至60V輸入電壓范圍內(nèi)提供高效率柵極驅(qū)動(dòng),抵御高壓瞬態(tài)并在汽車(chē)?yán)滠?chē)
2018-09-27 15:19:03
達(dá)到60V,HN04P06產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定廣泛運(yùn)用于小家電,LED燈,電源,玩具,霧化器等。售后服務(wù):公司免費(fèi)提供樣品,并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪:阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ,深圳市三佛科技有限公司,咨詢(xún)客服購(gòu)買(mǎi)?!?**賴(lài),0755-85279055】`
2020-11-06 15:30:13
場(chǎng)效應(yīng)管,HN04P06實(shí)際電壓可以達(dá)到60V,HN04P06產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定廣泛運(yùn)用于小家電,LED燈,電源,玩具,霧化器等售后服務(wù):公司免費(fèi)提供樣品,并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪:阿里 “供應(yīng)商
2020-10-28 16:05:32
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動(dòng) 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC,提供兩個(gè)輸出,用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT,使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
NCP5181BAL36WEVB,NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,提供兩路輸出,用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET,這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開(kāi)關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)
2018-03-03 13:58:23
PL88101產(chǎn)品介紹:PL88101是一款支持高達(dá)60V輸入電壓,最大可支持1.2A持續(xù)輸出電流的單晶片降壓轉(zhuǎn)換器。PL88101集成80v耐壓/550 mΩ的高側(cè)MOSFET及 80V耐壓
2022-10-28 17:03:44
`深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管,替代AO系列。 可提供技術(shù)支持,DEMO測(cè)試及設(shè)計(jì)方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:20:57
及方案解決,提供原裝正品芯片、提供技術(shù)支持、提供優(yōu)先貨源,保障客戶(hù)利益,為客戶(hù)提供全方面服務(wù)。我司還提供MOS管,支持樣品測(cè)試供應(yīng)【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V
2020-07-27 17:15:08
:DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器IC、降壓轉(zhuǎn)換器IC、恒流IC、恒壓IC及同步整流型轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓IC、鋰電保護(hù)IC、充電管理IC、移動(dòng)電源IC/復(fù)位IC、背光驅(qū)動(dòng)芯片/MOS管供應(yīng)【100V MOS管 N
2020-06-06 11:08:41
型號(hào):SLD80N06T電壓:60V 電流:80A封裝:TO-252種類(lèi):絕緣柵(MOSFET)SLD80N06T原裝,SLD80N06T庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)售后服務(wù):公司免費(fèi)提供樣品,并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持
2021-04-07 15:06:41
02TVDS:60AIDS :20V封裝:TO-252溝道:N溝道SLD60N02T 原裝,SLD60N02T庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)售后服務(wù):公司免費(fèi)提供樣品,并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪:阿里 “供應(yīng)商 ”搜索
2020-10-22 15:48:45
技術(shù)制造的單通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,并采用PowerSSO-36封裝。它旨在通過(guò)3V和5VCMOS兼容接口驅(qū)動(dòng)12V汽車(chē)接地負(fù)載,從而提供保護(hù)和診斷功能?! N7000AY集成了高級(jí)保護(hù)功能,例如負(fù)載電流
2020-06-30 16:58:08
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
特征充分增強(qiáng)N溝道功率mosfet8μA IQ待機(jī)電流電流為85μA IQ無(wú)外部電荷泵電容器4.5V至18V電源范圍短路保護(hù)通過(guò)PTC熱敏電阻進(jìn)行熱關(guān)機(jī)狀態(tài)輸出指示停機(jī)提供8針SOIC應(yīng)用筆
2020-09-08 17:28:16
(60 VDC,80V瞬態(tài))短路負(fù)載(接地和電源)說(shuō)明保護(hù)LMD18400是一個(gè)完全受保護(hù)的四邊形高壓側(cè)。它包含四個(gè)公共漏極DMOS N-VCC>35V時(shí)的過(guò)電壓關(guān)機(jī)通道電源開(kāi)關(guān),每個(gè)都能將a?LS TTL/CMOS兼容邏輯輸入和連續(xù)1安培負(fù)載(>3安培瞬態(tài))切換到輸出公共正電源。開(kāi)關(guān)完全
2020-09-14 17:34:44
`描述KF2030是一個(gè)低側(cè)過(guò)電壓保護(hù)(OVP)芯片,其僅有34mΩ開(kāi)關(guān)阻抗。它使用了一個(gè)低側(cè)保護(hù)拓?fù)浼軜?gòu),確保了非常低的導(dǎo)通阻抗和高壓保護(hù)能力。KF2030內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較器,一個(gè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器
2017-08-25 12:02:32
LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器可通過(guò)低至1.8V電源的廉價(jià)低RDS(ON)N通道開(kāi)關(guān)切換電源或接地參考負(fù)載
2020-04-17 10:09:17
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器?MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分?如何計(jì)算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
10)TO-252封裝, 內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車(chē)燈電源等型號(hào):HC012N06LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內(nèi)阻12mR,汽車(chē)燈電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、控制器等
2020-09-23 11:38:52
10)TO-252封裝, 內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車(chē)燈電源等型號(hào):HC012N06LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內(nèi)阻12mR,汽車(chē)燈電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、控制器等
2020-10-14 15:18:58
溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道 】 100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10
kHz至600kHz范圍的固定頻率。就噪聲敏感應(yīng)用而言,該器件可以同步至同樣范圍的一個(gè)外部時(shí)鐘。其強(qiáng)大的內(nèi)置MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器為一個(gè)外部P溝道MOSFET供電,以實(shí)現(xiàn)高于90%的轉(zhuǎn)換效率。此外
2021-04-19 07:25:08
到低壓側(cè)的柵極MOSFET(LGATE)。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù),如果在初始啟動(dòng)期間,MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對(duì)最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
。另外,LTC4365 還針對(duì)負(fù) VIN連接提供了保護(hù)作用, 即使在 VOUT 由一個(gè)單獨(dú)的電源驅(qū)動(dòng)時(shí)也是如此。只要不超過(guò)外部 MOSFET 的擊穿電壓 (60V),那么 VIN 上的極性反接就不會(huì)
2018-10-29 16:59:59
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2:用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
封裝內(nèi)集成了3個(gè)獨(dú)立芯片: P溝道MOSFET(高側(cè))、N溝道MOSFET(低側(cè))和采用半橋配置的驅(qū)動(dòng)器IC(圖2)。這些模塊采用創(chuàng)新的芯片堆疊和芯片相鄰封裝技術(shù),適用于空調(diào)風(fēng)扇、安全帶系統(tǒng)和燃油泵等
2018-12-07 10:14:08
的無(wú)調(diào)節(jié)電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)廣泛的N通道功率mosfet,并配置為兩個(gè)高端驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器。A4940提供了所有必要的電路,以確保高壓側(cè)和低壓側(cè)外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51
——如50 v 級(jí)的 a4919和100 v 級(jí)的 a89500——提供了直接嵌入電路的負(fù)面瞬態(tài)保護(hù)。如下圖5所示,是一個(gè)圖表。相位連接暫態(tài)魯棒性和 Allegro 和其他供應(yīng)商門(mén)驅(qū)動(dòng)器的最大電源電壓
2022-04-14 14:43:07
。KF2030內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較器,一個(gè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器和一個(gè) 34mΩ的 N 溝道 MOSFET 組成。特點(diǎn):過(guò)電壓保護(hù)高達(dá) 36V 34mΩ 開(kāi)關(guān)阻抗 可預(yù)設(shè)的保護(hù)電壓點(diǎn) 可預(yù)設(shè)的反應(yīng)速度應(yīng)用:平板電腦 智慧型手機(jī) 行車(chē)記錄儀 移動(dòng)電源引腳封裝:
2018-10-25 18:05:09
產(chǎn)品概述:ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V至60V)提供0.5A電流的高效率輸出
2020-12-17 14:47:30
40V,60V MOSFET可大幅簡(jiǎn)化熱管理,從而節(jié)省成本。 一個(gè)典型的服務(wù)器電源的輸出電壓為12V,在100%輸出負(fù)載下,功率為600W至2400W,業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法是二次側(cè)采用同步整流器(即
2018-12-06 09:46:29
的一些功能也使其適用于給電池和超級(jí)電容器充電。LT3761 的4.5V至60V的輸入電壓范圍使該器件適用于多種應(yīng)用,包括汽車(chē)、工業(yè)和建筑照明。LT3761 采用一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET,可用一個(gè)
2012-12-12 17:01:33
DC2307A,演示電路2307A是一款采用LT1910ES8的高輸入電壓保護(hù)高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器。該演示板具有8V至48V的寬輸入電壓范圍,能夠保護(hù)電壓源免受短路影響。 LT1910具有50mV
2019-06-27 08:17:32
? 逐周期過(guò)流保護(hù)
? 4.5V 至 60V 寬輸入工作電壓范圍
? 輸出調(diào)節(jié)范圍為 0.81V 至 0.9xVIN
典型應(yīng)用
? 功率表
? 配電系統(tǒng)
? 電池充電器
? 用于線(xiàn)性穩(wěn)壓器的前置穩(wěn)壓器
? WLED 驅(qū)動(dòng)器
典型原理圖
2024-02-20 15:46:27
小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441423 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 ,簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7001,該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。
2017-07-07 15:00:372012 ,簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7004,該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運(yùn)行
2017-09-11 09:36:582795 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路:
2017-10-19 16:02:3723 LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無(wú)限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個(gè)低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:003638 欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET 過(guò)流、MOSFET 短路、柵極驅(qū)動(dòng)器故障和過(guò)熱情況提供內(nèi)部保護(hù)功能。故障狀況及故障詳情可通過(guò) SPI 器件型號(hào)的器件寄存器顯示在 nFAULT 引腳上?! ttps
2018-09-11 17:18:45367 150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211275 LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316 LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146 LTC3864:60V低智商降壓DC/DC控制器,具有100%占空比能力數(shù)據(jù)表
2021-05-15 14:42:002 NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:400 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45515
評(píng)論
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