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電子發(fā)燒友網(wǎng)>工業(yè)控制>伺服與控制>快速 60V 保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力

快速 60V 保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力

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P溝道N溝道MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用

MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓中的高側(cè)開(kāi)關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位的高側(cè)驅(qū)動(dòng)
2018-03-03 13:58:23

PL88101 SOT23-6 (寶礫微)60V/600mA單晶片降壓轉(zhuǎn)換 DC-DC應(yīng)用

PL88101產(chǎn)品介紹:PL88101是一款支持高達(dá)60V輸入電壓,最大可支持1.2A持續(xù)輸出電流的單晶片降壓轉(zhuǎn)換。PL88101集成80v耐壓/550 mΩ的高側(cè)MOSFET及 80V耐壓
2022-10-28 17:03:44

SL2N15場(chǎng)效應(yīng)管100V2A N溝道 SOT23-3L 功率MOS管

`深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管,替代AO系列。 可提供技術(shù)支持,DEMO測(cè)試及設(shè)計(jì)方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:20:57

SL3N10大功率貼片MOS管100V3A SOT23-3L封裝 N溝道

及方案解決,提供原裝正品芯片、提供技術(shù)支持、提供優(yōu)先貨源,保障客戶(hù)利益,為客戶(hù)提供全方面服務(wù)。我司還提供MOS管,支持樣品測(cè)試供應(yīng)【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V
2020-07-27 17:15:08

SL4421 P溝道MOS管替代AO4421 SOP-8封裝-60V -4.7A 40毫歐

:DC/DC升壓轉(zhuǎn)換IC、降壓轉(zhuǎn)換IC、恒流IC、恒壓IC及同步整流型轉(zhuǎn)換、LDO穩(wěn)壓IC、鋰電保護(hù)IC、充電管理IC、移動(dòng)電源IC/復(fù)位IC、背光驅(qū)動(dòng)芯片/MOS管供應(yīng)【100V MOS管 N
2020-06-06 11:08:41

SLD80N06T 80A/60V TO-252 N溝道 MOS

型號(hào):SLD80N06T電壓:60V 電流:80A封裝:TO-252種類(lèi):絕緣柵(MOSFET)SLD80N06T原裝,SLD80N06T庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)售后服務(wù):公司免費(fèi)提供樣品,并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持
2021-04-07 15:06:41

SLD60N02T 60A 20V MOS管

02TVDS:60AIDS :20V封裝:TO-252溝道N溝道SLD60N02T 原裝,SLD60N02T庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)售后服務(wù):公司免費(fèi)提供樣品,并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪:阿里 “供應(yīng)商 ”搜索
2020-10-22 15:48:45

VN7000AY高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器介紹

技術(shù)制造的單通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,并采用PowerSSO-36封裝。它旨在通過(guò)3V和5VCMOS兼容接口驅(qū)動(dòng)12V汽車(chē)接地負(fù)載,從而提供保護(hù)和診斷功能?! N7000AY集成了高級(jí)保護(hù)功能,例如負(fù)載電流
2020-06-30 16:58:08

Vishay SQ2361 汽車(chē)P 溝道 60V 功率 MOSFET

`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39

一個(gè)單微功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置保護(hù)

特征充分增強(qiáng)N溝道功率mosfet8μA IQ待機(jī)電流電流為85μA IQ無(wú)外部電荷泵電容器4.5V至18V電源范圍短路保護(hù)通過(guò)PTC熱敏電阻進(jìn)行熱關(guān)機(jī)狀態(tài)輸出指示停機(jī)提供8針SOIC應(yīng)用筆
2020-09-08 17:28:16

一文解析LMD18400四邊形高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器

60 VDC,80V瞬態(tài))短路負(fù)載(接地和電源)說(shuō)明保護(hù)LMD18400是一個(gè)完全受保護(hù)的四邊形高壓側(cè)。它包含四個(gè)公共漏極DMOS N-VCC>35V時(shí)的過(guò)電壓關(guān)機(jī)通道電源開(kāi)關(guān),每個(gè)都能將a?LS TTL/CMOS兼容邏輯輸入和連續(xù)1安培負(fù)載(>3安培瞬態(tài))切換到輸出公共正電源。開(kāi)關(guān)完全
2020-09-14 17:34:44

一種高達(dá)36V,電壓可調(diào)的過(guò)壓保護(hù)電路

`描述KF2030是一個(gè)低側(cè)過(guò)電壓保護(hù)(OVP)芯片,其僅有34mΩ開(kāi)關(guān)阻抗。它使用了一個(gè)低側(cè)保護(hù)拓?fù)浼軜?gòu),確保了非常低的導(dǎo)通阻抗和高壓保護(hù)能力。KF2030內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較,一個(gè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器
2017-08-25 12:02:32

三路1.8V至6V側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC1163

LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器可通過(guò)低至1.8V電源的廉價(jià)低RDS(ON)N通道開(kāi)關(guān)切換電源或接地參考負(fù)載
2020-04-17 10:09:17

什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器?如何計(jì)算MOSFET的功耗?

什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器?MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分?如何計(jì)算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

10)TO-252封裝, 內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車(chē)燈電源等型號(hào):HC012N06LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內(nèi)阻12mR,汽車(chē)燈電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、控制
2020-09-23 11:38:52

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

10)TO-252封裝, 內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車(chē)燈電源等型號(hào):HC012N06LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內(nèi)阻12mR,汽車(chē)燈電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、控制
2020-10-14 15:18:58

低開(kāi)啟40V 10A N溝道 MOS管原廠(chǎng)

溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10

低靜態(tài)電流降壓型控制LTC3824相關(guān)資料下載

kHz至600kHz范圍的固定頻率。就噪聲敏感應(yīng)用而言,該器件可以同步至同樣范圍的一個(gè)外部時(shí)鐘。其強(qiáng)大的內(nèi)置MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器為一個(gè)外部P溝道MOSFET供電,以實(shí)現(xiàn)高于90%的轉(zhuǎn)換效率。此外
2021-04-19 07:25:08

具有保護(hù)功能的ISL6594A/ISL6594B高頻MOSFET驅(qū)動(dòng)器

到低壓側(cè)的柵極MOSFET(LGATE)。轉(zhuǎn)換的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理提供一些保護(hù),如果在初始啟動(dòng)期間,MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-29 17:38:58

具有升壓穩(wěn)壓的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器

LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對(duì)最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05

如何為敏感電路提供過(guò)壓及電源反接保護(hù)

。另外,LTC4365 還針對(duì)負(fù) VIN連接提供保護(hù)作用, 即使在 VOUT 由一個(gè)單獨(dú)的電源驅(qū)動(dòng)時(shí)也是如此。只要不超過(guò)外部 MOSFET 的擊穿電壓 (60V),那么 VIN 上的極性反接就不會(huì)
2018-10-29 16:59:59

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之:P溝道N溝道MOSFET比較

溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2:用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10

環(huán)保快速堅(jiān)固耐用的NovalithIC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC

封裝內(nèi)集成了3個(gè)獨(dú)立芯片: P溝道MOSFET(高側(cè))、N溝道MOSFET(低側(cè))和采用半橋配置的驅(qū)動(dòng)器IC(圖2)。這些模塊采用創(chuàng)新的芯片堆疊和芯片相鄰封裝技術(shù),適用于空調(diào)風(fēng)扇、安全帶系統(tǒng)和燃油泵等
2018-12-07 10:14:08

用于外部N通道功率mosfet的全橋控制A4940

的無(wú)調(diào)節(jié)電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)廣泛的N通道功率mosfet,并配置為兩個(gè)高端驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器。A4940提供了所有必要的電路,以確保高壓側(cè)和低壓側(cè)外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器為什么能廣泛運(yùn)用

——如50 v 級(jí)的 a4919和100 v 級(jí)的 a89500——提供了直接嵌入電路的負(fù)面瞬態(tài)保護(hù)。如下圖5所示,是一個(gè)圖表。相位連接暫態(tài)魯棒性和 Allegro 和其他供應(yīng)商門(mén)驅(qū)動(dòng)器的最大電源電壓
2022-04-14 14:43:07

科發(fā)鑫 KF2030電壓檢查保護(hù)IC

。KF2030內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較,一個(gè)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器和一個(gè) 34mΩ的 N 溝道 MOSFET 組成。特點(diǎn):過(guò)電壓保護(hù)高達(dá) 36V 34mΩ 開(kāi)關(guān)阻抗 可預(yù)設(shè)的保護(hù)電壓點(diǎn) 可預(yù)設(shè)的反應(yīng)速度應(yīng)用:平板電腦 智慧型手機(jī) 行車(chē)記錄儀 移動(dòng)電源引腳封裝:
2018-10-25 18:05:09

耐壓60V,ZCC2459替代MP2459

產(chǎn)品概述:ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓。以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V60V提供0.5A電流的高效率輸出
2020-12-17 14:47:30

英飛凌40V60V MOSFET

40V,60V MOSFET可大幅簡(jiǎn)化熱管理,從而節(jié)省成本。 一個(gè)典型的服務(wù)電源的輸出電壓為12V,在100%輸出負(fù)載下,功率為600W至2400W,業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法是二次側(cè)采用同步整流(即
2018-12-06 09:46:29

調(diào)光比高達(dá)3000:1的60V大電流LED控制實(shí)現(xiàn)方案

的一些功能也使其適用于給電池和超級(jí)電容器充電。LT3761 的4.5V60V的輸入電壓范圍使該器件適用于多種應(yīng)用,包括汽車(chē)、工業(yè)和建筑照明。LT3761 采用一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET,可用一個(gè)
2012-12-12 17:01:33

采用LT1910ES8保護(hù)側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的DC2307A演示板

DC2307A,演示電路2307A是一款采用LT1910ES8的高輸入電壓保護(hù)側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器。該演示板具有8V至48V的寬輸入電壓范圍,能夠保護(hù)電壓源免受短路影響。 LT1910具有50mV
2019-06-27 08:17:32

降壓恒壓芯片 48V 60V 80V轉(zhuǎn)3.3V 5V 惠海H6601直接替代5864、2459和1466

? 逐周期過(guò)流保護(hù) ? 4.5V60V 寬輸入工作電壓范圍 ? 輸出調(diào)節(jié)范圍為 0.81V 至 0.9xVIN 典型應(yīng)用 ? 功率表 ? 配電系統(tǒng) ? 電池充電器 ? 用于線(xiàn)性穩(wěn)壓的前置穩(wěn)壓 ? WLED 驅(qū)動(dòng)器 典型原理圖
2024-02-20 15:46:27

小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET

小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET  日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441423

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力

,簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7001,該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。
2017-07-07 15:00:372012

快速60V高壓側(cè)N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供100%占空比能力

,簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7004,該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運(yùn)行
2017-09-11 09:36:582795

高壓mosfet驅(qū)動(dòng)器電路圖分享

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路:
2017-10-19 16:02:3723

快速、150V 保護(hù)、高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器

LTC7000 是一款快速、受保護(hù)高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無(wú)限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個(gè)低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:003638

基于DRV8320R的具有降壓穩(wěn)壓器的 60V 三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器

欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET 過(guò)流、MOSFET 短路、柵極驅(qū)動(dòng)器故障和過(guò)熱情況提供內(nèi)部保護(hù)功能。故障狀況及故障詳情可通過(guò) SPI 器件型號(hào)的器件寄存器顯示在 nFAULT 引腳上?! ttps
2018-09-11 17:18:45367

150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力

150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482

現(xiàn)貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211275

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146

LTC3864:60V低智商降壓DC/DC控制器,具有100%占空比能力數(shù)據(jù)表

LTC3864:60V低智商降壓DC/DC控制器,具有100%占空比能力數(shù)據(jù)表
2021-05-15 14:42:002

NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:400

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45515

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