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納米級(jí)電接觸電阻的測(cè)量解決方案

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虹科案例 如何通過(guò)智能、非接觸測(cè)量解決方案,提高起重機(jī)的安全和效率?

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基于接觸電阻的壓力傳感器陣列技術(shù)

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2023-01-09 11:03:35542

【芯明天納米級(jí)微運(yùn)動(dòng)】之【壓電納米定位臺(tái)】

壓電納米定位臺(tái)的命名由它的驅(qū)動(dòng)源及其功能相結(jié)合而來(lái)的?!皦弘姟敝傅氖撬尿?qū)動(dòng)源,即利用PZT壓電陶瓷來(lái)作為驅(qū)動(dòng)源產(chǎn)生運(yùn)動(dòng);而“納米定位”則是它的功能,它的移動(dòng)端面可以產(chǎn)生納米級(jí)精度的步進(jìn)運(yùn)動(dòng);“臺(tái)”則是它的外形形態(tài),類似一個(gè)平臺(tái)。
2022-11-01 15:24:32834

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2022-05-29 22:58:29429

納米聲學(xué)技術(shù)及其應(yīng)用

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納米級(jí)熔融石英毛細(xì)管

納米級(jí)熔融石英毛細(xì)管 上海連艦光電提供Polymicro Technologies納米級(jí)熔融石英毛細(xì)管,擁有良好的熱穩(wěn)定性和強(qiáng)大的抗腐蝕性,提供多種尺寸定制加工服務(wù),適用于毛細(xì)管氣相色譜
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佰迪科技引進(jìn)ndb LRM/DRM-10/40微歐表電阻測(cè)量

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2021-09-02 16:49:542098

壓電納米運(yùn)動(dòng)產(chǎn)品在籠式結(jié)構(gòu)光學(xué)系統(tǒng)中的應(yīng)用

近年來(lái),隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展與進(jìn)步,越來(lái)越多的研究領(lǐng)域?qū)ξ⒓{控制提出了更高的要求,壓電納米定位系統(tǒng)也實(shí)現(xiàn)了不斷的突破與創(chuàng)新。哈爾濱芯明天科技有限公司專注于納米級(jí)精密定位產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,為國(guó)內(nèi)外客戶提供精密定位技術(shù)解決方案及系列化產(chǎn)品,可實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)分辨率及納米級(jí)定位精度。
2021-08-30 11:37:212123

SK海力士:采用EUV技術(shù)的第四代10納米級(jí)DRAM已量產(chǎn)

近日,SK海力士在官網(wǎng)宣布,適用第四代10納米(1a)級(jí)工藝的 8Gigabit(Gb)LPDDR4 移動(dòng)端DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)產(chǎn)品已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)。 自從10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品開(kāi)始,半導(dǎo)體
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直流接觸器觸頭接觸電阻過(guò)大的原因是什么

直流接觸器觸頭接觸電阻擴(kuò)大一般會(huì)在觸頭上造成十分大的電流量,使負(fù)荷機(jī)械設(shè)備的輸入功率降低。倘若一兩個(gè)觸頭接觸電阻擴(kuò)大,還會(huì)繼續(xù)再次使負(fù)荷機(jī)械設(shè)備三相電壓不平衡,造成斷相運(yùn)行;觸頭接觸電阻過(guò)大,對(duì)電器本身也會(huì)造成過(guò)熱,使其可靠性降低。
2021-07-07 09:54:572581

LT1389:納米級(jí)精密并聯(lián)電壓參考數(shù)據(jù)表

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2021-05-20 18:27:064

什么是接觸電阻?如何測(cè)試接觸電阻?資料下載

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納米級(jí)設(shè)備的脈沖測(cè)試

納米技術(shù)研究與在分子水平上的物質(zhì),一個(gè)原子一個(gè)原子,建立具有根本性的新結(jié)構(gòu)特性。 特別是,納米電子領(lǐng)域正在迅速發(fā)展具有廣泛的潛在影響行業(yè)。 當(dāng)今的納米電子學(xué)研究包括利用碳納米管,半導(dǎo)體納米線,分子有機(jī)電子產(chǎn)品和單設(shè)備。
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接觸電阻是什么,接觸電阻過(guò)大的原因是什么

接觸電阻是什么意思 對(duì)導(dǎo)體間呈現(xiàn)的電阻稱為接觸電阻。 一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開(kāi)關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對(duì)接觸電阻的變化很敏感。 應(yīng)該指出, 開(kāi)關(guān)
2021-01-28 14:21:479896

電極接觸電阻測(cè)量_電極極化電壓的測(cè)量

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NIST發(fā)布新型納米級(jí)LED,可轉(zhuǎn)換成激光啟動(dòng)

NIST最新發(fā)布:小而明亮的納米級(jí)LED克服長(zhǎng)期存在的LED效率問(wèn)題的新設(shè)計(jì),并且可以轉(zhuǎn)換成激光啟動(dòng)
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微小電阻測(cè)量的基本原理及應(yīng)用解決方案

微小電阻測(cè)量廣泛應(yīng)用于預(yù)防性維護(hù)來(lái)檢查接地連續(xù)性、表面金屬情況、開(kāi)關(guān)和繼電器的接觸電阻、電纜和繞組的電阻,來(lái)評(píng)估電機(jī)和變壓器的溫度情況。比如說(shuō),用來(lái)檢測(cè)金屬連接處。其涉及廣泛的領(lǐng)域,包括汽車行業(yè)、電信、交通、電動(dòng)機(jī)和變壓器的制造商等,以及在這些領(lǐng)域從事維修和養(yǎng)護(hù)的公司。
2020-02-24 08:04:005910

影響接觸電阻大小的因素有哪些

接觸壓力對(duì)接觸電阻的影響很大,若只靠加大接觸面積的尺寸而無(wú)足夠的接觸壓力,對(duì)于減小基礎(chǔ)電阻是無(wú)法有滿意效果的。接觸壓力的增加實(shí)際上是增加接觸點(diǎn)的有效接觸面積,同時(shí)可以最大限度地抑制表面膜對(duì)接觸電阻的影響。
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接觸電阻過(guò)大預(yù)防措施

在電源線與電氣設(shè)備或?qū)Ь€的連接處,電源線與開(kāi)關(guān)、保護(hù)裝置和較大用電設(shè)備連接的地方要進(jìn)行電氣連接,由于接觸不良,使接觸部位的局部電阻過(guò)大,叫做接觸電阻過(guò)大。
2019-12-12 16:24:145564

連接器退化機(jī)理:腐蝕對(duì)接觸電阻的影響

此篇我們將重點(diǎn)討論在貴金屬接觸系統(tǒng)中腐蝕對(duì)接觸電阻的影響,特別是鍍金界面。關(guān)鍵討論鍍金層下鎳底層的重要性及其對(duì)提高鍍金連接器性能的好處。
2019-09-28 07:52:001951

接觸電阻怎么測(cè)_接觸電阻影響因素

本文首先介紹了接觸電阻作用原理,其次介紹了接觸電阻測(cè)量方法,最后介紹了接觸電阻影響因素。
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接觸電阻是什么意思_接觸電阻過(guò)大的原因

本文首先介紹了接觸電阻的概念,其次介紹了接觸電阻過(guò)大的原因,最后闡述了接觸電阻過(guò)大預(yù)防措施。
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史上最輕的納米級(jí)無(wú)人機(jī)出爐 僅重27克

還記得《黑鏡》中的殺人蜂嗎?蜜蜂大小、威力巨大。本以為這種微型無(wú)人機(jī)離我們很遠(yuǎn),而現(xiàn)在出現(xiàn)了納米級(jí)無(wú)人機(jī),僅重27g,CNN提供自主導(dǎo)航。研究人員將其開(kāi)源,希望可以作出皮米級(jí)的飛行機(jī)器人。
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美國(guó)開(kāi)發(fā)出一種新型的納米級(jí)可調(diào)諧紅外光學(xué)參量放大器

與傳統(tǒng)的光學(xué)參量放大器(OPAs)相比,美國(guó)萊斯大學(xué)納米光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室研究人員創(chuàng)建了一種新型OPA,比紅細(xì)胞還要小15倍。該納米級(jí)OPA可在不同頻率范圍內(nèi)調(diào)諧,包括部分紅外頻段。
2018-09-28 16:19:00608

關(guān)于納米級(jí)電源解決方案介紹

TI能量收集方案:真正高效的納米級(jí)電源解決方案
2018-08-06 01:11:002798

長(zhǎng)期的研究目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)低于50W-mm的金屬-石墨烯接觸電阻,以實(shí)現(xiàn)高頻晶體管

大多數(shù)以前的研究人員都是嘗試通過(guò)提高載流子密度來(lái)獲得低接觸電阻的。在狄拉克點(diǎn)具有低接觸電阻的GFET有許多優(yōu)點(diǎn)。某些物理現(xiàn)象在狄拉克點(diǎn)附近有效,這使得輸入/輸出信號(hào)匹配成為可能,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)多級(jí)電路中不同晶體管級(jí)的級(jí)聯(lián)。
2018-07-09 16:20:024556

Udacity公司將推出深度學(xué)習(xí)納米級(jí)基礎(chǔ)課程

為了補(bǔ)充Udacity公司之前的人工智能課程,在線教育創(chuàng)業(yè)公司與YouTube上的明星Siraj Raval展開(kāi)了合作,向共同授課的Udacity公司的Mat Leonard提供了一個(gè)新的深度學(xué)習(xí)納米級(jí)基礎(chǔ)課程。
2018-05-17 01:34:00797

回路電阻測(cè)試儀怎么用_回路電阻測(cè)試儀使用說(shuō)明

回路電阻測(cè)試儀(Loop Resistance Tester)又稱接觸電阻測(cè)試儀,是用于開(kāi)關(guān)控制設(shè)備的接觸電阻、回路電阻測(cè)量的專用儀器。
2018-03-11 10:37:1916065

三星開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道,三星電子今天宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:415908

淺談CP項(xiàng)目中的接觸電阻測(cè)試技術(shù)

接觸電阻的形式可分為三類:點(diǎn)接觸、線接觸和面接觸。接觸形式對(duì)收縮電阻Rs的影響主要表現(xiàn)在接觸點(diǎn)的數(shù)目上。一般情況下,面接觸接觸點(diǎn)數(shù)n最大而Rs最小;點(diǎn)接觸則n最小,Rs最大;線接觸則介于兩者之間。
2017-10-26 15:40:353651

什么是接觸電阻?接觸電阻的特性及其工作原理,晶閘管為什么兩端要對(duì)接電阻電容?

 考慮到接觸件膜層在高接觸壓力下會(huì)發(fā)生機(jī)械擊穿或在高電壓、大電流下會(huì)發(fā)生電擊穿。對(duì)某些小體積的連接器設(shè)計(jì)的接觸壓力相當(dāng)小,使用場(chǎng)合僅為mV或mA級(jí),膜層電阻不易被擊穿,可能影響電信號(hào)的傳輸。故國(guó)軍標(biāo)GJB1217-91連接器試驗(yàn)方法中規(guī)定了兩種試驗(yàn)方法。即低電平接觸電阻試驗(yàn)方法和接觸電阻試驗(yàn)方法。
2017-06-09 10:30:384313

淺析鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)鑄鋁轉(zhuǎn)子接觸電阻及增大措施

淺析鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)鑄鋁轉(zhuǎn)子接觸電阻及增大措施_劉剛
2017-01-01 15:44:290

Cadence首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證

Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證
2012-09-10 09:53:241367

納米級(jí)工藝對(duì)物理設(shè)計(jì)的影響

隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步,超大規(guī)模集成電路(VLSI)的特征尺寸已經(jīng)步入納米范圍。納米級(jí)工藝存在著很多不同于以往微米、亞微米工藝的特點(diǎn),因此為制造和設(shè)計(jì)都帶來(lái)了很多難題,諸
2011-05-28 16:36:2739

一種跟蹤接觸電阻變化趨勢(shì)的測(cè)量裝置

應(yīng)用智能型多功能數(shù)/模和模/數(shù)轉(zhuǎn)換單元、電壓跟隨單元、取樣單元以及可調(diào)電壓信號(hào)放大單元,通過(guò)USB接口與計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)交換并配合編程軟件,實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)跟蹤接觸電阻隨電流增大
2010-07-01 18:23:0322

高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器

高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器 SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片,用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021024

新型納米級(jí)接觸電阻測(cè)量技術(shù)

新型納米級(jí)接觸電阻測(cè)量技術(shù) 納米級(jí)電氣特性    研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是,必
2010-04-23 15:18:021361

接觸電阻原理及組成

接觸對(duì)”導(dǎo)體件呈現(xiàn)的電阻成為接觸電阻。  一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開(kāi)關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對(duì)接觸電阻的變化很敏感。 應(yīng)該指出, 開(kāi)關(guān)的
2010-04-16 09:55:193460

三星電子推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片

三星電子推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片       據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道,世界著名存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級(jí)32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記
2010-04-07 12:36:05565

三相接觸電

三相接觸電
2009-02-15 14:17:34836

用電設(shè)備接觸電流檢測(cè)電路

用電設(shè)備接觸電流檢測(cè)電路
2009-02-10 09:10:02741

納米級(jí)工藝對(duì)微處理器設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

摘要:隨著集成電路制造技術(shù)進(jìn)入納米級(jí),國(guó)際上高性能通用CPU 的發(fā)展正面臨技術(shù)轉(zhuǎn)型期。性能功耗比繼性能價(jià)格比之后正在成為計(jì)算機(jī)的主要設(shè)計(jì)指標(biāo),主頻至上的計(jì)算機(jī)處理
2008-11-14 15:35:3528

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