實驗 半導體應變計性能
實驗原理：
半導體應變計主要是根據硅半導體材料的壓阻效應制成，當半導體晶體受到作用力時，晶體除產生應變外，電阻率也會發生變化。
與金屬應變片相比，半導體應變計靈敏系數很高，可達100~200，但是在穩定性及重復性方面都不如金屬箔式片。實際使用時都是采用全橋工作形式以達到相對穩定。
實驗所需部件：
貼于雙平行懸臂梁上的半導體應變計（一片）、直流穩壓電源（2V）、應變式傳感器實驗模塊、電壓表、應變加熱器

實驗步驟：
1、按圖（4）將半導體應變計接入差動放大器、電橋、電壓表、注意直流激勵輸出電壓為2V，以免因為電壓過高引起半導體應變計自熱。

2、連接主機與模塊的電源并開啟，調節電橋WD電位器，使系統輸出為零，此時差動放大器增益可置最大電壓表可先置20V 檔。
3、用手提、壓平行懸臂梁上下各約5mm ,觀察電路輸出電壓變化范圍、應變梁彈性恢復及重復性情況。
4、打開“應變加熱”開關，觀察半導體單臂電橋的溫飄情況。（此時電壓表應放20V 檔）
注意事項：
由于半導體應變計非常靈敏，當環境溫度有微小變化時都會引起電橋不平衡，電路輸出電壓變化。隨著加熱溫度的改變，半導體單臂電橋系統輸出電壓要有一個相當長的時間才能基本穩定。