寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（Si）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:34
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3月15日，在深圳福田會展中心的論壇上，中國第三代半導體產業技術創新聯盟秘書長趙靜分享2022年全球半導體產業發展趨勢和中國第三代半導體的最新市場規模和應用進展。
2023-03-17 08:33:275138 
隨著科技的不斷進步，新的半導體材料正在為整個電子行業帶來深刻的變革。在這場技術革命的前沿，第三代半導體材料嶄露頭角。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體在高溫、高壓、高頻等應用環境中展現出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071583 
5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導體，三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導體發展，臺積電、世界等臺廠均已卡位，三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導體布局
2021-05-10 16:00:572569 、載帶成型機、檢測設備、恒溫恒濕試驗箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進電機、閥門、探針臺、潔凈室設備、水處理等第三代半導體專區第三代半導體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、晶圓、襯底、封裝、測試
2021-12-07 11:04:24
化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
請教下以前的[半導體技術天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
器件產業鏈重點公司及產品進展：歐美出于對我國技術發展速度的擔憂及遏制我國新材料技術的發展想法，在第三代半導體材料方面，對我國進行幾乎全面技術封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國科研機構和企業單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個世紀六七十年代，III-V族半導體的發展開辟了光電和微波應用，與第一代半導體一起，將人類推進了信息時代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料的出現，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術。相對于第一代模擬制式手機（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數字手機（２Ｇ）來說，第三代手機是指將無線通信與國際互聯網等
2019-07-01 07:19:52
。帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機技術與陣列式區別： 亮度：第三代陣列式將發光二極管按照陣列式排在一起，通過一個透鏡來進行光傳遞，是通過將幾十個高效率和高功率的晶元通過高科技封裝在一個平面上，由多顆
2011-02-19 09:35:33
不超過20W。對于環保節能更符合我國相關的環保節能政策，提倡低碳經濟生活。散熱性能：帕特羅（PATRO）第三代紅外技術可以應用球機，槍機等各類型監控攝像機，外型結構設計合理，而激光紅外在球機應用方面
2011-02-19 09:38:46
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區人民***主辦，國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業
2018-11-05 09:51:35
LED:節能環保的第三代照明技術1、半導體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠自 20 世紀 60 年代世界第一個半導體發光二極管誕生以來，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
據業內權威人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，...
2021-07-27 07:58:41
％。[color=rgb(51, 51, 51) !important]目前，氮化鎵已經擁有了足夠廣闊的應用空間。作為第三代半導體新技術，也是全球各國爭相角逐的市場，并且市面上已經形成了多股氮化鎵代表勢力
2019-07-08 04:20:32
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
整個庫存，在GEM-T計劃中采用這些發射器能夠將修復成本降低36％。目前，氮化鎵已經擁有了足夠廣闊的應用空間。作為第三代半導體新技術，也是全球各國爭相角逐的市場，并且市面上已經形成了多股氮化鎵代表勢力
2019-07-05 04:20:06
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
淺析第三代移動通信功率控制技術
2021-06-07 07:07:17
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規模持續擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
。 （三）IC 制造與封裝 封裝設計、測試、設備與應用、制造與封測、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板、半導體材料與設備等。 （四）第三代半導體 第三代半導體器件、功率器件、砷化鎵、磷化鎵、金剛石
2021-11-17 14:05:09
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
發展和第三代材料技術發展的主要趨勢，擁有廣闊的應用前景。 第三代半導體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)、碳化硅(Silicon Carbide， SiC)、氧化鋅(Zinc
2017-02-07 01:08:07741 第三代半導體材料主要包括氮化鎵（Gallium Nitride，GaN）、碳化硅（Silicon Carbide， SiC）、氧化鋅（Zinc Oxide， ZnO）、氮化鋁（Aluminum
2017-11-10 11:35:57
1 第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。預測2018年是第三代半導體產業化準備的關鍵期，第三代半導體設備行業將迎來景氣拐點。到2025年，第三代半導體器件將大規模的使用。
2017-12-19 11:56:163226 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、基本半導體和南方科技大學等單位發起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:003685 11月13日，聚力成半導體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區舉行，該項目以研發、生產全球半導體領域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項擬投資50億元的高科技芯片項目，有望突破我國第三代半導體器件在關鍵材料和制作技術方面的瓶頸，形成自主制造能力。
2018-11-15 16:08:1711109 本文首先介紹了第三代半導體的材料特性，其次介紹了第三代半導體材料性能應用及優勢，最后分析了了我國第三代半導體材料發展面臨著的機遇挑戰。
2018-05-30 12:37:3334365 
本文首先分別對第一代半導體材料、第二代半導體材料和第三代半導體材料進行了概述，其次介紹了第三代半導體材料應用領域及我國第三代半導體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17143246 繼5G、新基建后，第三代半導體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關外，更重要是有證券研報指出，第三代半導體有望納入重要規劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業人士提醒，有個人投資者
2020-09-21 11:57:553813 耐威科技發力第三代半導體材料，其氮化鎵材料項目宣布簽約青島。
2018-07-10 11:13:4611881 近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導體器件制備及評價技術”項目驗收會。通過項目的實施，我國在第三代半導體關鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140 
第三代半導體，又稱寬禁帶半導體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 當前第三代半導體產業的應用市場呈現高速增長的態勢，國際競爭也十分激烈，美國、歐洲、日本等發達國家都在積極進行戰略部署，通過建立創新中心、聯合研發等方式，將產學研及政府部門聯合起來協同組織和投入，加快
2019-08-01 17:44:213642 近幾年，國內不少地區都紛紛建設第三代半導體生產線，種種跡象表明，第三代半導體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對整個產業帶來哪些影響？國內發展第三代半導體應注意什么問題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328668 “萬畝千億”平臺添新引擎。3月20日上午，第三代半導體產業技術研究院簽約落戶嘉興科技城，為順利推進氮化鎵射頻及功率器件產業化項目，促進第三代半導體產業在嘉興科技城集聚發展。
2020-03-21 10:13:042866 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導體的產業園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時代而生，目前的大部分通信設備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導體材料，是未來5G時代的標配
2020-09-04 19:07:147243 
7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區舉行。 當前，第三代半導體材料及器件已成為全球半導體材料產業的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 ，資本市場聞風而動，第三代半導體概念股集體大漲。 國家重要政策大力支持第三代半導體行業，半導體板將迎來重大利好。LED產業鏈包括華燦光電、乾照光電、三安光電等都在積極布局第三代半導體。
2020-09-15 14:03:292416 周二盤中，第三代半導體板塊沖高，截至發稿，聚燦光電拉升封板，派瑞股份大漲近15%，乾照光電、易事特、臺基股份等個股紛紛走高。 粵開證券研報指出，第三代半導體是十四五重要發展方向，據國家新材料產業發展
2020-11-03 15:58:30743 圖爺說 近期，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體概念異軍突起，在上周五大盤低迷的情況下依然創下較好的市場表現。人們的關注點也開始聚焦在半導體身上。 很多人可能人云亦云，跟風購買了半導體股票
2020-09-26 11:04:023798 什么是第三代半導體？ 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體
2020-09-28 09:52:203299 
從上面的數據可以看出，在第一代半導體面前，第三代半導體的產值非常的小。國外發展第三代半導體不是因為生意有多么的大，是因為國防和科技信息技術的發展需要用到第三代半導體。同時，這是一個增量市場，也是企業可以尋求的增長空間。
2020-09-29 14:16:004865 聞風而動，第三代半導體概念股集體大漲。 國家重要政策大力支持第三代半導體行業，半導體板將迎來重大利好。LED產業鏈包括華燦光電、乾照光電、三安光電等都在積極布局第三代半導體。 全球風口之上的產業 據了解，第三代半導體以氮化鎵
2020-10-13 15:47:503360 2020年，新基建產業站在了風口上。在以5G、物聯網、工業互聯網等為代表的新基建主要領域中，第三代半導體承擔著重要角色。 有消息稱，第三代半導體產業將寫入十四五規劃之中，計劃2021年至2025
2020-10-27 10:36:302890 呢？為什么說第三代半導體有望成為國產替代希望？ 第三代半導體也被稱為寬帶隙半導體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業互聯網等多個新基建產業的重要材料，同時也是
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半導體？ 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什么區別？ 一、材料 第一代半導體材料，發
2020-11-04 15:12:374305 實現產業獨立自主。 什么是第三代半導體？ 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什么區別？ 一、材料 第一代半
2020-11-05 09:25:4933332 些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術目前來看相對較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來市場布局的重點。下面查IC網小編帶大家一起看一看瑞能半導體沈鑫在全球CEO峰會發表的關于第三代半導體的主題演講。
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優勢被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 第三代半導體產業化之路已經走了好多年，受困于技術和成本等因素，市場一直不溫不火。 但今年的市場形勢明顯不同，各大半導體元器件企業紛紛加大了新產品的推廣力度，第三代半導體也開始頻繁出現在各地園區
2020-12-08 17:28:0312551 最近，“我國將把發展第三代半導體產業寫入‘十四五’規劃”引爆全網。什么是第三代半導體？發展第三代半導體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 日前，阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發。第三代半導體與前兩代有什么不同？為何這兩年會成為爆發的節點？第三代半導體之后
2021-01-07 14:19:483427 半導體的觸角已延伸至數據中心、新能源汽車等多個關鍵領域，整個行業漸入佳境，未來可期。 第三代半導體可提升能源轉換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優勢，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
新產品，在新的賽道上邁出了堅實的步伐。 01 新賽道 開新局 第三代半導體是國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃的重要發展方向。與傳統的硅基半導體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體除了具備較大的禁帶寬度之外，還具有高導熱
2021-04-22 11:47:102719 第三代半導體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。
2021-10-11 14:35:321551 
近年來，國家和各地方政府陸續推出相關政策推動第三代半導體相關產業發展：2017年，工信部、國家發改委發布的《信息產業發展指南》將“第三代化合物半導體”列為集成電路產業的發展重點；而科技部也已將第三代
2022-08-02 08:57:381568 如何化解第三代半導體的應用痛點 在集成電路和分立器件領域，硅始終是應用最廣泛、技術最成熟的半導體材料，但硅材料技術的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導體產業進一步深入對新材料、新工藝
2022-08-02 15:12:291447 
近年來，「第三代半導體」這個名詞頻頻進入我們的視野。尤其近年來「第三代半導體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應用中的爆發式增長，使得其越來越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501264 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業鏈已經初步形成，相關器件快速發展。第三代半導體氮化鎵產業范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。
2023-02-07 09:36:56980 
第三代半導體材料有哪些 第三代半導體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導體材料的三項重要參數看，第三代半導體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標上均有著優異的表現
2023-02-07 14:06:164203 第三代半導體是一種新型的半導體材料，它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件，從而提高電子設備的性能。
2023-02-16 15:29:259966 、射頻應用中的顯著
性能優勢，第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 領域的性能方面表現不佳，但還有性價
比助其占據市場。第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP）為代表，主要應用領域為光電子、微電
子、微波功率器件等。第三代半導體以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金
2023-02-27 15:20:113 近年來，國家和各地方政府陸續推出相關政策推動第三代半導體相關產業發展：2017年，工信部、國家發改委發布的《信息產業發展指南》將“第三代化合物半導體”列為 集成電路 產業的發展重點；而科技部也已將
2023-02-27 15:21:454 日前，在南京世界半導體大會暨第三代半導體產業發展高峰論壇上，國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員、第三代半
導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲透露：國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃都已經明確，第三代半導體是重要發展方
向，現在到了動議討論實施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005 、射頻應用中的顯著
性能優勢，第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 隨著高壓、高頻及高溫領域應用的逐漸提高，第三代半導體技術高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。 第三代半導體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等，其中氮化鎵、碳化硅為主要代表。在禁帶寬
2023-03-09 14:56:53497 
又以碳化硅和氮化鎵材料技術的發展最為成熟。與第一代、第二代半導體材料相比，第三代半導體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴苛環境下，依然能夠保證性能穩定。
2023-05-18 10:57:361018 伴隨著物聯網、新能源和人工智能的發展，對半導體器件的需求日益增長，對相關器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛，于是第三代半導體市場應運而生。近年國內的第三代半導體產業發展如火如荼，同時對高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43700 
第三代半導體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271934 
已廣泛應用于PD快充、電動汽車、光伏儲能、數據中心以及充電樁等領域的第三代半導材料，近年來越來越受到半導體各行業的關注。目前，領先器件供應商在第三代半導體領域做了什么?有什么技術難點?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 5G、快充、UVC，第三代半導體潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半導體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12664 
。 海內外第三代半導體及相關領域的知名專家學者、企業領導、投資機構代表參與大會。中科院、北京大學、香港科技大學、英諾賽科、三安光電等科研院所、企業代表圍繞第三代半導體技術、應用，深入探討交流最新技術進展與發展趨勢，分享前沿研究成果。 是德
2023-12-13 16:15:03244 
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