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電子發燒友網>LEDs>LED的失效機理分析

LED的失效機理分析

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2023-03-16 14:53:571

MOSFET的失效機理

MOSFET等開關器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準確了解產品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理
2023-03-20 09:31:07640

半導體集成電路失效分析原理及常見失效分析方法介紹!

失效分析(FA)是一門發展中的新興學科,近年開始從軍工向普通企業普及。它一般根據失效模式和現象,通過分析和驗證,模擬重現失效的現象,找出失效的原因,挖掘出失效機理的活動。在提高產品質量,技術開發
2023-04-18 09:11:211363

壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機理

失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041120

TVS二極管失效機理失效分析

。 通過對TVS篩選和使用短路失效樣品進行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征.結合器件結構、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應力等。采用理論分析和試驗證明等方法分析導致7rvS器件短路失效的原因。
2023-05-12 17:25:483683

集成電路封裝失效分析流程

為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據或因不當順序引人新的人為的失效機理,封裝失效分析應按一定的流程進行。
2023-06-25 09:02:30315

集成電路封裝失效機理

集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關的,導致失效發生的電學、溫度、機械、氣候環境和輻射等各類應力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:26722

半導體器件鍵合失效模式及機理分析

本文通過對典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當,以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數以及封裝環境因素影響的分析,以及對各種失效模式總結,闡述了鍵合工藝不當及封裝不良,造成鍵合本質失效機理;并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15932

PCB熔錫不良現象背后的失效機理

PCB熔錫不良現象背后的失效機理
2023-08-04 09:50:01546

肖特基二極管失效機理

肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關元件,在電子設備中得到了廣泛的應用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08973

保護器件過電應力失效機理失效現象淺析

保護器件過電應力失效機理失效現象淺析
2023-12-14 17:06:45267

IGBT的失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術現狀未來展望

壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎,尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724

LED燈帶失效分析

1、案例背景 LED燈帶在使用一段時間后出現不良失效,初步判斷失效原因為銅腐蝕。據此情況,對失效樣品進行外觀觀察、X-RAY分析、切片分析等一系列檢測手段,明確失效原因。 2、分析過程 2.1 外觀
2023-12-11 10:09:07188

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