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電子發燒友網>LEDs>Veeco與ALLOS共同展示200mm硅基氮化鎵外延片產品

Veeco與ALLOS共同展示200mm硅基氮化鎵外延片產品

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氮化技術推動電源管理不斷革新

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氮化激光器的技術難點和發展過程

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2020-11-27 16:32:53

氮化的卓越表現:推動主流射頻應用實現規模化、供應安全和快速應對能力

射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,氮化(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42

氮化能否實現高能效、高頻電源的設計?

GaN如何實現快速開關?氮化能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未來會取代芯片嗎?

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氮化與LDMOS相比有什么優勢?

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氮化在大功率LED的研發及產業化

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GaN產品引領行業趨勢

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CGHV96100F2氮化(GaN)高電子遷移率晶體管

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2020-12-03 11:49:15

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術分會在深圳召開

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2018-11-05 09:51:35

MACOM展示“射頻能量工具包”:將高性能、高成本效益的氮化射頻系統用于商業應用

,可幫助系統設計人員簡化和加快產品開發,使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平,從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其氮化功率晶體管的優勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結合
2017-08-03 10:11:14

MACOM和意法半導體將氮化推入主流射頻市場和應用

電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供氮化射頻率產品預計氮化具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38

MACOM射頻功率產品概覽

在射頻領域采用氮化(GaN on Si)技術的供應商。我們采用氮化(GaN Si)技術以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的連續波(CW)射頻功率晶體管產品,支持頻率從DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32

MACOM:氮化器件成本優勢

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2017-09-04 15:02:41

MACOM:GaN在無線基站中的應用

失真(DPD)來修正,但實踐表明,碳化硅氮化器件實現DPD優化相當困難。碳化硅中的電荷捕獲效應被認為是由于其結構中的晶格 缺陷所致,最終導致功率放大器的線性化困難MACOM氮化的功率密度是裸
2017-08-30 10:51:37

MACOM:適用于5G的半導體材料氮化(GaN)

氮化技術。2017 電子設計創新大會展臺現場演示在2017年的電子設計創新大會上,MACOM上海無線產品中心設計經理劉鑫表示,襯底有一些優勢,材料便宜,散熱系數好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20

SGN2729-250H-R氮化晶體管

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SGN2729-600H-R氮化晶體管

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STTS751溫度傳感器是否可以測量200mm到5mm變化距離的液體溫度呢?

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【技術干貨】氮化IC如何改變電動汽車市場

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為什么氮化(GaN)很重要?

的設計和集成度,已經被證明可以成為充當下一代功率半導體,其碳足跡比傳統的器件要低10倍。據估計,如果全球采用芯片器件的數據中心,都升級為使用氮化功率芯片器件,那全球的數據中心將減少30-40
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為什么氮化更好?

氮化(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4ev,是的 3 倍多,所以說氮化擁有寬禁帶特性(WBG)。 的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16

為什么使用氮化

TI始終引領著提倡開發和實施全面性方法,確保在嚴苛操作環境下,GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此,我們用傳統的方法制作GaN的,從而利用的內在特性。
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為何物聯網芯片安徽青睞200mm大時代晶圓的原因揭露怎么樣

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為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應用呢?

運行時的電性能和效率要比傳統的材料高得多。對于已被實際使用的碳化硅半導體和氮化半導體來說,其耐受電壓(高于標稱電壓,用于保持可靠性的基礎電壓)的需求是不同的。例如,碳化硅耐電壓大于或等于1000
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什么是氮化技術

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什么是氮化(GaN)?

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2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

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關于LED外延生長

我想了解關于LED關于外延生長的結構,謝謝
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如何學習氮化電源設計從入門到精通?

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如何實現氮化的可靠運行

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如何用集成驅動器優化氮化性能

導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化 (GaN) 晶體管的開關速度比MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
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實現更小、更輕、更平穩的電機驅動器的氮化器件

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將低壓氮化應用在了手機內部電路

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展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級協議45W69W87W成熟方案保駕護航

已經非常明朗。而除了熟知的手機廠商之外,各大電商品牌推出的氮化快充產品更是琳瑯滿目,極大豐富了產品的品類,為消費者帶來更多選擇,同時也對推動氮化快充的發展,起到了重要的作用。今天這篇文章就為大家盤點
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想要實現高效氮化設計有哪些步驟?

  第 1 步 – 柵極驅動選擇  驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅動(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。  驅動氮化E-HEMT不會消除任何
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有關氮化半導體的常見錯誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年,第一款增強型氮化晶體管普遍可用,旨在取代功率MOSFET。之后隨即推出氮化功率集成電路- 將GaN FET、氮化驅動電路和電路保護集成為單個器件
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畫等長線的時候,兩根線的差距差了200MM,并且線的密集程度較大,怎么處理?另外 AD中的xSignals怎么用的,有啥用
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2023-06-19 11:10:07

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2021-06-16 08:03:56

誰發明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片發展的關鍵人物。 首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領導研發工作。他在、碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化器件

的獨特性意味著,幾乎所有這些材料都不能用作半導體。不過,透明導電氧化物氧化(Ga2O3)是一個特例。這種晶體的帶隙近5電子伏特,如果說氮化(3.4eV)與它的差距為1英里,那么(1.1eV)與它的差距
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砷紅外探測器外延

各位大神,目前國內賣銦砷紅外探測器的有不少,知道銦砷等III-V族化合物外延都是哪些公司生產的嗎,坐等答案
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銳潔亮相“世界機器人博覽會”發布200mm減薄晶圓倒機系統新品

`2015年11月23-25日,銳潔機器人受邀出席由中國科學技術協會與工業和信息化部以及北京市人民***共同主辦的2015世界機器人博覽會,并在國家會議中心“北京智能機器人展區”隆重舉行200mm
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高壓氮化的未來分析

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產品分類: UVLED面光源XM200-200系列UVLED面光源固化機 發光面積:200mm*200mm(可定制) 波長:365nm~405nm(可定制) 散熱方式: 高效風冷 控制方式:手動控制
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200mm設備市場上的應用

200mm的爆炸式需求,掀起了對于二手半導體制造設備的瘋狂需求,這些設備能在較老的工藝節點使用。目前問題是沒有足夠的二手設備可用,并不是所有的新的或擴大的200mm fab廠都能承擔得起翻新或新設備的開支。
2017-09-11 11:23:394

物聯網芯片生產線200mm為佳建設以國產設備為主的200mm生產線很重要

1.物聯網時代200mm生產線是熱點; 2.200mm生產線需關注維護成本; 3.建一條以國產設備為主的200mm生產線
2017-09-23 09:24:001811

IEMN 結果顯示ALLOS新型硅基氮化外延產品具有超過1400V的擊穿電壓

法國阿斯克新城和德國德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術研究院 (IEMN) 的最新結果顯示,ALLOS 即將推出的適用于 1200 V 器件的硅基氮化外延產品具有超過 1400 V 的縱向和橫向擊穿電壓。
2018-02-26 10:17:425666

中芯寧波廠200mm特種工藝N1產線正式投產

11月2日,中芯集成電路(寧波)有限公司歷經七個月的建設,200mm特種工藝(晶圓/芯片)N1產線將迎來正式投產的重要時刻,同時,中芯寧波N2項目、南大光電與安集微電子等三個項目也正式動工。
2018-11-07 10:30:105163

VeecoALLOS展示Micro LED突破的合作成果

Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果,致力于為Micro LED生產應用提供業內領先的硅基氮化外延產品技術。
2018-11-13 17:02:593480

Veeco攜手ALLOS研發硅基氮化外延產品技術

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果,雙方共同努力,致力于為Micro LED生產應用提供業內領先的硅基氮化外延產品技術。
2018-11-15 14:53:493397

ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化外延片解決晶片尺寸不匹配問題

近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰,ALLOS 應用其獨特的應變工程技術,展示200 mm 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重復性。此外,公司還報告了其 300 mm 外延片的成功發展藍圖。
2020-04-08 16:53:123930

ALLOS與KAUST即將共同研發高效硅基InGaN紅色Micro LED

據報道,德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(KAUST)研究團隊達成合作,雙方將共同研發高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48576

200mm晶圓價格大漲價,中芯國際大賺一筆

8英寸200mm晶圓相比于12英寸300mm晶圓雖然看起來“落后”很多,但仍有廣泛的市場應用,產能在近來也是越發緊張。
2020-11-27 09:49:251717

硅基氮化外延片將 microLED 應用于硅產業領域

近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰,ALLOS 應用其獨特的應變工程技術,展示200 mm 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重復性
2020-12-24 10:20:301340

芯片缺貨問題新爭論: 200mm 晶圓的投資不足

過去幾個月來一直存在的備受關注的問題就是許多新款電子產品很難買到。這涉及到很多相關因素,例如 COVID-19、經濟環境、良率問題等,但對于導致如此普遍的芯片缺貨問題有一個新的爭論:對 200mm
2020-12-24 10:26:221963

解決全球芯片短缺的關鍵是增加200mm晶圓產能嗎?

全球芯片短缺主要表現在成熟晶圓工藝生產的器件,包括電源管理、MCU、RF器件、傳感器和各種分立器件等。全球200mm晶圓廠數量有限和產能不足是導致芯片短缺的一個主要原因。本文作者(顧正書
2021-06-17 17:50:152798

氮化外延片工藝介紹 氮化外延片的應用

氮化外延片生長工藝較為復雜,多采用兩步生長法,需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度,以防止氮化外延片因晶格失配或應力而產生翹曲,為目前全球氮化外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345

硅基氮化外延片是什么 硅基氮化外延片工藝

氮化外延片指采用外延方法,使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來,在國家政策支持下,我國氮化外延片行業規模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:353012

氮化外延片是什么 氮化鎵有哪些分類

氮化外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化外延片具有良好的熱穩定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和組件,如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:413722

氮化外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區別

氮化外延片工藝是一種用于制備氮化外延片的工藝,主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210570

SEMI:到2026年中國大陸200mm晶圓廠產能增長22%

報告書稱,功率化合物半導體在消費者、汽車及產業領域非常重要,是200mm投資的最大驅動力,特別是電動汽車變頻和充電站的發展將促進世界200mm晶片生產能力的增長。
2023-09-20 09:52:04415

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