電子發燒友App
我國研發出一種碳化硅晶體材料，一個LED燈可用45年不壞
- led(645465)
相關推薦
650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型
不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復瞬態，所涉及的電荷只有結耗盡區電荷，而且它比相同結構的Si器件結耗盡區電荷至少小一個數量級。這對于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
8英寸！第四代半導體再突破，我國氧化鎵研究取得系列進展，產業化再進一步
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅研發過程中具體需要做哪些測試呢？
材料施加熱應力，評估器件內部各種不同材質在熱脹冷縮作用下的界面完整性；此項目標準對碳化硅功率模塊而言很苛刻，尤其是應用于汽車的模塊。HTRB（高溫反偏測試）HTRB是分立器件可靠性最重要的一個試驗項目
2023-02-20 15:27:19
碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驅動碳化硅場效應管？
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
碳化硅MOSFET的SCT怎么樣？
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點
和電容器）的尺寸、重量和成本也可隨之降低。在極端情況下，整個冷卻系統本身效率也可以降低，甚至可以節省更多的成本。特別是在電動汽車牽引逆變器應用中，效率的提高是一個良性循環，因為基于碳化硅的逆變器中的元件
2023-02-27 14:28:47
碳化硅二極管選型表
、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
碳化硅功率器件可靠性之芯片研發及封裝篇
要求。測試新品器件是否合規比較容易，但判斷器件的物理特征是否會隨時間和環境而變化比較麻煩。本文將從碳化硅芯片研發和封裝方面探討可靠性問題。 芯片研發環節的可靠性測試 衡量可靠性可以從器件的故障率入手
2023-02-28 16:59:26
碳化硅半導體器件有哪些？
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
碳化硅基板——三代半導體的領軍者
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅基板——汽車電子發展新動力
上，對介電常數要求嚴格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無法滿足他們的要求，需要一種性能更好的升級產品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應汽車需求而特別開發的產品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
碳化硅深層的特性
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
碳化硅的歷史與應用介紹
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅肖特基二極管技術演進解析
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅肖特基二極管的基本特征分析
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
碳化硅陶瓷線路板,半導體功率器件的好幫手
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發現以來，直到
2021-03-25 14:09:37
TGF2023-2-10碳化硅晶體管
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現貨,王先生*** 深圳市首質誠
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10碳化硅晶體管銷售
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產品介紹TGF2023-2-10報價TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10TGF2023-2-10現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司
2018-11-15 11:59:01
TGF2954碳化硅晶體管銷售
TGF2954碳化硅晶體管產品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管銷售
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用呢？
6吋的 Si基板上。然而，由于硅和氮化鎵的晶體常數不同，所以其缺陷密度較高，無法形成能夠承受高壓、大電流的縱型 FET，以及高性能的橫向 HEMT。第二個問題是，氮化鎵晶片是一種結塊狀（Bulk)，其
2023-02-23 15:46:22
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
應用的企圖心。到2020年時，氮化鎵組件將進軍600～900伏特市場，與碳化硅組件的競爭關系升溫。問題：1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥？（這幾年也很熱門）2.
2021-09-23 15:02:11
你知道為飛機電源管理提供解決方案的碳化硅嗎？
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統的復雜性，從而降低了電源系統的整體架構。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
創能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發電、風力發電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創能動力于2015年在國內開發出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣？
和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續流 1200V 二極管。 另一個例子是MiniSKiiP，這是一種無底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設計固定
2023-02-20 16:29:54
圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
在開關電源轉換器中充分利用碳化硅器件的性能優勢
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來解決。不幸的是，這些方法會導致開關損耗增加和系統效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時，只需在柵極和源極之間增加一個二極管電壓鉗位即可解決這一難題。 在碳化硅
2023-03-14 14:05:02
如何用碳化硅(SiC)MOSFET設計一個高性能門極驅動電路
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術
SiC材料，而且 R 值大，在熱循環中更不容易斷裂，也是一種適合碳化硅器件高溫工作的絕緣材料，但其λ值較低，而且成本很高，限制了其廣泛的應用。為提高陶瓷基板覆銅層的可靠性，覆鋁陶瓷板(DBA)以及活性
2023-02-22 16:06:08
新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
新能源汽車市場火爆，碳化硅電路板事態也瘋狂
，保證各大功率負載的正常運行。同時在汽車驅動模塊中還需要抗震耐磨的PCB，而碳化硅材料的耐磨與抗震等機械性能優良，能保證其長久的使用壽命。根據時報，新能源汽車電源模塊至2020年市場空間有望提升
2020-12-09 14:15:07
淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區別
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
電動汽車的全新碳化硅功率模塊
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
簡述LED襯底技術
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
被稱為第三代半導體材料的碳化硅有著哪些特點
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
請教碳化硅刻蝕工藝
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
詳解碳化硅材料的作用和發展
代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。 人類1905年 第一次在隕
2018-01-03 09:48:48
19904
19904碳化硅單晶體二極管的優勢及應用范圍
碳化硅材料半導體，雖然隨著技術的發展，目前碳化硅成本下降很多，但是據市場價格表現同類型的硅材料與碳化硅材料的半導體器件價格相差十倍有余。碳化硅單晶體可以制作晶體管（二極管和三極管）。因為碳化硅
2020-07-10 11:20:061990
1990碳化硅材料的特點和應用
碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料。
2020-10-02 18:20:0012091
12091
碳化硅材料的特性和優勢分析
碳化硅半導體 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強、三倍的帶隙和三倍的熱導率。在半導體材料中形成器件結構
2021-06-15 17:27:148207
8207
碳化硅材料技術對器件可靠性有哪些影響
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267
5267碳化硅在電力電子領域的應用挑戰
碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導體是提高系統效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設計成本的創新選擇。碳化硅是硅和碳的化合物，是一種具有同素異形變體的半導體
2022-08-08 08:09:591332
1332
中科院物理研究所探索用一種新的方法生長碳化硅晶體
碳化硅晶體是一種性能優異的半導體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領域具有重要應用。春節期間，中科院物理研究所科研團隊們正在探索用一種新的方法生長碳化硅晶體，研制情況如何？
2023-01-31 11:52:10523
523碳化硅原理是什么
，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:021981
1981什么是碳化硅（SiC）？
碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420969
20969特斯拉碳化硅技術怎么樣？特斯拉碳化硅技術成熟嗎？
對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，屬于第三代半導體材料，其禁帶寬度高達3.0eV，相比第一代半導體材料硅，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602
2602簡述碳化硅材料特點及優勢
碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍，熱導率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:411859
1859
碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些
碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637
3637
碳化硅技術標準_碳化硅工藝
高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:352998
2998碳化硅用途主要有哪些方面
、功能陶瓷和冶金原料。 1.磨料。 由于碳化硅磨料具有較高的硬度、化學穩定性和一定的韌性，是一種用途非常廣泛的磨料，可用于制造砂輪、油石、涂附磨具等。主要用于磨削玻璃、陶瓷、石材、鑄鐵和某些有色金屬等非金屬材料
2023-02-05 16:21:2111787
11787淺談碳化硅的應用
碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料，由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933
933電機碳化硅技術的作用與特點
電機碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制作電機的技術，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數等，來提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:004559
4559關于碳化硅晶須的制備
。
以往關于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強度和模量確實優于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優良的耐高溫、高
強度、高模量、低膨脹和良好的化學穩定性，被認為是增強金屬和陶瓷材料的理想增強組元。
2023-02-21 09:13:47
0
0簡述碳化硅襯底類型及應用
碳化硅襯底 產業鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:483433
3433
碳化硅功率模組有哪些
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390
390碳化硅二極管是什么
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747
747碳化硅MOSFET什么意思
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182
1182
碳化硅是如何制造的？碳化硅的優勢和應用
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094
1094碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優于IGBT？
碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08471
471碳化硅的性能和應用場景
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221042
1042igbt和碳化硅區別是什么？
柵雙極晶體管）和碳化硅器件所使用的半導體材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的則是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半導體材料，具有一定的電性能和可靠性，但是它的熱穩定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的熱穩定性非常好，具有更高的耐溫性能，能夠承受更高的工作溫度和電壓。
2023-08-25 14:50:049050
9050超40個，碳化硅項目企業匯總
單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環節，碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導體襯底材料；
2023-12-05 15:26:53561
561
碳化硅和氮化鎵哪個好
碳化硅和氮化鎵的區別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質
2023-12-08 11:28:51742
742碳化硅和igbt的區別
和IGBT的區別。 1. 結構差異： 碳化硅是一種化合物半導體材料，由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點和熱導性，使其在高溫和高功率應用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結構通常更復雜，由多個寄生二極管組成，因此其電子流動路徑更復
2023-12-08 11:35:531793
1793爍科晶體：向世界一流的碳化硅材料供應商不斷邁進
第三代半導體碳化硅材料生產及研究開發企業作為中國電科集團的“12大創新平臺之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領域，已成為國內實現碳化硅襯底材料供應鏈自主創新的供應商之一。
2023-12-11 10:46:37464
464
碳化硅在溫度傳感器中的應用
碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業和高溫環境下的溫度測量領域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:30207
207碳化硅功率器件簡介、優勢和應用
碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49381
381碳化硅逆變器是什么 功能介紹
碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導體材料的功率電子設備，主要用于將直流電轉換為交流電。與傳統的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優越性能，如更高的開關頻率、更低的導通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272
272碳化硅特色工藝模塊簡介
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294
294
工商網監
評論