從產業鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環節，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業所壟斷。
2018-12-06 16:03:56
12188 摘要 本發明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381638 
本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06643 
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
，因此碳化硅功率器件有低的結到環境的熱阻。 (4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半導體就是這樣。在首度商業化時，碳化硅的創新性和較新的顛覆性技術必然很昂貴，盡管認識到了與硅基產品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優勢，大多數工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統的MOSFET，它的導通狀態電阻很大，開關損耗很大，額定工作結溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產業銷售額為3539億元，同比增長16.1%。碳化硅（SiC）的應用碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，應用最廣
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板；在引擎室中，由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求，現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設計中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
10.5公斤/平方厘米，高溫強度很好。抗彎強度直至1400℃仍不受溫度的影響。1500℃時，彈性模量仍有100公斤/平方厘米。上述數據均測自大塊材料。4)熱膨脹系數較低，導熱性好。5)碳化硅導電性較強
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，熱導率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖（1）所示。 圖（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導體器件性能已經進入瓶頸期時，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件導通損耗對溫度的依存度很小，隨溫度的變化也很小，這與傳統的Si器件也有很大差別。4) 開關速度快SiC的熱導系數幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
基本半導體推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產品B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）為例，從理論上來解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
，4H-SiC是500，而氮化鎵是900，效率非常高。另外，碳化硅具有2.8 MV/cm的絕緣失效電場強度，以及3.3 MV/cm的氮化鎵。通常，在低頻工作時，其功率損耗是絕緣失效電場的3倍，而在高頻時則是2
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術：1 車載電源OBC與最新發展2 雙向OBC關鍵技術3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
的效率也會更高。當客戶選擇碳化硅MOSFET為主開關管后，通常也會愿意多花額外的成本將工頻整流二極管D3和D4換成普通的低導通電阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的導通損耗
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02
橋電路，提高可靠性；由于拓撲簡化，采用硅基650V MOSFET的方案在每個開通時刻有兩顆MOSFET同時導通，所以實際等效導通損耗會比采用全橋拓撲的1000V碳化硅MOSFET要大；低寄生電容如輸入
2016-08-05 14:32:43
了第一代和第二代產品的優點，采用JBS結構，優化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向導通壓降VF和結電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關損耗。 圖（1）碳化硅二極管
2023-02-28 17:13:35
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
管子開關影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發現了，它的特點是：化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
黑碳化硅基礎知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦為主要原料，通過電阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491241 碳化硅市場，X—Fab、日本羅姆等企業早些時候也相繼宣布將擴大碳化硅產能，碳化硅產業海外重要玩家已開始備戰。從產業鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環節，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業所壟斷。
2018-12-06 16:08:00138137 碳化硅外延領域捷報連連！ 我國碳化硅產業或迎來史詩級利好 進入2021年以來，在碳化硅外延領域，國內外企業紛紛捷報連連。 ? 2021年3月1日，日本豐田通商株式會社正式宣布成功開發出一種表面納米
2021-05-07 14:43:0012101 
隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發，引爆了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業紛紛通過加強技術研發與資本投入布局碳化硅產業，今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375 前言 碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
來源：中國電子報 日前，國際碳化硅大廠安森美宣布，其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠落成，未來兩年內產能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來納州建造一座價值數十
2022-10-08 17:02:25873 前言：碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 希科半導體（蘇州）有限公司宣布碳化硅外延片投產。據悉，該產品通過了行業權威企業歐陸埃文思材料科技（上海）有限公司和寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室的雙重檢測，具備媲美國際大廠碳化硅外延片的品質，解決了國外產品的卡脖子問題，為我國碳化硅行業創下了一個新紀錄。
2023-01-13 10:54:281006 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現峰值，繼續升高溫度，導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍，熱導率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:411859 
碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352998 碳化硅產業鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關器件。在SiC器件的產業鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產業鏈價值量主要集中于上游襯底環節。
2023-02-03 16:30:133954 由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因為本征載流子激發導致器件性能失效。碳化硅材料在發生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場是硅材料和砷化鎵（GaAs）的5~20倍12。這一高極限電場可以用來制造高壓、大功率器件。
2023-02-09 09:47:59387 
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產業、高壓輸配線和智能電站
2023-02-16 10:50:096936 投建，我國初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產品供應鏈。 但記者在采訪中了解到，國內碳化硅功率器件行業還呈現“小”“散”特征，未來五年將是整合期，車規級碳化硅功率器件與國外公司還有較大差距。此外，碳
2023-02-21 09:26:45
2 晶錠進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅產業鏈主要包括襯底、外延、器件設計、制造、封測等環節。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應用。
2023-03-22 15:38:521335 按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 希科半導體的外延片產品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）電力電子器件。公司創始核心團隊擁有15年以上的規模量產經驗，憑借業內最先進的高品質量產工藝和最先進的測試設備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸導電型碳化硅外延晶片。
2023-05-17 09:47:00638 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
碳化硅產業鏈主要分為襯底、外延、器件和應用四大環節，襯底與外延占據 70%的碳 化硅器件成本。根據中商產業研究院數據，碳化硅器件的成本構成中，襯底、外延、前段、 研發費用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計約 70%
2023-06-26 11:30:56733 
長達 10 年的供應協議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規模化生產的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產業轉型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，
2023-07-10 10:49:09713 
當前，全球碳化硅產業格局呈現美、歐、日三足鼎立態勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應用產業鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應用開發方面占據領先優勢。
2023-08-15 10:07:41260 
業內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21970 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53607 
導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。
2023-12-27 10:08:56306 
證監會近日公告顯示，深圳市納設智能裝備股份有限公司（簡稱“納設智能”）已正式開啟首次公開發行股票并上市的輔導備案程序。該公司專注于第三代半導體碳化硅（SiC）外延設備以及石墨烯等先進材料的研發、生產、銷售和應用推廣，是國產碳化硅外延設備的領軍企業。
2024-02-26 17:28:02487 預計該項目投資總額3.5億元人民幣，將引進碳化硅外延設備及輔助設備共計116套。其中包括一條具備24萬片年產量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產線。
2024-02-29 16:24:01218 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業務。公司已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，量產晶片的核心位錯達到行業領先水平。
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