上面所討論的應用程序圖覆蓋大多數應用。不過，也有用于低頻信號的情況下(<1MHz的)。，這是經常在聲納應用程序的情況下，其范圍可以從10kHz 至200kHz。此外，在高頻率(> 20MHz的)有時是必需的， 往往在無損檢測應用，以改善軸向分辨率或PWM調制信號的傳輸。下面的部分說明了這兩種類型的應用 。

　　低頻(<1MHz的)

　　MAX4940可以工作在頻率高于1MHz的低。這是足以取代電容器，具有更大的價值信號電容(3.3nF在上面的例子)。作為一個經驗法則，可以考慮下列公式計算：

　　彗星信號 = 3.3nF/freq(兆赫)

　　例如，為100kHz的應用程序，建議值是33nF 。Contrastingly，MAX4968是基于一個 bootstrap 架構。它不能運行在頻率低于100kHz。

　　高頻(> 20MHz的)

　　MAX4940的驅動電路可以工作在高頻率(產生短脈沖)，如40MHz的。然而，實際的限制，通常是由于驅動電流能力有限 。，負載在一階近似，可以考慮純容性 ( LOAD )。最大壓擺率，就可以實現相關的峰值電流，脈沖發生器可以提供( PEAK) 。公式中，

　　SLEW_RATE =(ΔV/ΔT)MAX = / TOT

　　其中C TOT是總負載電容，包括傳感器的電容，電纜電容，和IC寄生電容。 現在，假設你正在積極單極模式(圖6)，并試圖發送一個200V單極爆裂 。如果，例如C TOT = 400pF的，然后擺率是有限的：

　　(ΔV/ΔT)最大值= 峰值 / TOT = 2A/300pF = 6.66V/ns

　　，因此，上升和下降時間大約由：

　　T ?= T ?≈200V /(6.66V/ns)=為30ns

　　因此200V幅度最小脈沖寬度約60ns的 過程中，類似的考慮可以為雙極性和單極性負應用 。如上所述，您可以增加電流能力(我山頂，把更多的渠道并行 )。(注意：IC寄生電容也會相應增加) 。因此，它可以提高工作頻率。舉例來說，如圖14所示的4A的脈沖發生器，你可以在理論上(忽略了IC的寄生電容) T崛起= T = 15ns的下降為200V的 輸出擺幅。

　　= 4A，TOT = 300pF時能夠擺動= 200V

?

　　的最小脈沖寬度=為 30ns