絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結合了GTR和MOSFET的優點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發射極E。

1.IGBT結構和工作原理

將IGBT結構簡化為等效電路，可以看出是雙極性晶體管和MOSFET組成的達林頓結構，等效為一個由MOSFET驅動的厚基區PNP晶體管。元件的開通和關斷由柵極和發射極之間的電壓決定，當電壓大于開啟電壓之后MOSFET內形成溝道，并為晶體管提供基極電流從而使IGBT導通。

當柵極和發射極之間施加反向電壓或者不施加信號后，MOSFET內部溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關斷。

2.IGBT的基本特性

1)靜態特性

轉移特性：集電極電流與柵極電壓之間的關系，開啟電壓為使IGBT能實現電導調制的最低柵射電壓，開啟電壓會隨溫度升高而略有下降，溫度升高1度，其值下降5mV左右。

轉移特性

伏安特性：輸出特性，即柵射電壓為參考變量時，集電極電流與集射極電壓之間的關系。輸出特性分為三個區域：正向阻斷區、有源區和飽和區。IGBT在工作開關狀態，主要是在正向阻斷區和飽和區之間來回切換。

輸出特性

2)動態特性

開通延遲時間：從驅動電壓上升至幅值10%的時刻到集電極電流上升至幅值的10%;

上升時間：集電極電流從10%增長到90%所需的時間;

關斷延遲時間：驅動電壓幅值從90%--10%的時刻;

下降時間：集電極電流從90%--10%所需時間;

開關過程

從動態特性曲線中可以發現IGBT電導效應較好，但同時也存在少子存儲的現象，因此開關速度較低，此外IGBT的擊穿電壓、通態壓降和關斷時間也是需要折中參數。