碳化硅作為寬禁帶化合物半導體材料，具有比傳統硅材料更加優異的性能，尤其是用于功率轉換和控制的功率器件。與傳統硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，開關速度快、效率高，可大幅降低產品功耗，提高能量轉換效率并減小產品體積。

隨著時間的推移，碳化硅技術越來越贏得用戶的青睞，應用范圍也在不斷擴大。近年來，碳化硅半導體器件在高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、電源、通信基站、太陽能、風力發電、消費類電源等領域備受歡迎，市場潛力巨大。

主要是應用在以下幾個領域領域

1.太陽能逆變器

　　太陽能發電用二極管的基本材料，碳化硅二極管的各項技術指標均優于普通雙極二極管(silicon bipolar)技術。碳化硅二極管導通與關斷狀態的轉換速度非常快，而且沒有普通雙極二極管技術開關時的反向恢復電流。在消除反向恢復電流效應后，碳化硅二極管的能耗降低70%，能夠在寬溫度范圍內保持高能效，并提高設計人員優化系統工作頻率的靈活性。

　　2.新能源汽車充電器

　　碳化硅二極管通過汽車級產品測試，極性接反擊穿電壓提高到650V，能夠滿足設計人員和汽車廠商希望降低電壓補償系數的要求，以確保車載充電半導體元器件的標稱電壓與瞬間峰壓 ，之間有充足的安全裕度 。二極管的雙管產品 ，可最大限度提升空間利用率，降低車載充電器的重量。

　　3.開關電源優勢

　　碳化硅的使用可以極快的切換，高頻率操作，零恢復和溫度無關的行為，再加我們的低電感RP包，這些二極管可以用在任向數量的快速開關二極管電路或高頻轉換器應用。

　　4.工業優勢

　　碳化硅二極管：重型電機、工業設備主要是用在高頻電源的轉換器上，可以帶來高效率、大功率、高頻率的優勢。

氮化鎵和碳化硅 MOSFET應用建議

根據第3章和第4章的論述，基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅 MOSFET產品，對于這兩種寬禁帶功率半導體的應用建議如下：

（1）所應用系統由于某些原因必須工作于超過200KHz以上的頻率，首選氮化鎵晶體管，次選碳化硅MOSFET；若工作頻率低于200KHz，兩者皆可使用；

（2）所應用系統要求輕載至半載效率極高，首選氮化鎵晶體管，次選碳化硅 MOSFET；

（3）所應用系統工作最高環境溫度高，或散熱困難，或滿載要求效率極高，首選碳化硅 MOSFET，次選氮化鎵晶體管；

（4）所應用系統噪聲干擾較大，特別是門極驅動干擾較大，首選碳化硅 MOSFET，次選氮化鎵晶體管；

（5）所應用系統需要功率開關由較大的短路能力，首選碳化硅 MOSFET；

（6）對于其他無特殊要求的應用系統，此時根據散熱方式，功率密度，設計者對兩者的熟悉程度等因素來確定選擇哪種產品。