65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
loT傳感器：應(yīng)用在5G技術(shù)的無線壓力傳感器
2021-02-04 07:05:01
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年
2019-03-14 06:45:11
被譽為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓撲結(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
波段，隨著襯底、外延、芯片和封裝技術(shù)的不斷進步，藍光激光器的性能在不斷提升。 圖3、（a）氮化鎵/藍寶石模板和（b）GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比（圖中暗斑為位錯缺陷） 在襯底方面，早期的氮化鎵
2020-11-27 16:32:53
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場和應(yīng)用領(lǐng)域的計劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點，未來會將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
DAC的技術(shù)指標(biāo)是什么？DAC的基本架構(gòu)是什么？DAC主要應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？
2021-04-14 06:47:58
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關(guān)管，控制器以及驅(qū)動器
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時間。總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
PoE技術(shù)是什么？PoE技術(shù)具有什么特點？應(yīng)用在哪里？
2021-04-19 09:21:29
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
求助sharp lz9gh236一般應(yīng)用在哪個方面上
2023-10-17 07:11:42
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關(guān)
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據(jù)實際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
他們的業(yè)務(wù)，以及人工智能的哪些應(yīng)用在目前最具前景，而不是明年或者是未來十年。當(dāng)考慮人工智能在哪些方面...
2021-07-12 06:46:09
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么是Verilog HDL阻塞賦值？主要應(yīng)用在哪些方面？
2019-08-02 06:22:43
編程恒流負載；當(dāng)電源/測量表組合（SMU）時給電壓測量電流或給電流測量電壓；源表應(yīng)用在哪些方面？數(shù)字源表相當(dāng)于電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載的綜合體。武漢普賽斯S系列數(shù)字源表可廣泛的應(yīng)用于各種
2022-04-08 16:33:47
％。[color=rgb(51, 51, 51) !important]目前，氮化鎵已經(jīng)擁有了足夠廣闊的應(yīng)用空間。作為第三代半導(dǎo)體新技術(shù)，也是全球各國爭相角逐的市場，并且市面上已經(jīng)形成了多股氮化鎵代表勢力
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對測試過程提供了技術(shù)支持。測試背景：3C消費類產(chǎn)品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
以降低系統(tǒng)速度為代價。從FPGA發(fā)展趨勢和DSP運算要求看，系統(tǒng)速度指標(biāo)的意義比面積指標(biāo)更趨重要，需要我們進一步深入研究提高芯片的最高工作速度的設(shè)計策略。我們需要討論一下基于FPGA的DSP系統(tǒng)設(shè)計中的流水線技術(shù)主要應(yīng)用在哪些方面？
2019-08-02 06:03:48
Layout工程師既要在各種設(shè)計規(guī)則之間做出取舍，又要兼顧性能、工藝、成本等各方面，電路設(shè)計和PCB LAYOUT經(jīng)常是困擾很多工程師的難題。課程基于氮化鎵的電路設(shè)計和PCB LAYOUT展開深入探討
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
已經(jīng)在電池上采用多極耳，多條連接線來降低大電流的發(fā)熱。氮化鎵的低阻抗優(yōu)勢，可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機電池保護板上，可以支持更高的快充功率，延長快充持續(xù)時間，獲得更好的快充體驗。同時氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
之前的文章中，分享過射頻技術(shù)如何使消費者的烹飪能力發(fā)生質(zhì)的變化。然而，食品加工中的應(yīng)用在供應(yīng)鏈的早期便已開始，射頻在輔助巴氏殺菌和干燥的過程中發(fā)揮著重要作用。國立衛(wèi)生研究院(NIH)指出，干燥是許多
2018-01-18 10:56:28
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI最優(yōu)秀的人才討論當(dāng)今最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
以適當(dāng)?shù)淖⒁猓瑴y試設(shè)備和測量技術(shù)引入的寄生元件，特別是在較高頻率下工作，可能會使GaN器件參數(shù)黯然失色，并導(dǎo)致錯誤的測量結(jié)果。 應(yīng)用說明“高速氮化鎵E-HEMT的測量技術(shù)”（GN003）解釋了測量技術(shù)
2023-02-21 16:30:09
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
數(shù)據(jù)加密技術(shù)主要應(yīng)用在：數(shù)據(jù)保密、身份驗證、保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性、數(shù)字簽名（防抵賴）。
2021-02-25 06:25:41
鎵器件大約在2015年推出市場，與具有相同導(dǎo)通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價格更低 。從那時起，產(chǎn)量繼續(xù)提升、氮化鎵器件的價格持續(xù)下降、氮化鎵技術(shù)不斷改進和芯片進一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
有源濾波器在實際的產(chǎn)品中主要應(yīng)用在哪些方面？有什么特點？
2018-01-09 16:09:17
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
、設(shè)計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
了當(dāng)時功率半導(dǎo)體界的一項大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當(dāng)時新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
音頻創(chuàng)新技術(shù)有哪些優(yōu)勢？音頻創(chuàng)新技術(shù)主要應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？
2021-06-16 08:33:29
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
，我們的設(shè)備都被連接在了一起，我們需要消耗更多的電能，”GaN開發(fā)團隊的系統(tǒng)和應(yīng)用工程師Eric Faraci說，“更多的能耗意味著需要建造更多的大型電廠。但是，如果我們使用諸如氮化鎵的技術(shù)，我們可以將
2018-08-30 15:05:50
公司最近給我安排了一個新的項目，180W的高頻LLC+有源PFC拓撲的開關(guān)電源，工作頻率達到了500k,要求工作的效率在93%以上（低壓），采用目前市面上較火的氮化鎵開關(guān)管，菜鳥求助設(shè)計此款電源需要注意哪些方面，特別是磁性元器件方面的選取。
2018-01-10 20:34:36
科幻電影里最常見的橋段，現(xiàn)實中想要實現(xiàn)可能需要幾十年甚至幾百年，那么腦芯片這門技術(shù)，具體應(yīng)用在了哪些方面，現(xiàn)階段發(fā)展得怎么樣呢？
2018-06-25 10:08:00
1757 什么是Web Bluetooth 它可以應(yīng)用在哪些方面，如何應(yīng)用 如何實現(xiàn)Web Bluetooth應(yīng)用（所需的工具、需要哪些技能和知識、簡單的實現(xiàn)示例） Web Bluetooth可以應(yīng)用在哪些方面 商業(yè)應(yīng)用 用
2021-10-19 10:53:243576 在大數(shù)據(jù)時代，大量化，快速化，多樣化，價值化是其主要特征，那么基于上述特點，大數(shù)據(jù)應(yīng)用范圍變得更加廣泛，那么大數(shù)據(jù)應(yīng)用在哪些方面呢？畢竟只有知悉大數(shù)據(jù)應(yīng)用在哪些方面，才能更好的發(fā)揮大數(shù)據(jù)的優(yōu)勢。一起來看看吧。
2023-02-08 10:33:362528 變頻器主要應(yīng)用在哪些方面 變頻器（Variable-frequency Drive，VFD）是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備。 變頻器主要由整流
2023-05-12 11:35:281183 熱重差熱分析儀是在升溫、恒溫或降溫過程中，觀察樣品的質(zhì)量隨溫度或時間變化，主要用于研究材料的熱穩(wěn)定性和組份。熱重差熱分析儀被廣泛應(yīng)用在塑料、涂料、藥品、金屬材料和無機材料等。熱重差熱分析儀應(yīng)用在哪些方面
2023-12-12 14:23:05227 
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