造成永久性損壞。 di/dt與IGBT芯片特性有關，也與關斷時器件電流有關。當器件在短路或者過流狀態下關斷時，集電極電壓過沖會格外大，有可能超過額定值，從而損壞IGBT。 所以如何抑制關斷時的電壓尖峰，是一個值得探討的話題。 從集電極過沖電壓計算公式： V=
2022-08-23 11:02:04
5420 
在超過額定電壓的情況下使用獨石陶瓷電容器會有問題嗎？
2017-11-10 11:57:484756 
集電極開路電路、集電極開路晶體管電路、集電極開路工作原理、集電極開路TTL、集電極開路輸出接線圖、集電極開路優缺點。
2023-02-01 08:59:17529 我們都知道，IGBT關斷時，集電極電流的下降率較高，在較大功率的情況下，由于主回路存在較大的雜散電感(為什么要盡量降低雜散電感的一個原因)，從而集電極和發射極產生很大的浪涌電壓，甚至會超過IGBT
2023-04-06 17:28:533808 
IGBT由柵極（G）、發射（E）和集電極（C）三個極控制。 如圖1，IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。 反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷
2023-04-08 09:36:261456 端，集電極作為輸出端，而基極通過輸入信號與一個偏置電壓相連。 - 輸入信號被放大，但輸出與輸入信號的相位相同，不發生相位反轉。 - 共集電極電路具有電壓跟隨特性，輸出電壓的振幅近似等于輸入電壓振幅，并且輸出電阻比較低。 共基電路（Common Base）： - 三極管的
2024-01-19 15:36:36539 
關斷IGBT時由于電感中儲存有能量，集電極-發射極間會發生浪涌電壓。
2024-02-26 12:18:19936 
失效問題。 IGBT失效場合：來自系統內部，如電力系統分布的雜散電感、電機感應電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流；來自系統外部，如電網波動、電力線感應、浪涌等。歸根結底，IGBT失效主要是由集電極
2020-09-29 17:08:58
作為晶體管的一種，是由別的電路來控制的。具體點說，IGBT的簡化模型有3個接口，有兩個（集電極、發射極）接在強電電路上，還有一個接收控制電信號，叫作門極。給門極一個高電平信號，開關（集電極與發射極之間
2023-02-16 15:36:56
，后臺軟件實時監控、自動處理目標數據，具有測試精度高、操作方便、高效等優點。 該系統適用于中低壓IGBT模塊產品的高溫反偏測試，最大測試電壓為3500V。可以實現對IGBT器件集電極-發射極電壓Vce
2018-08-29 21:20:11
;——IGBT 集電極與發射極之間的電壓;——流過IGBT 集電極－發射極的電流;——IGBT 的結溫。如果IGBT 柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT 不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極
2018-10-18 10:53:03
控制脈沖的前后沿陡度和防止振蕩，減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖，需在柵極串聯電阻Rg，當Rg增大時，會使IGBT的通斷時間延長，能耗增加；而減少RF又會使di／dt增高，可能損壞IGBT。因此應根據
2012-07-18 14:54:31
出BC856BM-TP額定功率（在25°C時）。BC856BM-TP額定功率=集電極發射極電壓× 集電極電流 +基極發射極電壓 ×基極電流=?65V x 100mA（基極電流非常小，可以忽略）=?6.5W請注意，BJT額定功率是會隨著溫度和表面安裝的不同而發生變化的。Digi-Key
2018-08-26 23:03:52
絕對最大額定值 符號參數值單位 VCES集電極 - 發射極電壓（VBE = 0）850 V. VCEO集電極 - 發射極電壓（IB = 0）450 V. VEBO發射極 - 基極電壓（IC
2020-07-02 10:52:07
4.DIPIPM 的簡化框圖。圖片由Powerex提供。 另一種過流檢測技術稱為去飽和檢測，它基于監測IGBT集電極電壓。正常工作期間，IGBT的集電極-發射極電壓非常低（典型值為1 V至4 V）。但是，在發生
2023-02-24 15:29:54
萬用表測量左邊這個起放大作用的NPN三極管，它的集電極電壓測得0.09伏，基極電壓測得0.58伏，按照書上的理論，在放大狀態下，發射結正偏導通，集電結反偏，也就是集電極的電壓應該大于基極電壓，可是測出
2019-07-06 01:42:25
N型IGBT的門極、集電極、發射極怎么區分？
2015-11-26 00:00:45
TCL2575D無圖像萬用表測行管集電極電壓就圖聲正常 故障時電源指示燈閃爍，調高加速極電壓有圖像但有一條從上到下的回掃線測行管集電極電壓，圖像聲音就變正常
2012-08-26 16:28:48
的監控；正常工作時，集電極-發射極電壓非常低(典型值為1 V至4 V)。然而，如果發生短路事件，IGBT集電極電流上升到驅動IGBT退出飽和區并進入線性工作區的電平。這導致集電極-發射極電壓快速升高
2019-07-24 04:00:00
` 如圖3-17所示是運用電阻將電流變化轉換成電壓變化的典型電路，這也是三極管的集電極負載電阻電路。 當電流流過R1時，在R1上產生電壓降使R1的下端(VT1管集電極，電路中的A點)發生改變。當
2011-09-22 18:00:27
為什么IGBT在集電極和射極之間要并聯一個二極管呢？
2023-03-16 11:42:38
為什么說理想情況下，集電極電壓對集電極電流沒有影響，且集電極結點等同高阻抗電流源？
2021-06-24 07:18:08
為何串聯型穩壓電路集電極電流減小而集-發射極的電壓增大？
2013-05-07 21:39:48
如題 求助 有哪些型號的光耦集電極和發射極間電壓可以大于700伏
2015-09-09 20:41:30
。IGBT的缺點，一是集電極電流有一個較長時間的拖尾——關斷時間比較長，所以關斷時一般需要加入負的電壓加速關斷；二是抗DI/DT的能力比較差，如果像保護MOS管一樣在很大的短路電流的時候快速關斷MOS管極可
2022-06-08 16:03:07
看出，即使流過保險絲的電流大于額定電流小于或者等于常規不熔斷電流時，保險絲也不會發生熔斷現象。同時，保險絲具有延時性能，也不一定能馬上熔斷（TT延時，T延時，F延時性能） 例如：額定電流是2A，當
2018-02-27 14:09:03
，如果發生短路事件，IGBT集電極電流上升到驅動IGBT退出飽和區并進入線性工作區的電平。這導致集電極-發射極電壓快速升高。上述正常電壓電平可用來表示存在短路，而去飽和跳變閾值電平通常在7 V至9 V
2019-10-06 07:00:00
。含有IGBT過流信息的Vce不直接送至EXB841的集電極電壓監視腳6，而是經快速恢復二極管VD1，通過比較器IC1輸出接至EXB841的腳6，其目的是為了消除VD1正向壓降隨電流不同而異，采用閾值
2009-01-21 13:06:31
工作。對實驗模塊進行了以下特性測試：- IGBT 集電極-發射極飽和電壓 （Vc sat） 在 25 和 150°C 的溫度下，集電極電流 Ic = 0.25 x Inom 和 Ic = I nom，柵極兩端
2023-02-22 16:53:33
Q1。如何計算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關負載。開關頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
，如果發生短路事件，IGBT集電極電流上升到驅動IGBT退出飽和區并進入線性工作區的電平。這導致集電極-發射極電壓快速升高。上述正常電壓電平可用來表示存在短路，而去飽和跳變閾值電平通常在7 V至9 V
2018-07-30 14:06:29
對于TVS管電壓鉗位的方法不太懂，原理圖上說是把集電極的電壓反饋到柵極上，但柵極的輸入電壓是有限制的啊，最高只能到十多伏，而集電極經過鉗制的電壓有幾百伏，反饋到柵極豈不是要燒了IGBT?
2013-10-20 19:27:02
圖片中TR1與TR3 VBE相等為什么能推的 集電極電流與發射極電流相等呢？
2014-02-18 21:55:57
程中，經常需要關注的。額定的工作電流、過載系數、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流；當IGBT模塊的集電極電流增大時，產生的額定損耗也將變大。 與此同時，開關損耗也會增大，IGBT模塊的發熱也更加嚴重
2023-03-23 16:01:54
，采取措施減緩IGBT的關斷速度，該方法能夠在開關延時、過壓和損耗之間取得較好的折中。國內飛仕得數字驅動就有該功能，有興趣的可以去了解一下！那向門極注入電流又是怎么實現的呢？這就是我們常說的集電極電壓
2023-02-13 16:11:34
，信號3為IGBT集電極和發射極之間電壓信號，信號4為直流側電容電壓波形。可以看到集電極和發射極之間電壓為0-10V,而我測量門極和發射極之間電壓為0-1V，所以是不是IGBT壞了？我以為沒加驅動信號
2016-01-09 12:10:23
共集電極三極管能放大電壓，而三極管本身就是可以放大電流的，這樣應該來說共集電極接法的三極管能夠進行功率放大，可是好像書上不是這樣的，請問我的錯誤在哪？
2017-05-28 17:13:31
請問下，為什么推挽電路中上管NPN集電極電源什么作用？因為4點電壓永遠是6點電壓-0.7v，似乎和NPN集電極12v電源沒什么關系
2022-05-12 09:51:22
請問二極管正向導通后，發射極和集電極的電壓差是多少啊
2023-10-12 11:42:39
的一部分集電極-基極電壓Vce.一旦Vcb超過1v，Q1的集電極電流保持高得足以使Ic1的反饋輸入高于1.25v．該電壓反過來又使IC1關機。隨著輸出電壓的增加．R7兩端的電壓差減小．并且當電壓差降至
2021-05-11 07:47:48
具有高級有源鉗位(AAC)功能，為多電平變換器設計提供簡單、安全的IGBT 驅動器。IGBT 出現短路故障時，所有IGBT 無需以特定的關斷時序來避免IGBT集電極過電壓。而是在檢測到故障時立即關斷IGBT，AAC 功能可以將IGBT 的集電極電壓限定在安全工作區內。
2019-04-20 16:09:39
共集電極電路 共集電極電路又稱為射極輸出器、電壓跟隨器。此電路的優點是輸入電阻很高、輸出電阻很低，多用于輸入極、輸出極或緩沖極。
2009-03-03 17:53:15
45 共集電極的單管逆變電路
2008-10-23 21:30:411883 
下圖是利用IGBT過流集電極電壓檢測和電流傳感器檢測的綜合保護電路，電路工作原理是：負載短路（或IGBT因其它故障
2009-01-21 13:16:101368 
應用檢測IGBT集電極電壓的過流保護原理
圖10是應用檢測IGBT集電極電壓的過流保
2009-01-21 13:18:311938 
單管集電極驅動電路
LD接在半導體三極管BG的集電極上，LD的預偏置電流IB由電阻RB支路提供。BG工作在導通-截止的開關狀態。當Vin為“0
2009-03-06 17:00:411226 
集電極調幅電路圖
圖中，設基極激勵信號電壓（即載波電壓）為：υo = Vocosωot
2009-03-22 11:14:396482 
集電極飽和電壓的測定電路圖
2009-08-15 17:17:54686 
電容的額定電壓
電容器的額定電壓是指電容器在規定的溫度范圍內，能夠連續可靠工作的最高直流電壓或交流電壓的有效值。額定電壓的大小與電容器
2009-08-21 16:39:2610409 集電極是什么意思
在三極管中,集電區和基區之間的PN結叫集電極.用符號C表示.也可以表述為,集電極是三極管的供電端.常見輸入為+5
2010-03-04 15:51:5919446 共集電極放大器,共集電極放大器是什么意思
共集電極放大電路是三種晶體管放大電路中一種.它的輸入信號與輸出信號的公共端是三極管的集電極。
2010-03-05 11:37:4614269 優化高電壓IGBT,優化高電壓IGBT是什么意思
中心議題：
優化高電壓IGBT
解決方案：
高側晶體管
2010-03-24 09:49:201162 
安全駕駛儀的額定電壓 額定電壓是指安全駕駛儀需要的電源的電壓。由于一般的反測速雷達都使用汽
2010-01-04 14:02:11642 三極管導通時，集電極輸出低電平；三極管關斷時，集電極輸出懸空，因此該電路在工作時需要外接負載電阻和電源。只要電阻的阻值和電源電壓的數值選擇得當，就能夠做到既保證輸出的高、低電平符合要求，輸出端三極管的負載電流又不過大。
2017-11-09 12:17:53145604 
GBT 是三端器件，芯片內部結構包含有柵極、集電極和發射極，等效電路如圖2-1所示，在IGBT的柵極G和發射極E之間加+15V標準電壓，則IGBT導通，如果集電極有上拉電阻，集電極和發射極電壓將會
2017-11-09 15:19:1013831 
提出一種采用IGBT集電極漏電流對其芯片性能退化進程進行監控的健康狀態監測方法。基于IGBT基本結構、半導體物理和器件可靠性物理學，對IGBT電氣特征量一一集電極漏電流的產生機理、運行規律與性能
2018-01-16 15:59:324 本文開始闡述了什么是共集電極電路和共集電極放大電路的基本結構，其次闡述了共集電極放大電路的功能與工作原理，最后介紹了共集電極放大電路的特性及詳細的共集電極放大電路計算與分析。
2018-03-27 14:06:52203764 
陶瓷電容是可以說是我們常用的電容器之一，和其他的電容相比，陶瓷電容溫度較高，容量大，耐潮濕性好等等。正因為這些作用而被大家熟知和使用。有小伙伴提出在超過額定電壓的情況下使用陶瓷電容有問題嗎？小編根據
2018-05-26 15:59:141482 一旦發生短路，IGBT的集電極電流增加到超過既定值，則C-E間的電壓急劇增加。
2018-05-29 14:43:5942 一旦發生短路，IGBT的集電極電流增加到超過既定值，則C-E間的電壓急劇增加。根據這種特性，可以將短路時的集電極電流控制在一定的數值以下，但是在IGBT上仍然有外加的高電壓、大電流的大負荷，必須
2018-06-20 08:00:0040 當IGBT在高性能應用中高速接通和斷開時，總會發生過壓。例如，當關閉負載電流電路時，集電極發射極電壓突然上升，達到非常高的峰值。由開關引起的過電壓會嚴重損壞甚至破壞開關晶體管。
2018-08-02 15:33:476527 
IGBT由柵極（G）、發射極（E）和集電極（C）三個極控制。如圖1，IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。
2019-04-24 15:38:2383762 通用集電極放大器在其發射極負載上產生輸出電壓，該輸出電壓與輸入信號同相，在許多方面，公共集電極配置（CC）是相反的共發射極（CE）配置，因為連接的負載電阻從R C 的集電極端子變為R E 的發射極端子。
2019-06-27 15:39:267475 
給三極管各電極加上適當的直流電壓后，各電極才有直流電流。三極管基極電壓用UB表示，UC是集電極電壓，UE是發射極電壓。
2020-01-17 13:48:12124860 
三極管有三個電極分別叫基極b、發射極e和集電極c，這三個電極加上不同的電壓就會使三極管處于不同的狀態，這三種狀態我們分別可稱作放大狀態、飽和狀態和截止狀態。
2020-02-03 18:52:5911581 
三極管分為pnp型三極管和npn型三極管，集電極用c表示！基極用b表示！發射極用e表示！不管是什么型號的電路圖中，凡是發射極都是有箭頭的。發射極箭頭的方向就是電流的方向！
2020-02-12 20:01:1511713 
電壓跟隨器是共集電極電路，信號從基極輸入，射極輸出，故又稱射極輸出器。基極電壓與集電極電壓相位相同，即輸入電壓與輸出電壓同相。
2021-03-17 20:50:0817 當igbt在高性能應用中高速接通和斷開時，總會發生過壓。例如，當關閉負載電流電路時，集電極 - 發射極電壓突然上
2021-03-26 18:03:302841 保險絲電壓的額定值應根據它們可以安全施加至交流和/或直流電路的電壓來確定。保險絲可以在低于或等于其額定電壓的任何電壓下工作。
2022-07-14 10:20:393533 IGBT關斷時，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經在系統雜散電感，產生感應電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓應力。哪怕這電壓尖峰時間很短，也可能對IGBT造成永久性損壞。
2022-08-08 18:07:265633 
我們都知道IGBT發生短路故障時會發生退飽和現象，如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓，同時集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發生短路時的瞬時功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 因此集電極開路的輸出視為NPN晶體管，它允許電流吸收到公共端。對于這樣集電極開路電路，必須有一個電源才能使輸出正常工作。當我們要求未連接任何電源時計算輸出電壓時，電壓不會發生變化。必須計算輸出端的電壓以了解集電極開路電路的正常運行。
2023-01-08 15:03:012856 今天給大家分享的是：集電極開路電路、集電極開路晶體管電路、集電極開路工作原理、集電極開路TTL、集電極開路輸出接線圖、集電極開路優缺點。
2023-01-13 09:48:30908 IGBT的柵極-發射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS，集電極電流IC類似于漏極電流ID，集電極-發射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。
2023-02-14 13:50:406431 IGBT由柵極（G）、發射（E）和集電極（C）三個極控制。如圖1，IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極
2023-02-24 10:56:127 共集電極放大電路（Emitter Follower）是一種常用的放大電路，也被稱為電壓跟隨器。它的基本組成是一個NPN型晶體管，其中基極接入輸入信號，發射極接入輸出負載電路，集電極接地。與其他放大電路不同的是，共集電極放大電路的輸出信號與輸入信號具有相同的極性。
2023-02-27 11:15:505909 共集電極放大電路也被稱為電壓跟隨器或者隨動放大器。在共集電極放大電路中，輸入信號通過耦合電容C1輸入到晶體管的基極，輸出信號則從晶體管的發射極處取出。
2023-02-27 11:16:422497 
額定電壓（Nominal voltage）：電池正負極材料因化學反應所造成的電位高低之差，利用些關系，所產生的電壓，稱為額定電壓，不同的正負極材料，產生的電壓不同，如：鉛酸電池-2V/CELL， 鋰離子電池3.6V/CELL。
2023-04-24 14:44:4816971 額定電壓公式的意義在于，當電器設備的額定電壓為 Un時，其所能承受的最大電壓為Vn。這個公式的根號3是因為在三相電路中，電壓的有效值是相電壓的根號3倍。
2023-04-24 14:51:054495 額定電壓是指電氣設備的標稱電壓，即電氣設備的設計和制造時規定的電氣參數，例如交流電機的額定電壓為380V，發電機的額定電壓為6600V等。額定電壓在設備制造時已經確定，與電網電壓的實際運行情況無關。
2023-04-24 14:56:167652 IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發射極電壓VGE為參變量時，漏極電流IC和集電極-發射極電壓VCE之間的關系曲線。
2023-06-06 10:52:37757 
為什么要規定額定電壓？額定電壓輸出電流怎么測試？ 額定電壓是為了確保電氣設備在正常運行時能夠提供穩定的電壓供應。額定電壓是指電氣設備能夠穩定運行的電壓范圍，設備在這個電壓范圍內可以正常工作并且
2023-11-09 09:42:33670 如何抑制IGBT集電極過壓尖峰
2023-12-04 16:51:42716 
IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
2023-12-08 16:55:30455 
三極管集電極電壓和基極電壓 三極管是一種常見的電子元器件，被廣泛應用于電子電路中。它具有放大和開關特性，常用于放大信號、控制電壓和電流等應用。三極管的集電極電壓和基極電壓是三極管的兩個重要電壓參數
2023-12-07 14:46:231415 額定電壓：首先要查看三極管的規格書或數據表，找到其額定的最大集電極-發射極電壓（VCEO）和最大集電極-基極電壓（VCBO）。這些額定電壓值是指三極管能夠安全工作的最大電壓范圍。
2024-01-02 18:06:57258 是法拉（簡稱F）。電容值越大，表示電容器能夠存儲的電荷越多。常見的電容值有微法（簡稱μF）、納法（簡稱nF）和皮法（簡稱pF）等。 其次，額定電壓是指電容器所能承受的最大電壓。超過額定電壓，電容器可能會發生擊穿、短路等故
2024-02-03 14:49:03259 膝電壓的概念、原理、影響因素以及應用進行詳細闡述。 膝電壓是指在IGBT導通狀態下，集電極與發射極之間的電壓降，通常以Vce(sat)表示。在IGBT的工作過程中，膝電壓是導通階段IGBT的主要損耗之一，其大小直接影響著器件的效率和性能特點。因此，正確地
2024-02-03 16:23:43288 導通時，當柵極電壓高于閾值電壓，電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時，VCE（集電極-發射極電壓）下降的速度。
2024-02-06 10:42:42268 
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發生退飽和現象？ IGBT是一種高性能功率半導體器件，結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓和高電流應用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開關速度等優點
2024-02-19 14:33:28481 （Gate-Turn-Off）晶閘管的器件。在正常情況下，IGBT的啟動最低電壓通常為數伏。 IGBT的工作原理是將控制信號作用于柵電極，從而在集電極和發射極之間形成導通通道。當柵電極和發射極之間的電壓為正，柵電極下方的N型極區就會形成一個N溝道，該通道連接到集電極，使之導通。當柵電極和發射極之間的電壓為
2024-03-12 15:38:18229 主要參數如下： ? ? ??1. 最大額定電壓：這是指在正常工作條件下，IGBT能夠承受的最大集電極-發射極電壓。超過這個電壓可能導致器件損壞。 ? ? ??2. 最大額定電流：這是指在正常工作條件
2024-03-22 08:37:2932 
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