MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優點是熱穩定性好、安全工作區大，缺點是擊穿電壓低，工作電流小。

它是在一塊硅片上制作兩個相距很近的PN結，然后讓電流從其中一邊流入另一邊流出而形成電壓輸出信號；當外加正、反向脈沖時則因在兩電極之間產生電勢差而使兩邊電位發生變化而產生控制作用，從而實現對信號的放大與調制等處理功能。

由于這種特殊的結構使得它在高頻電路中得到了廣泛的應用。例如：開關功率級中的Pwm控制器就是由 MOS管構成的。另外，隨著集成度的提高及的進步，目前已有許多新型的 MOS管應用于各種數字集成電路中如CMOS門陣列芯片等等。

IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor ） 緣柵雙極型晶體管是電力電子技術發展過程中出現的一種新型場效應晶體管制成的二極管組態元件。其特點是工作頻率高、體積小、重量輕、可靠性好等特點，因而得到迅速發展和廣泛應用，成為繼 PN 結之后又一重要的大規模實用化的電子元器件之一 。

IGBT與MOSFET的主要區別有：

1.結構不同：IGBT是由N溝道MOSFET和PN結構組成的，而MOSFET只有N溝道MOSFET；

2.功率密度不同：IGBT的功率密度比MOSFET高；

3.損耗不同：IGBT的損耗比MOSFET低；

4.可靠性不同：IGBT的可靠性比MOSFET高。

原理不同：

1） IGCT 的工作原理是將輸入交流電源變換成直流或低頻脈動高壓，再經過整流濾波后變成可調節的高頻低壓大電流，經逆導通回路將高頻高壓變為低阻抗的恒定電流輸送到負載端。它的主要優點是效率高、損耗小、速度快且穩定可靠等優點。

2） MOSFET的工作過程則是利用基區產生的漏源電場來推動溝道導電層進行載流子遷移并發生復合的現象來實現開通/關斷的功能。