IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS管復(fù)合而成，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，特別是50OV以上應(yīng)用中的功率損失相當(dāng)?shù)汀ｋm然可以通過工藝技術(shù)提高BT的性能，但無法從根本上解決BJT的電荷存儲時間（STORAGE TIME）問題。也就是說，BJT在關(guān)閉時需耗費(fèi)較長時間，不適合高速切換的應(yīng)用，但完全滿足市電供電的應(yīng)用。

IGBT基本特性包括靜態(tài)特性和動態(tài)特性，其中靜態(tài)特性由輸出特性和轉(zhuǎn)移特性組成，動態(tài)特性描述IGBT器件開關(guān)過程。

IGBT的主要參數(shù)

（1）額定集電極—發(fā)射極電壓u。，。——在室溫下，IGBT所允許的 集電極—發(fā)射極問電壓，一般為其擊穿電壓U（BR） CEO的60 %~80%。其單位為V；

（2）額定柵極—發(fā)射極電壓UGER ——在室溫下，當(dāng) IGBT的集電極—發(fā)射極間電壓為UCER時，柵極—發(fā)射極問允許施加的 電壓，一般小于20V。其單位為V；

（3）集電極通態(tài)電流Ic——在室溫下，當(dāng) IGBT導(dǎo)通時，集電極允許通過的 電流的有效值稱為IGBT的額定電流，用ICE表示；而允許通過的峰值電流用ICM表示。在電流脈沖寬度為1μs時，ICM≈2ICE，其單位為A；

（4）集電極 功耗PCM ——在室溫下，IGBT集電極允許的 功耗。其單位為W；

（5）柵極漏電流 IGEO——在室溫下，當(dāng) UCE＝ 0V、柵極—發(fā)射極電壓為其額定值UGER時，IGBT柵極—發(fā)射極間的電流。其單位為μA；

（6）集電極斷態(tài)電流 ICES一一在室溫下，當(dāng)集電極—發(fā)射極間電壓為額定值UCER，柵極—發(fā)射極電壓UGE =0時的集電極電流，即集電極漏電流。其單位為mA；

（7）柵極—發(fā)射極開啟電壓UGE（th）——在室溫下，IGBT從關(guān)斷狀態(tài)進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)時，柵極—發(fā)射極間電壓。其單位為V；

（8）集電極—發(fā)射極飽和電壓UCE（sat）—— 在室溫下，集電極—發(fā)射極間的電壓降，一般為3V以下。其單位為V；

（9）柵極電容C，。，-IGBT柵極—發(fā)射極間的輸入 電容，一般為3000一 30000pF;

（10）導(dǎo)通延遲時間td——在室溫下，柵極-發(fā)射極問電壓從反向偏置變到UGE=UGE（th）所需的時間。其單位為μs或ns；

（11）電流上升時間tir——在室溫下，在導(dǎo)通過程中，從柵極—發(fā)射極電壓達(dá)到開啟電壓UGE（th）起，到集電極電流達(dá)到 ICM所需的時間。其單位為μs或ns；

（12）電壓下降時間tuf——在室溫下，在導(dǎo)通過程中，從.IGBT的集電極—發(fā)射極間電壓開始下降起，到集電極—發(fā)射極電壓達(dá)到飽和電壓UCE（sat）所需的時間。其單位為vs或ns；

（13）導(dǎo)通時間ton——ton＝td+tir+tuf。其單位為μs或ns；

（14）存儲時間ts——在室溫下，在關(guān)斷過程中，從IGBT的柵極—發(fā)射極開始下降起，到柵極—發(fā)射極電壓下降到UGE＝UGE（th），集電極電流開始下降所需的時間。其單位為μs或ns；

（15）電壓上升時間tur——在室溫下，在關(guān)斷過程中，從IGBT的集電極電流開始下降起，到因di/dt的作用產(chǎn)生電壓過沖所需的時間。其單位為μs或ns；

（16）電流下降時間tif ——在室溫下，在關(guān)斷過程中，從IGBT的集電極—發(fā)射極間產(chǎn)生電壓過沖起，到集電極電流下降到集電極—發(fā)射極漏電流所需的時間。其單位為μs或ns；

（17）關(guān)斷時間toff——toff=ts+tur+tif。其單位為μs或ns；

（18） du/dt-在室溫下，IGBT不產(chǎn)生誤導(dǎo)通，集電極—發(fā)射極問所能承受的 的電壓上升率。其單位為V/μs；

（19）熱阻Rθ——在室溫下，單位功耗引起 IGBT管芯的溫升。其單位為℃/W；

（20） 允許結(jié)溫TjM ——IGBT所允許的 結(jié)溫。其單位為℃。TjM與IGBT的封裝形式有關(guān)。對于塑封單管IGBT，TjM =125℃；對于模塊化封裝的IGBT，TjM＝150℃。

PT-IGBT與NPT-IGBT的區(qū)別

PT-IGBT與NPT-IGBT是同是采用溝槽柵或平面柵技術(shù)，但是他們的發(fā)展方向不一致。

·PT-IGBT：采用平面柵或者溝槽柵，技術(shù)改進(jìn)的主要方向是控制載流子壽命和優(yōu)化N+緩沖區(qū)。

·NPT-IGBT：采用平面柵或者溝槽柵，技術(shù)改進(jìn)的主要方向是減小芯片厚度。