六。 IGBT的驅動與隔離問題

　　可控半導體器件都存在控制部分，晶閘管和晶體管也不例外。為了提高可靠性，要求驅動或觸發部分必須和主電路嚴格隔離，兩者不能有電的聯系。

　　與晶閘管的脈沖沿觸發特性不同（沿驅動），IGBT等晶體管的導通要求柵極具有持續的電流或電壓（電平驅動），這樣，晶體管就不能象晶閘管那樣，通過采用脈沖變壓器實現隔離，驅動電路必須是有源的，電路較為復雜，而且包含驅動電源在內，要和主電路有高耐壓的隔離。實踐證明，晶體管的驅動隔離是導致系統可靠性降低不可忽略的因素，據不完全統計，由于驅動隔離問題而導致故障的幾率約占總故障的15%以上。

　　七。 結束語

　　附表1、2總結了晶閘管和IGBT部分性能的對比：

　　附表1 SCR（晶閘管）與IGBT的部分性能對比

　　IGBT斬波受器件容量和晶體管特性的限制，在較大功率（500KW以上）的內饋調速應用上還存在問題，其中主要表現在承受過流、過壓的可靠性方面。不能以IGBT的全控優點，掩蓋其存在的不足，科學實踐需要科學的態度。

　　在大功率開關應用的可靠性方面，晶閘管要優于晶體管，這是半導體器件原理所決定的。目前，新型晶閘管的發展速度非常之快，目的是解決普通晶閘管存在無法門極關斷的缺點，國外（目前僅有ABB公司）最新推出的TGO與MOSFET的組合——集成門極換向晶閘管IGCT是較為理想的晶閘管器件，最為適合大功率斬波應用。

　　IGCT和IGBT目前都存在依賴進口和價格昂貴的問題，受其影響，給我國的斬波內饋調速應用造成不小的困難，維修費用高，器件參數把控難，供貨時間長等因素都應該在產品化時慎重考慮。

　　盡管普通晶閘管存在關斷困難的缺點，如果能夠加以解決，仍然是近期大功率斬波應用的主導方向，理由是普通晶閘管的其它優點是晶體管無法替代的。