UM3257采用亞微米CMOS工藝生產(chǎn)，在DFN12的封裝里面集成了2路單刀雙擲開(kāi)關(guān)電路，DFN12封裝的外形尺寸為3mmX1.6mmX0.5mm,占用PCB板面積4.8mm2,器件高度僅為0.5mm。
2021-04-16 07:38:15
CMOS模擬電路設(shè)計(jì)教材本書(shū)共11章大小：22M微電子學(xué)系列1.半導(dǎo)體器件-物理與工藝2.表面安裝技術(shù)手冊(cè)3.多晶硅發(fā)射極晶體管及其集成電路4.超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-系統(tǒng)與電路5.SOI技術(shù)—21世紀(jì)的硅集成電路技術(shù)6.CMOS模擬電路設(shè)計(jì)[hide]CMOS模擬電路設(shè)計(jì).pdf[/hide]
2009-11-19 17:04:30
開(kāi)關(guān)器件 模擬開(kāi)關(guān)CD4066BM：四雙邊開(kāi)關(guān)CD74HC123M：高速CMOS雙路可再觸發(fā)單穩(wěn)多諧振蕩器CD74HC4051E：高速CMOS模擬多路開(kāi)關(guān)CD74HC4051M：高速CMOS模擬多路
2021-10-29 06:23:14
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模擬CMOS IC學(xué)習(xí)總結(jié),個(gè)人總結(jié)。。。
2013-11-02 15:00:42
模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)本書(shū)介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)。從直觀和嚴(yán)密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時(shí)還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計(jì)遇到的新問(wèn)題及電路技術(shù)的新發(fā)展。本書(shū)由淺入深
2009-09-25 10:04:03
我想選擇一塊模擬開(kāi)關(guān)。用于Pt1000的溫度AD轉(zhuǎn)換，主要是為了節(jié)省恒流源溫度采集的電路。通過(guò)查找資料，大部分模擬開(kāi)關(guān)都有較大的導(dǎo)通電阻，而且隨溫度變換較大。希望找到一款多通道模擬電路開(kāi)，且隨溫度變化小的模擬開(kāi)關(guān)。或者，有其他的解決辦法嗎？
2014-03-25 19:03:21
ADXL202的引腳定義ADXL202的基本特性ADXL202的典型應(yīng)用ADXL202傳感器與LPC2103的接口電路設(shè)計(jì)
2021-04-23 06:48:57
AP1605 Pwm / Pfm雙模式降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的典型正常應(yīng)用。 AP1605由CMOS降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和PWM / PFM雙模控制組成
2020-07-17 09:30:34
產(chǎn)品描述BCT4717是兩路，雙向單刀雙擲CMOS模擬開(kāi)關(guān)，工作電壓從1.8V到5.5V。高帶寬（300MHz）， 低導(dǎo)通電阻（4ΩTyp），目標(biāo)應(yīng)用在音頻信號(hào)的切換。BCT4717的特性保證了通道
2020-08-12 14:15:55
四SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-28 18:13:12
Stratix系列器件的主要特性是什么？Stratix器件的典型應(yīng)用有哪些？
2021-04-30 07:00:39
模擬開(kāi)關(guān)介紹 模擬開(kāi)關(guān)，是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)通路的開(kāi)關(guān)，主要用來(lái)完成信號(hào)鏈路連接或斷開(kāi)的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，在各種
2021-03-15 11:45:39
CMOS模擬集成電路該如何去設(shè)計(jì)？這里有一份CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)手冊(cè)請(qǐng)查收。
2021-06-22 06:27:16
NCP1729開(kāi)關(guān)電容電壓反相器的典型應(yīng)用。 NCP1729是一款CMOS電荷泵電壓逆變器，設(shè)計(jì)用于在1.5至5.5 V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，輸出電流能力超過(guò)50 mA
2020-07-23 08:40:00
單平衡混頻器是什么工作原理？如何利用CMOS模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)平衡混頻器？CMOS模擬開(kāi)關(guān)具有哪些特性？利用CMOS開(kāi)關(guān)可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)混頻器，有什么注意事項(xiàng)？
2021-04-13 06:50:16
如何去設(shè)計(jì)軌到軌CMOS模擬緩沖器？怎樣對(duì)軌到軌CMOS模擬緩沖器進(jìn)行仿真？
2021-04-23 06:35:57
、低成本和低功耗等突出優(yōu)點(diǎn)，使得采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)已經(jīng)成為一種必然的趨勢(shì)。圖1 射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)工作原理圖插入損耗、隔離度和線性度，是衡量射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)特性的三個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，除此之外，回波損耗也是一項(xiàng)
2019-07-31 06:22:33
常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳功能和工作原理CMOS模擬開(kāi)關(guān)典型應(yīng)用舉例
2021-04-23 06:17:43
±2kV的短時(shí)間靜電放電(ESD)。典型CMOS模擬開(kāi)關(guān)的RON會(huì)造成信號(hào)電壓的線性衰減，衰減量正比于流過(guò)開(kāi)關(guān)的電流。對(duì)于適當(dāng)大小的電流，或者設(shè)計(jì)中已經(jīng)考慮了RON的效應(yīng)，這一點(diǎn)可能并非是一個(gè)缺陷。然而
2011-12-16 10:47:02
課程名稱：CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)課程簡(jiǎn)介：該課程主要是版圖類(lèi)課程的后續(xù)，主要集中講解了CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)，內(nèi)容包括CMOS工藝基礎(chǔ)，MOS器件物理與模型，單級(jí)放大器，差分放大器，電流鏡電路
2021-11-10 07:26:01
CMOS 模擬開(kāi)關(guān)對(duì)傳輸信號(hào)的影響是什么呢？如何實(shí)現(xiàn)改進(jìn)型模擬開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)？
2021-04-02 07:15:27
模擬開(kāi)關(guān)由于采用的是集成MOS管作為開(kāi)關(guān)的器件實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能；由于MOS管自身物理特性，在使用的時(shí)候需要注意哪些事項(xiàng)呢？
2019-08-08 07:16:22
摘要š用CMOS集成模擬開(kāi)關(guān)變通設(shè)計(jì)的脈寬解碼器不同于目前用于控制中的其它解碼器Œ它是一種多通道的串行脈寬解碼器" 在與£ ¯³ 模擬開(kāi)關(guān)變通設(shè)計(jì)的脈寬
2008-09-02 11:25:55
52 本文介紹的是如何選擇正確的CMOS模擬開(kāi)關(guān)。
2009-04-20 11:34:0955 研究了一種典型CMOS 源耦合差分對(duì)管電路（OTA）的非線性特性，得到非線性失真項(xiàng)。據(jù)此，導(dǎo)出了由OTA 構(gòu)成模擬電阻和模擬電感以及其他一些模擬元件電路的非線性特性解析式，這
2010-01-07 14:52:1317 模擬開(kāi)關(guān)在電子設(shè)各中起著接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的作用 這種開(kāi)關(guān)在自動(dòng)控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。過(guò)去．為了實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能，常常使用大家熟知的繼電器。由于集成模擬開(kāi)關(guān)具有功
2010-04-14 18:45:5595 CMOS模擬開(kāi)關(guān)的選擇與典型應(yīng)用
一、前言：早期的模擬開(kāi)關(guān)大多工作于±20V 的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號(hào)與數(shù)字控制的接口，近幾
2010-05-24 17:36:1757 摘要：本文介紹了CMOS傳輸門(mén)在數(shù)據(jù)選擇器、觸發(fā)器、邏輯運(yùn)算和開(kāi)關(guān)方面的應(yīng)用．關(guān)鍵詞：CMOS傳輸門(mén)；CMOS雙向模擬開(kāi)關(guān)；數(shù)據(jù)選擇器；觸發(fā)器；邏輯運(yùn)算；開(kāi)關(guān)
2010-05-28 08:38:5145 開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的作用。最常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路。CMOS模擬開(kāi)關(guān)
2010-06-06 11:18:4075 典型環(huán)節(jié)
模擬方法及動(dòng)態(tài)
特性
第一章 自動(dòng)控制原理實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)一
典型環(huán)節(jié)
模擬方法及動(dòng)態(tài)
特性一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆毡?/div>
2008-10-15 22:30:22
3806 
MAX333A 精密的、四路、SPDT、CMOS模擬開(kāi)關(guān)
MAX333A 概述
The MAX333A is a precision, quad, single-pole double-throw (SPDT) analog switch. The
2008-11-27 15:42:353044 
MAX394 四路、SPDT、CMOS模擬開(kāi)關(guān)—取代MAX333A
概述
The MAX394 is a precision, low-voltage, quad, single-pole/double-throw (SPDT) analog swit
2008-11-27 15:47:291795 
CMOS集成模擬開(kāi)關(guān)控制電路
2009-02-09 16:00:28880 
CMOS傳輸門(mén)
MOSFET的輸出特性在原點(diǎn)附近呈線性對(duì)稱關(guān)系，因而它們常用作模擬開(kāi)關(guān)。模擬開(kāi)關(guān)廣泛地用于取樣——保持電路、斬波電路、模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路等。下面著重
2009-04-06 23:32:004906 
典型非線性環(huán)節(jié)的模擬
一、 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?
1、非線性環(huán)節(jié)的模擬方法。
2、掌握非線性
2009-05-10 00:16:366160 
CMOS雙向模擬開(kāi)關(guān)的電路結(jié)構(gòu)和符號(hào)
2009-07-15 19:07:512503 
典型環(huán)節(jié)的模擬及參數(shù)測(cè)試
根據(jù)數(shù)學(xué)模型的相似原理，我們應(yīng)用電子元件模擬工程系統(tǒng)中的典型環(huán)節(jié)，然后加入典型測(cè)試信號(hào)，測(cè)試環(huán)節(jié)的輸出響應(yīng)。反之從實(shí)
2009-07-25 10:55:024303 典型雙路開(kāi)關(guān)布線
當(dāng)燈泡熄滅時(shí)，用哪一個(gè)
2009-10-08 16:11:041055 
模擬開(kāi)關(guān),什么是模擬開(kāi)關(guān)
模擬開(kāi)關(guān)就是開(kāi)關(guān)晶體管，它在控制
2010-03-22 17:04:477721 CMOS模擬開(kāi)關(guān),CMOS模擬開(kāi)關(guān)是什么意思
CMOS（本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體——一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料）是微機(jī)主板上的一塊可
2010-03-22 17:10:591916 雙向模擬開(kāi)關(guān),雙向模擬開(kāi)關(guān)原理圖
用雙向模擬開(kāi)關(guān)有多種規(guī)格，表 7.3 中給出了與機(jī)械開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)的連接方法。
2010-03-22 17:13:278081 CMOS模擬開(kāi)關(guān)控制電路的組成
控制電路原理圖如圖l所示，它是由可控脈沖發(fā)生電路
2010-04-14 18:49:502245 
CMOS雙向開(kāi)關(guān)工作原理
CMOS雙向開(kāi)關(guān)也稱CMOS傳輸門(mén)。CMOS雙向開(kāi)關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。
2010-05-24 15:59:518227 
開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的作用。最常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路。CMOS模擬開(kāi)關(guān)
2010-07-17 10:05:545606 
1、CMOS集成模擬開(kāi)關(guān)的基本原理
CMOS模擬開(kāi)關(guān)具有電源電壓范圍寬（4000系列
2010-12-06 13:06:533991 
MAX4699/MAX4701/MAX4702為低電壓、單電源CMOS模擬開(kāi)關(guān)。MAX4699/MAX4701為雙路、雙刀雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)，兩個(gè)控制輸入用于控制兩路單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)
2011-06-16 10:57:351689 
本書(shū)是模擬集成電路設(shè)計(jì)課的一本經(jīng)典教材。全書(shū)共分5個(gè)部分。主要介紹了模擬集成電路設(shè)計(jì)的背景知識(shí)、基本MOS半導(dǎo)體制造工藝、CMOS技術(shù)、CMOS器件建模，MOS開(kāi)關(guān)、MOS二極管、有源電
2012-02-15 15:26:020 集成模擬開(kāi)關(guān)常常用作模擬信號(hào)與數(shù)字控制器的接口。當(dāng)今市場(chǎng)上的模擬開(kāi)關(guān)數(shù)量眾多，產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員需要考慮多項(xiàng)性能標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)也有許多35年前開(kāi)發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)CMOS開(kāi)關(guān)已經(jīng)發(fā)展為專用的
2012-12-26 14:33:3813435 
NMOS管的開(kāi)關(guān)特性，基礎(chǔ)的模擬電路，很好的資料
2016-01-13 14:47:030 本文概述了模擬開(kāi)關(guān)的基本結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用范圍；定義了導(dǎo)通電阻、平坦度和電荷注入等與性能密切相關(guān)的指標(biāo)；并對(duì)ESD保護(hù)、故障保護(hù)和加載-感應(yīng)功能等針對(duì)特定應(yīng)用的特性進(jìn)行了介紹。
2016-05-13 16:40:237 MC74VHC1G66是一種先進(jìn)的高速CMOS雙邊模擬開(kāi)關(guān)用硅柵CMOS技術(shù)制作的。 實(shí)現(xiàn)高速傳播延遲和低電阻，同時(shí)保持低功耗CMOS。 該雙向開(kāi)關(guān)控制模擬和數(shù)字電壓可能完全不同的供電范圍（VCC
2017-04-05 11:52:5810 本文主要介紹了cd4066典型應(yīng)用電路圖（雙向模擬開(kāi)關(guān)/電子開(kāi)關(guān)/音響發(fā)聲電路圖詳解）。CD4066是CMOS四雙向模擬開(kāi)關(guān)集成電路，采用14腳雙列直插式封裝．每片封裝有4個(gè)獨(dú)立的模擬開(kāi)關(guān)每個(gè)模擬
2018-03-14 17:29:4661574 
本文主要介紹了cmos傳輸門(mén)如何傳輸（cmos傳輸門(mén)工作原理及作用_真值表），CMOS傳輸門(mén)（TransmissionGate）是一種既可以傳送數(shù)字信號(hào)又可以傳輸模擬信號(hào)的可控開(kāi)關(guān)電路。CMOS傳輸
2018-04-08 14:06:4571533 
本文首先介紹了CMOS反相器的傳輸特性，其次介紹了cmos反相器概念，最后介紹了CMOS反相器的工作原理。
2018-08-16 14:51:0422529 當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。
2018-11-21 08:01:003775 模擬開(kāi)關(guān)使用并行的 P 溝道 MOSFET 與 N 溝道 MOSFET 來(lái)創(chuàng)建雙向開(kāi)關(guān)。ON Semiconductor 的 NS5B1G384 SPST 常閉模擬開(kāi)關(guān)便是一個(gè)簡(jiǎn)單的 CMOS 模擬
2019-02-06 09:44:0013922 
、MOS二極管、有源電阻、電流阱和電流源等模擬CMOS分支電路，以及反相器、差分放大器、共源共柵放大器、電流放大器、輸出放大器等CMOS放大器的原理、特性、分析方法和設(shè)計(jì)，CM0S運(yùn)算放大器、高性能CMOS運(yùn)算放大器、比較器，開(kāi)關(guān)電容電路、D/A和A/D變換器等C
2019-03-11 08:00:000 用模擬開(kāi)關(guān)芯片（ADG442BRZ）直接驅(qū)動(dòng)繼電器電路 在電子愛(ài)好者認(rèn)識(shí)電路知識(shí)的的習(xí)慣中，總認(rèn)為CMOS集成塊本身不能直接帶動(dòng)繼電器工作，但實(shí)際上，部分CMOS集成塊不僅能直接帶動(dòng)繼電器工作，而且工作還非常穩(wěn)定可靠。
2019-06-04 14:32:0611950 盡管模擬開(kāi)關(guān)具有機(jī)械開(kāi)關(guān)不可取代的優(yōu)勢(shì)，然而它的應(yīng)用較機(jī)械開(kāi)關(guān)稍微復(fù)雜些，初次使用模擬開(kāi)關(guān)的工程人員往往會(huì)由于模擬開(kāi)關(guān)使用不當(dāng)，引起整個(gè)系統(tǒng)的故障。本文通過(guò)將模擬開(kāi)關(guān)與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)作比較，論述了模擬開(kāi)關(guān)的若干基本概念，并結(jié)合實(shí)例對(duì)模擬開(kāi)關(guān)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行研究。
2019-06-04 15:51:544468 
源等模擬CMOS分支電路，以及反相器、差分放大器、共源共柵放大器、電流放大器、輸出放大器等CMOS放大器的原理、特性、分析方法和設(shè)計(jì)，CM0S運(yùn)算放大器、高性能CMOS運(yùn)算放大器、比較器，開(kāi)關(guān)電容電路、D/A和A/D變換器等CMOS模擬系統(tǒng)的分析方法、設(shè)計(jì)和模擬等
2019-08-13 08:00:00146 當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。
2020-04-15 14:23:301622 
NLAS5223是安森美公司推出的器件，是一種先進(jìn)的CMOS模擬開(kāi)關(guān)。在一個(gè)小尺寸10引腳WQFN封裝中，有兩個(gè)獨(dú)立的單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)。該模擬開(kāi)關(guān)主要特點(diǎn)：工作電壓低，VCC=1.65～3.6V
2020-08-14 14:57:212362 
開(kāi)關(guān)量和模擬量是什么?剛接觸工控行業(yè)的人可能不太清楚。先說(shuō)什么是開(kāi)關(guān)量和模擬量。有哪些功能，有什么區(qū)別? 開(kāi)關(guān)量和模擬量是工業(yè)控制PLC中常用的數(shù)據(jù)，大部分輸入輸出都是通過(guò)開(kāi)關(guān)量和模擬量傳輸
2021-02-05 16:45:1110126 UG-915：I2C CMOS 8×8雙/單電源模擬開(kāi)關(guān)陣列評(píng)估板
2021-04-23 18:26:129 ADG201S：高速四路SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)航天數(shù)據(jù)表
2021-04-26 19:46:3511 AD7510/AD7512：DI CMOS保護(hù)模擬開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-04-28 19:07:0610 ADG200：DI CMOS保護(hù)雙SPST模擬開(kāi)關(guān)過(guò)時(shí)數(shù)據(jù)表
2021-05-07 18:47:308 UG-341：評(píng)估板-I2C，CMOS，8×12模擬開(kāi)關(guān)陣列，雙/單電源
2021-05-11 17:51:207 LTC221/LTC222：微功耗、低電荷注入、帶數(shù)據(jù)鎖存器的四路CMOS模擬開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-20 14:35:141 LTC201A/LTC202/LTC203：微功耗、低電荷注入、四路CMOS模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品手冊(cè)
2021-05-21 17:00:193 AD7511：DI CMOS保護(hù)模擬開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-25 11:45:123 帶雙單電源的ADG2108 I2C?CMOS 8×10無(wú)緩沖模擬開(kāi)關(guān)陣列數(shù)據(jù)表
2021-06-16 17:10:241 帶雙單電源的ADG2128 I2C?CMOS 8×12無(wú)緩沖模擬開(kāi)關(guān)陣列數(shù)據(jù)表
2021-06-16 17:19:243 開(kāi)關(guān)器件 模擬開(kāi)關(guān)CD4066BM：四雙邊開(kāi)關(guān)CD74HC123M：高速CMOS雙路可再觸發(fā)單穩(wěn)多諧振蕩器CD74HC4051E：高速CMOS模擬多路開(kāi)關(guān)CD74HC4051M：高速CMOS模擬多路
2021-10-22 10:36:029 是一款配置為四路的CMOS模擬IC，雙向單刀雙擲（SPDT）開(kāi)關(guān)。這種CMOS器件可以在1.8伏到5.5伏之間工作。 該設(shè)備是數(shù)字控制的模擬開(kāi)關(guān)。低導(dǎo)通電阻（3Ω典型值）和低串?dāng)_（-58dB
2022-04-22 13:45:12491 
LN3052 是一款雙路單刀雙擲(SPDT)CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，適用于語(yǔ)音切換，移動(dòng)設(shè)備等。LN3052 可在 1.8V-5.5V的電源下工作，工作帶寬為 300MHz，最低導(dǎo)通電阻為4.5Ω。
2022-06-16 11:55:224817 
是配置為四芯的CMOS模擬IC，雙向單極/單擲（SPST）開(kāi)關(guān)。 該CMOS器件的工作電壓范圍為1.8 V至5.5 V。RS2268設(shè)備可以處理模擬和數(shù)字
2022-09-30 17:03:421580 
許多工程師第一次使用模擬開(kāi)關(guān)，往往會(huì)把模擬開(kāi)關(guān)完全等同于機(jī)械開(kāi)關(guān)。其實(shí)模擬開(kāi)關(guān)雖然具備開(kāi)關(guān)性，但和機(jī)械開(kāi)關(guān)有所不同，它本身還具有半導(dǎo)體特性：
2023-02-06 14:48:111488 
模擬開(kāi)關(guān)，是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)通路的開(kāi)關(guān)，主要用來(lái)完成信號(hào)鏈路連接或斷開(kāi)的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，在各種自動(dòng)控制系統(tǒng)和電子
2023-02-09 10:21:45820 
導(dǎo)通電阻(Ron)隨輸入信號(hào)(Vin)變化而變化 模擬開(kāi)關(guān)的常開(kāi)常閉通道實(shí)際上是由兩個(gè)對(duì)偶的N溝道MOSFET與P溝道MOSFET構(gòu)成，可使信號(hào)雙向傳輸，如果將不同Vin值所對(duì)應(yīng)的P溝道MOSFET
2023-02-09 10:25:43897 
原廠： 潤(rùn)石科技 型號(hào)： RS2103 ? 封裝： SOT363 (SC70-6) ，SOT23-6 品類(lèi): 低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開(kāi)關(guān) 應(yīng)用: [可穿戴設(shè)備] [ 電池供電設(shè)備] [信號(hào)
2023-04-07 17:59:32466 本文回顧了標(biāo)準(zhǔn)CMOS模擬開(kāi)關(guān)的基本結(jié)構(gòu)和通用模擬開(kāi)關(guān)的一些基本參數(shù)，比如導(dǎo)通電阻(RON)、RON平坦度、泄漏、電荷注入和關(guān)斷隔離。文章討論了新型模擬開(kāi)關(guān)的性能改進(jìn)：更好的開(kāi)關(guān)特性、更低的工作電壓
2023-06-12 10:20:151884 
模擬開(kāi)關(guān)，英文名Analog switches；主要是完成信號(hào)鏈路中的信號(hào)切換功能。采用MOS管的開(kāi)關(guān)方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)信號(hào)鏈路關(guān)斷或者打開(kāi)；由于其功能類(lèi)似于開(kāi)關(guān)，而用模擬器件的特性實(shí)現(xiàn)，稱為模擬開(kāi)關(guān)。
2023-06-25 11:04:37583 
開(kāi)關(guān)量和模擬量是大家學(xué)習(xí)PLC初期使用最多的兩種輸入輸出方式。 什么是開(kāi)關(guān)量？什么是模擬量？這個(gè)問(wèn)題必須弄清楚。 ▲圖1▲ 圖1是一個(gè)典型能輸出開(kāi)關(guān)量信號(hào)的器件。壓力高時(shí)C和B兩個(gè)觸點(diǎn)閉合接通，輸出
2023-10-13 15:08:36643 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通用CMOS雙向雙4通道模擬開(kāi)關(guān)NMUX1309數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-23 10:46:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通用CMOS雙向8通道模擬開(kāi)關(guān)NMUX1308數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-23 10:48:491 影響CMOS反相器特性的因素? CMOS反相器是一種常見(jiàn)的數(shù)字電路，用于將輸入信號(hào)取反輸出。它由一個(gè)P型MOS管和一個(gè)N型MOS管組成，通過(guò)控制兩個(gè)管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)輸入信號(hào)的取反輸出。CMOS
2024-01-26 14:21:10277 
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