若計(jì)算出LI不是標(biāo)準(zhǔn)值，應(yīng)選擇最接近此計(jì)算值的標(biāo)準(zhǔn)值，誤差可在±50％之間。若選擇的電感值低于計(jì)算的理想值，峰值電感電流會偏高一點(diǎn)，反之，峰值電感電流會偏低一點(diǎn)。鑒于工作頻率較高，推薦使用鐵氧體鐵芯，不要使用一般鐵芯。電感的飽和電流應(yīng)高于計(jì)算的峰值電流，并且其串聯(lián)等效電阻（ESR）應(yīng)盡量低。串聯(lián)等效電阻的能耗為：

?

?

電容值一般選擇COUT（MIN）的2倍～3倍。建議不要使用陶瓷電容器，而使用鉭電解電容器等。

3.2　非連續(xù)模式的設(shè)計(jì)

連接SET與GND，使最大占空比低于67％；連接SET與VCC，最大占空比在67％～99％之間，非連續(xù)模式可以在任何占空比下工作。當(dāng)外加占空比接近SET設(shè)置的最大占空比時，工作性能最佳。

1）開關(guān)頻率的計(jì)算

開關(guān)頻率與負(fù)載電流成正比關(guān)系：

4）輸出電容器的選擇

在非連續(xù)模式下工作，輸出電容器可以選用低ESR的陶瓷電容器或鉭電解電容器等。對

6）反饋電容器的選擇

對于兩種工作模式，若使用前饋電容器，會在FB端得到較大的輸出紋波。因此需要在FB與GND之間連接一個反饋電容器。反饋電容值CFB一般與CFF相等，并可以上下調(diào)整。若不使用前饋電容器，則不需要反饋電容器。

7）輸入電容器的選擇

輸入電容器CIN可以減小輸入電源的電流峰值，提高效率，減小噪聲。輸入電源的阻抗值決定了CIN的大小，阻抗值越高，電容越大，一般選擇CIN=COUT。

考慮到電容器的體積，推薦使用01μF的陶瓷電容器。在自舉工作時，用一個10Ω的電阻器連接在輸出端和VCC之間，將輸入電容器和輸出電容器隔離。

8）功率MOSFET的選擇

需要選擇N溝道MOSFET，主要考慮總的柵極電荷Qg、反向傳遞電容或電荷CRSS、通態(tài)電阻RDS(ON)、最大的VDS（MAX）、最小的閾值電壓VTH(MIN)。當(dāng)高頻工作時，Qg和CRSS對效率的影響更大一些，為主要考慮對象。

9）二極管的選擇

高頻工作時要求選擇快速二極管，推薦使用肖特基二極管，因?yàn)槠渚哂锌旎謴?fù)時間和低的正向壓降。其電流額定值應(yīng)為，反向擊穿電壓必須高于VOUT。當(dāng)輸出電壓較高時，可選用硅整流二極管。

基于以上參數(shù)的計(jì)算方法，以一電源的設(shè)計(jì)為例，在連續(xù)工作模式下計(jì)算出各參數(shù)，具體為

VIN=3.3V±0.33V，VOUT=5V;

IOUT(MAX)=700mA,IP=1.48A;

L實(shí)際=3.3μH,LI=3.72μH;

CFF=100pF,CFB=100pF,CIN=33μF,

COUT=14μF～448μF,COUT（實(shí)際）=33μF;

R1=100kΩ,R2=33.2kΩ

DMAX=45.5％;

tON=0.5μs(SET=GND);

f=761kHz～800kHz(IOUT(MIN)=120mA)

3.3　典型應(yīng)用

MAX1524的典型應(yīng)用電路如圖2所示。

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