CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
在新一代電力電子技術領域，氮化鎵（GaN）技術因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能，已成為太空任務的革命性突破的關鍵。氮化鎵 (GaN) 技術已成為天基系統的游戲規則改變者，與傳統硅 MOSFET 相比，它具有卓越的耐輻射能力和無與倫比的電氣性能。
2024-02-26 17:23:14
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HMC8205BCHIPS是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，其主要技術參數如下：頻率范圍：0.4 GHz至6 GHz輸出功率：在頻率范圍內，最大輸出功率為45.5 dBm (相當于35 W)功率
2024-02-16 17:33:52
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協議
2024-01-11 18:17:32865
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領域有著廣泛應用的潛力。以下是幾個氮化鎵芯片的應用領域
2024-01-10 10:13:19436 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化鎵技術（GaN技術）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領域。本文將詳細介紹氮化鎵技術的用途和應用，并從不同領域深入探討其重要性和優勢
2024-01-09 18:06:36294 事通訊設備產品規格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛星通信
2023-12-15 17:43:45
2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
2023-12-15 16:44:11462 在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設備。
2023-12-14 09:23:06547 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優勢。
2023-12-07 09:44:52777 
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化
2023-11-24 11:05:11822 GaN氮化鎵晶圓硬度強、鍍層硬、材質脆材質特點，與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現的問題。同時，GaN產品的高壓特性，也在封裝設計過程對爬電距離的設計要求也與硅基IC有明顯的差異。
2023-11-21 15:22:36333 
GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53434 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電壓下可以降低導通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293605 
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。
2023-11-02 10:32:041265 
渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術專家和超過 350 個氮化鎵技術專利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52206 隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統硅MOSFET和IGBT的性能現在接近材料的理論極限，進一步發展只是以緩慢和高成本實現微小
2023-10-25 16:24:43641 
交割日，GaN Systems現已成為英飛凌的一部分。 英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck表示：“氮化鎵技術為支持脫碳的更節能、更節能的二氧化碳解決方案鋪平了道路。收購GaN Systems顯著加快了我們的GaN路線圖，并通過掌握所有相關功率半導體技術，進一步加強了英飛凌在電源系統
2023-10-25 14:51:13477 10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案
2023-10-25 11:38:30189 
隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場，氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證，同時也加速了氮化鎵技術在快充市場的普及。目前，快充源市場上氮化鎵主要以三種形式使用，即GaN單管功率器件、內置驅動器的GaN功率芯片以及內置控制器、驅動器和GaN功率器件的封裝芯片。其中，GaN單管功率器件發展最快
2023-10-23 16:38:59292 隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而在這些設備中，電源是一個非常重要的部件。近年來，氮化鎵（GaN）材料在電源領域的應用逐漸受到關注，成為推動新型電源解決方案的重要力量。
2023-10-20 16:41:43229 隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設備中的應用，以及氮化鎵解決方案如何實現更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344 
氮化鎵（GaN）是電力電子行業的一個熱門話題，因為它可以實現80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設計。在許多特定的應用中，GaN已經取代了傳統
2023-10-13 15:25:33355 
全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:23476 
干貨 | 氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要
2023-09-27 16:13:56484 
15年左右行業內開始掀起風磁編碼器替代光電編碼器，而且在22年的時候國內幾家磁編發展迅速取得了很大的成績，可是23年開始隨著光電編碼成本的下調技術的革新，又有客戶回歸到用光電的技術。
是不是現在達到一個平衡點了？還是說磁編還有突破的空間？
2023-09-26 13:03:43
目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統效率。基于氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。意法半導體的數字電源解決方案可以使用專用的評估板、參考設計、技術文檔和eDesignSuite軟件配置器和設計工具來實現
2023-09-06 07:44:16
在競爭激烈的當今市場中，可再生能源、儲能、電源適配器、電源充電器和數據處理應用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解決方案來提高性能，以滿足不斷增長的電信、汽車、醫療保健和航空航天行業的需求。氮化鎵
2023-09-06 06:38:52
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
華為Mate60系列手機在近期在華為商城上架并全面開售，掀起了手機行業的熱潮。
2023-09-04 14:42:27884 氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料
?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
開關電源紋波波形? 開關電源紋波波形是在開關電源輸出端出現的交流紋波電壓，通常在直流電壓上疊加的一種電壓波形。這種波形會對電路的正常工作產生嚴重的干擾，因此對電源的輸出紋波進行有效的抑制是非
2023-08-29 10:38:491410 的尺寸和更輕的重量。 傳統硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導損耗和開關損耗。 功率晶體管是開關電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術）的開發已引起電力電子行業的關注。
2023-08-28 17:03:082026 
生長氮化鎵薄膜，形成GaN基礎器件的結構。由于氮化鎵材料的性質優良，GaN技術被廣泛應用于LED、高頻功率放大器、射頻器件等領域。
2023-08-22 15:17:312375 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
氮化鎵電源方案功率通常達到65W、100W、120W等，氮化鎵功率器件生產商英諾賽科推出INN650D260A氮化鎵200w電源方案設計3C+2A多口輸出。英諾賽科INN650D260A氮化
2023-08-08 21:28:181273 
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優點呢？GaN在品質因數（
2023-08-03 14:43:28225 。安世博能源科技為電源行業領導廠商，擁有完整電源供應器、電動車充電模塊及車載充電器產品解決方案。結合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領域所累積的應用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統設計及批量生產的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業
2023-08-03 09:52:19253 
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數據中心節約多達 700 萬美元的能源成本。
2023-08-01 09:32:001330 
相對于傳統的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統的硅電源會產生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233602 友尚基于ST產品的GaN電源轉換器方案的實體圖 近年來，以氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料在消費電子領域的滲透率不斷提升，其能夠以高能效和高功率密度實現電源轉換，在快充時代備受歡迎。針對此趨勢，大聯大友尚基于ST ViperGaN50器件推出了GaN電源轉換器方案，能夠優化電
2023-07-20 18:05:06499 
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27410 
作為電力電子領域的核心技術之一，基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數據中心等領域有廣泛應用，這對提高電能的高效利用及實現節能減排起著關鍵作用。
2023-06-29 10:17:12481 
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
GaN技術實現快速充電系統
2023-06-19 06:20:57
前言
橙果電子是一家專業的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標準無塵生產車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
電機逆變器功率開關的比較電機逆變器:三相拓撲?IGBT:行業“主力”開關速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開關，更好?氮化鎵:幾乎沒有開關損耗
2023-06-16 11:31:56
作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大
2023-06-16 10:51:097122 納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是，電力電子行業中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時，近來氮化鎵(GaN
2023-06-12 10:53:287386 
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。
2023-06-12 10:17:171813 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體器件，憑借其優異的性能，在PD快充領域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過[氮化鎵GaN驅動器的PCB設計
2023-05-17 10:19:13832 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330 
、筆記本電腦、路由器等數碼產品中。基于氮化鎵功率器件，研發出的快充電源方案，可以為手機、平板電腦、筆記本電腦等提供更高的充電功率，極大提升充電體驗。本文介紹了一款65W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案，該方案采用功成半導體最新
2023-04-21 11:00:201613 
65W快充是目前快充市場出貨的主流規格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。
2023-04-20 09:40:201226 
氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中 ? 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 ? 氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種
2023-04-19 17:23:01934 來源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術，通常稱為 GaN
2023-04-19 16:30:00224 愛美雅）將隆重推出M版多協議兼容65W氮化鎵快充頭方案，目前已與國內通信龍頭及國內一線零售品牌建立了合作關系，未來這款2C1A的氮化鎵GaN快充頭將卷入65W及45W以下的多口充電需求。
2023-04-11 16:21:36557 
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內置MGZ31N65-650V氮化鎵開關管；采用PD3.0協議IC。
2023-04-07 09:37:16570 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計
2023-04-03 11:12:17553 
應對不同的應用場景。2. 應用領域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關電源特性? 集成氮化鎵直接驅動（6V DRV）? 集成高壓啟動（700V）? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:31:57
靈活應對不同的應用場景。2. 應用領域? 適配器? 充電器? AC-DC 開關電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅動（6V DRV）? 集成高壓啟動（700V）? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
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