電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)速率更高,為啥要更關(guān)注DDR的地址控制信號(hào)?數(shù)據(jù)信號(hào)一般都是點(diǎn)到點(diǎn)的拓?fù)洌掖蠖嘤衅隙私樱∣DT),走線拓?fù)浜?jiǎn)單加上端接加持,信號(hào)質(zhì)量通常都比較有保障。而DDR的地址控制類信號(hào)
2024-03-04 15:49:14
DDR一致性測(cè)試的操作步驟? DDR(雙數(shù)據(jù)率)一致性測(cè)試是對(duì)DDR內(nèi)存模塊進(jìn)行測(cè)試以確保其性能和可靠性。在進(jìn)行DDR一致性測(cè)試時(shí),需要遵循一系列的操作步驟,以保證測(cè)試的準(zhǔn)確性和完整性。下面將詳細(xì)
2024-02-01 16:24:52207 使用SC584外擴(kuò)DDR3,no_boot啟動(dòng)模式,開(kāi)發(fā)環(huán)境CCES-2.2.0版本,在線調(diào)試過(guò)程,程序可正常下載,但是在A5預(yù)加載過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)SYS_FAULT拉高現(xiàn)象,經(jīng)實(shí)際匯編單步調(diào)試發(fā)現(xiàn)
2024-01-12 08:11:46
DDR5已經(jīng)開(kāi)始商用,但是有的產(chǎn)品還才開(kāi)始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào),對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格,JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別? DDR(雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率)是一種常用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。在DDR中,終端匹配電阻和信號(hào)質(zhì)量是對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性至關(guān)重要的兩個(gè)方面。下面將詳細(xì)
2023-12-29 13:54:22316 時(shí)鐘頻率:可通過(guò)倍頻技術(shù)升級(jí)的核心頻率。時(shí)鐘頻率可以理解為IO Buffer的實(shí)際工作頻率,DDR2中時(shí)鐘頻率為核心頻率的2倍,DDR3 DDR4中時(shí)鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 被稱為 系統(tǒng)時(shí)鐘 。
DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸,是通過(guò)前沿和下降沿來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在每個(gè)時(shí)鐘周期的前沿和下降沿,DDR內(nèi)存會(huì)傳輸一個(gè)數(shù)據(jù),這意味著DDR內(nèi)存的傳輸速度是普通SDRAM的 兩倍 。
DDR芯片
2023-12-25 14:02:58
被稱為 系統(tǒng)時(shí)鐘 。
DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸,是通過(guò)前沿和下降沿來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在每個(gè)時(shí)鐘周期的前沿和下降沿,DDR內(nèi)存會(huì)傳輸一個(gè)數(shù)據(jù),這意味著DDR內(nèi)存的傳輸速度是普通SDRAM的 兩倍 。
DDR芯片
2023-12-25 13:58:55
DDR采用菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí),由于信號(hào)傳輸線較長(zhǎng)通常需要在DDR末端加上終端匹配電阻,端接的方式有很多,但是都是為了解決信號(hào)的反射問(wèn)題,通常為了消除信號(hào)的反射可以在信號(hào)的源端或者終端進(jìn)行
2023-12-25 07:45:01211 何有缺點(diǎn)?看過(guò)一個(gè)介紹是使用直方圖統(tǒng)計(jì)的方式來(lái)計(jì)算的,但需要大量的數(shù)據(jù);而且在測(cè)試這個(gè)指標(biāo)的時(shí)候輸入的信號(hào)是否也需要接近滿幅度?
(3)應(yīng)該怎么樣評(píng)估外部信號(hào)源的質(zhì)量可以滿足ADC測(cè)試要求?應(yīng)該關(guān)注
2023-12-22 06:55:00
如何利用示波器測(cè)試晶振信號(hào)? 示波器是一種廣泛用于電子測(cè)試和測(cè)量的儀器,可以幫助分析和顯示電信號(hào)的各種特征。在測(cè)試晶振信號(hào)時(shí),示波器可以用于觀察信號(hào)的振蕩頻率、幅度、穩(wěn)定性等參數(shù)。下面將詳細(xì)介紹
2023-12-18 14:16:13830 目前手上有一個(gè)ADI的AD9361子卡AD-FMCOMMS3_EBZ和一塊ZED BOARD的板子,想問(wèn)下怎么能夠利用IIOSCOPE軟件來(lái)快速上手測(cè)試。
2023-12-11 06:24:30
穩(wěn)定性測(cè)試、峰值檢測(cè)等,并自動(dòng)生成詳細(xì)的測(cè)試報(bào)告,包括波形圖、統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)和分析結(jié)論。這種自動(dòng)化不僅大大減少了測(cè)試時(shí)間,也減少了人為錯(cuò)誤,提高了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。
通過(guò)這個(gè)案例,我們成功地利用LabVIEW
2023-12-09 20:37:39
方波測(cè)試,仍然存在這樣的問(wèn)題。
難道ADA4932不適合單端轉(zhuǎn)差分的場(chǎng)合?
在50歐姆端接電阻的情況下,信號(hào)源能否驅(qū)動(dòng)50歐姆的電阻是未知的,對(duì)一般的信號(hào)都是運(yùn)放輸出,而運(yùn)放只能輸出到50mA就很大了。那我怎么利用ADA4932來(lái)實(shí)現(xiàn)高阻輸入呢?
2023-11-17 07:50:22
法人方面解釋說(shuō):“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo),因此,中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下,臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲,給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003886 DDR3是2007年推出的,預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 的24個(gè)GTY,LVDS信號(hào),DSP的1路以太網(wǎng)
三、軟件系統(tǒng)
?提供FPGA的接口測(cè)試程序,包括 DDR4、光纖、RapidIO、FMC等接口
?提供DSP接口測(cè)試程序,包括DDR3、Flash
2023-10-16 11:12:06
1. 簡(jiǎn)介
RK3588從入門到精通
ArmSoM團(tuán)隊(duì)在產(chǎn)品量產(chǎn)之前都會(huì)對(duì)產(chǎn)品做幾次專業(yè)化的功能測(cè)試以及性能壓力測(cè)試,以此來(lái)保證產(chǎn)品的質(zhì)量以及穩(wěn)定性
優(yōu)秀的產(chǎn)品都要進(jìn)行多次全方位的功能測(cè)試以及性能
2023-10-09 19:29:50
select,導(dǎo)入fdc文件,DDR3的相關(guān)配置便會(huì)自動(dòng)更改,而不需要手動(dòng)一個(gè)一個(gè)更改。
05 測(cè)試讀寫邏輯
自增計(jì)數(shù)對(duì)DDR所有地址寫一遍,寫完后對(duì)所有地址讀一遍,讀出來(lái)的數(shù)據(jù)與寫進(jìn)去的數(shù)據(jù)做一個(gè)
2023-10-09 19:07:29
摘要:本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 采集時(shí),就需要外擴(kuò)DDR SRAM二級(jí)存儲(chǔ)來(lái)滿足需求。
本期的主角盤古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上,為我們配備了兩片DDR3的芯片,來(lái)完成二級(jí)存儲(chǔ)的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡,這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441484 以MT41J128M型號(hào)為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3,每個(gè)bank的大小為16Mbit,一共有8個(gè)bank。
2023-09-15 15:30:09629 DDR3帶寬計(jì)算之前,先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速,一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個(gè)問(wèn)題點(diǎn),當(dāng)然其它3W,2H是基本點(diǎn)。
2023-09-15 11:42:37757 內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機(jī)制,如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機(jī)制可以自動(dòng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)和接收電路的特性,以優(yōu)化信號(hào)完整性和時(shí)序。
2023-09-11 09:14:34420 本文介紹一個(gè)FPGA開(kāi)源項(xiàng)目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 本文開(kāi)源一個(gè)FPGA項(xiàng)目:基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶接口的讀寫方式:《DDR3讀寫測(cè)試》,如果在某些項(xiàng)目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過(guò)MIG IP核提供的AXI接口來(lái)讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371888 MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒(méi)有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒(méi)有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
GND回流過(guò)孔,盡可能增加GND回流過(guò)孔數(shù)量,可以進(jìn)一步改善信號(hào)質(zhì)量,如下圖所示。
3、GND過(guò)孔和信號(hào)過(guò)孔的位置會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量,建議GND過(guò)孔和信號(hào)過(guò)孔交叉放置,如下圖所示,雖然同樣是4個(gè)GND回流
2023-08-16 15:15:53
在配置DDR200T的DDR3時(shí),一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊(cè)中并沒(méi)有給出,以及.ucf引腳約束文件也沒(méi)有提供,請(qǐng)問(wèn)這些信息應(yīng)該從哪里得到?
2023-08-16 07:02:57
復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache(新建用于DDR3仿真的文件夾)下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2023-07-16 15:27:103365 DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大,必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 AXI4讀寫控制模塊**
本次實(shí)驗(yàn)只是一個(gè)簡(jiǎn)單的讀寫測(cè)試實(shí)驗(yàn),故可以將一些AXI4的信號(hào)配置為常量。
使用按鍵控制數(shù)據(jù)開(kāi)始寫入DDR3,通過(guò)一個(gè)移位寄存器來(lái)產(chǎn)生這個(gè)寫標(biāo)志。
使用狀態(tài)機(jī)來(lái)控制寫地址信號(hào),寫
2023-06-25 17:10:00
。若信號(hào)傳輸質(zhì)量不夠理想,可以通過(guò)在serial I/O link的參數(shù)設(shè)置進(jìn)行調(diào)整,再重新掃描眼圖查看是否有改善。
為了測(cè)試GTX四個(gè)通道的誤碼率,創(chuàng)建多個(gè)links,對(duì)四個(gè)通道都進(jìn)行近端環(huán)回測(cè)試
2023-06-21 11:23:12
這里介紹兩種方式改善帶有ECC的奇數(shù)負(fù)載的DDR2信號(hào)質(zhì)量。一種不需要改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),另一種需要對(duì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整。
2023-06-15 17:39:34474 視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無(wú)法滿足存儲(chǔ)需求,因此需要配置外部存儲(chǔ)器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此
2023-06-08 03:35:011024 一、實(shí)驗(yàn)要求
生成 DDR3 IP 官方例程,實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡(jiǎn)介
PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列,但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤:
步驟1:
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
數(shù)據(jù)速率 800Mbps
一、實(shí)驗(yàn)要求
生成 DDR3 IP 官方例程,實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡(jiǎn)介
GL50H 為用戶提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45
你好 :
專家,我們想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?
2023-05-17 08:13:46
先對(duì)比下做容性負(fù)載補(bǔ)償前后DDR鏈路前端顆粒信號(hào)質(zhì)量情況,因?yàn)閷?duì)于Fly_By鏈路,前端顆粒的信號(hào)質(zhì)量是最差的。下圖是有無(wú)做容性負(fù)載補(bǔ)償鏈路中前端顆粒仿真得出的信號(hào)眼圖。
從以上仿真結(jié)果來(lái)看,當(dāng)
2023-05-16 17:57:26
Read Mode的報(bào)告,測(cè)試的信號(hào)為CLK_t/c DQS_t/c & DQ這三組信號(hào), 下面這張圖是使用33GHz示波器運(yùn)行LPDDR4 Compliance的數(shù)據(jù)表格,F(xiàn)ail了很多
2023-05-16 15:43:05
在 i.MX6 SOLO 中有沒(méi)有辦法讀取芯片 DDR3 的大小?
2023-05-06 07:04:11
嗨,我們想在 iMX8M 上測(cè)試 USB 眼圖
但我們不知道如何測(cè)試,我們已經(jīng)看到這個(gè)鏈接i.MX6Q/USB HS1 設(shè)置的眼圖
我們?cè)囘^(guò)寄存器(DCTL)
#./memtool -32 0x3810c704=0x00F00008
但它對(duì)我們和 evk 板不起作用。
我們想強(qiáng)制輸出測(cè)試包,怎么辦?
2023-05-04 06:22:19
正如標(biāo)題,我們的產(chǎn)品準(zhǔn)備量產(chǎn),但面臨信號(hào)認(rèn)證問(wèn)題。
我們需要通過(guò) USB 眼圖測(cè)試,但我不知道如何啟用它。
我的軟件設(shè)置:
平臺(tái):IMX8MP(USB3.0)、IMX8MM(USB2.0)
操作系統(tǒng)
2023-05-04 06:00:08
目前對(duì)于DDR4、DDR5等并行信號(hào),信號(hào)速率越來(lái)越高,電源性能要求也越來(lái)越高,今天我們就來(lái)看看電源噪聲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響;
2023-04-21 09:47:461289 有些設(shè)計(jì)中可能是三個(gè)或者更多芯片在同一個(gè)信號(hào)鏈路上,按照f(shuō)lyby拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)布局。如下圖是一顆SOC和3顆DDR3的PCB布局設(shè)計(jì)。因?yàn)槿wDDR3的ADD是共用一組來(lái)自SOC的信號(hào)線,因此只有ADD
2023-04-15 16:07:50841 DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng),直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867
評(píng)論
查看更多