韓國(guó)三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬(wàn)個(gè)極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級(jí)DDR4 DRAM模組,將為高端PC和移動(dòng)設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資料中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品。
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三星電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出,隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn),展示著三星對(duì)提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶(hù)需求的承諾。這項(xiàng)重大進(jìn)展也說(shuō)明了三星將如何透過(guò)即時(shí)開(kāi)發(fā)高端制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)高端存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的下一代產(chǎn)品,繼續(xù)為全球IT行業(yè)創(chuàng)新貢獻(xiàn)心力。
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目前三星的EUV技術(shù)將從其第4代10納米級(jí)的DRAM生產(chǎn)中開(kāi)始全面部署。而三星也預(yù)計(jì)從2021年開(kāi)始量產(chǎn)第4代10納米級(jí)的DDR5 DRAM和LPDDR5 DRAM。而在這樣的制程下,將使12英寸晶圓的生產(chǎn)效率提升1倍。隨著2021年DDR5 DRAM和LPDDR5 DRAM市場(chǎng)的擴(kuò)展,三星也將進(jìn)一步加強(qiáng)了與IT客戶(hù)及半導(dǎo)體供應(yīng)商優(yōu)化標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格合作,加速整個(gè)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)開(kāi)始向DDR5和LPDDR等規(guī)格產(chǎn)品發(fā)展。
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三星是全球首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲(chǔ)器供應(yīng)商,用以克服DRAM芯片發(fā)展上的挑戰(zhàn)。由于EUV技術(shù)的采用,減少了多重影像制作中的重復(fù)步驟,因此進(jìn)一步提高了影像制作的準(zhǔn)確性,也增加了產(chǎn)品的性能與產(chǎn)量,也使得生產(chǎn)時(shí)間縮短。
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為了滿(mǎn)足對(duì)新世代DRAM存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)不斷成長(zhǎng)的需求,三星也將在2020下半年開(kāi)始在韓國(guó)平澤工業(yè)區(qū)內(nèi)建立第二條存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)線(xiàn)。
三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲(chǔ)器供應(yīng)商
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三星計(jì)劃采用12納米技術(shù),提升內(nèi)存模組容量
日前有信息稱(chēng),三星將采用 12納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù),生產(chǎn)ERP開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,而這樣就可以在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470
三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3
有分析師爆料稱(chēng)三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5140553
如何在USB HID設(shè)備上執(zhí)行供應(yīng)商指令
應(yīng)用程序: 演示USB供應(yīng)商指令的實(shí)施
BSP 版本: NUC123系列 BSP CMSIS V3.01.001
硬件: NuTiny-EVB-NUC123-LQFP64 v1.0
該文件展示了如
2023-08-23 06:55:09
DRAM內(nèi)存分為哪幾種 dram存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)原理是什么
DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021022
AXI內(nèi)部存儲(chǔ)器接口的功能
庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為T(mén)SMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
不同的存儲(chǔ)器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲(chǔ)器技術(shù)
技術(shù),每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù),因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414
CoreLink DDR2動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊(cè)
CoreLink DDR2動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊(cè)
2023-08-02 15:28:28
PrimeCell AHB SDR和SRAM/NOR存儲(chǔ)器控制器(PL243)技術(shù)參考手冊(cè)
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線(xiàn)體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 14:51:44
PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲(chǔ)器控制器(PL241)技術(shù)參考手冊(cè)
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線(xiàn)體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器(SMC)。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
PrimeCell AHB SDR和NAND存儲(chǔ)器控制器(PL242)技術(shù)參考手冊(cè)
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線(xiàn)體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎
DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204
虹膜解鎖是最安全的一種方式,三星只使用了一代就拋棄了,到底為什么?#虹膜識(shí)別 #虹膜解鎖 #三星手機(jī)
三星
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-07-02 14:37:06
回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史
,非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類(lèi)型:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年,F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959
崇達(dá)技術(shù)獲得“優(yōu)秀供應(yīng)商”殊榮
2023年6月,海康威視2023年度供應(yīng)商大會(huì)在杭州舉行,崇達(dá)技術(shù)榮獲“優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)項(xiàng)。 ? ? ?? 本次供應(yīng)商大會(huì)以“精進(jìn)至臻、同心共創(chuàng)”為主題。在會(huì)議中,海康威視首先向大家介紹了公司
2023-06-19 16:40:12511
鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用
作為一種非易失性存儲(chǔ)器,鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性?xún)?yōu)點(diǎn),雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合,鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶(hù)的青睞。
2023-06-01 10:57:52134
反超SK海力士,美光躍居第二大DRAM供應(yīng)商
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國(guó)芯片制造商美光科技公司九年來(lái)首次超越韓國(guó) SK 海力士公司成為全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 市場(chǎng)的第二大廠商。 根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550
XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車(chē)載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿(mǎn)微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-30 14:24:29
存儲(chǔ)器集成電路測(cè)試
存儲(chǔ)器是集成電路領(lǐng)域的通用器件,其市場(chǎng)用量巨大,從類(lèi)型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251
XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿(mǎn)
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿(mǎn),廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車(chē)載充電器等設(shè)備提供高性?xún)r(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿(mǎn)微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:37:36
XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案,廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車(chē)載充電器等設(shè)備提供高性?xún)r(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿(mǎn)微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 11:13:51
XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿(mǎn)微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 10:09:46
NVIDIA仍不死心,再次加入ARM站場(chǎng)
加強(qiáng)聯(lián)發(fā)科芯片在游戲和AI方面的功能與性能,計(jì)劃最早于2024年將含有英偉達(dá)圖形技術(shù)的GPU集成到聯(lián)發(fā)科的芯片上。
目前聯(lián)發(fā)科已成為Chromebook系統(tǒng)芯片的領(lǐng)先供應(yīng)商之一,不少廉價(jià)
2023-05-28 08:51:03
單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)
在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下:
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
超高速存儲(chǔ)器測(cè)試的KGD解決方案
與隨著DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)本機(jī)速度能力的提高,最新的內(nèi)存正在超過(guò)2 GHz(4 Gbps),這就對(duì)現(xiàn)有的ATE測(cè)試器提出了更高的限制。
2023-05-19 15:03:48904
三星電子研發(fā)首款DRAM 擴(kuò)大CXL生態(tài)系統(tǒng)
基于先進(jìn)CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn),加速下一代存儲(chǔ)器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線(xiàn)沖突呢?
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線(xiàn)沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
如何識(shí)別esp8266 NodeMCU板卡的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商?
當(dāng)我在 ebay 和其他網(wǎng)站上搜索 esp8266 NodeMCU D1 Mini 板時(shí),我對(duì)這些變化感到困惑。
有沒(méi)有人確定優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商?
我看到了 V1、V2 和 V3(但很少有 V3)。這有什么不同嗎?
購(gòu)買(mǎi)這些板時(shí)還應(yīng)考慮什么?誰(shuí)能推薦資源?
2023-04-28 06:32:47
如何為RT1172選擇FLASH存儲(chǔ)器?
通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以?xún)?nèi)多口互聯(lián)
供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以?xún)?nèi)多口互聯(lián),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向富滿(mǎn)微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-26 10:22:36
CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲(chǔ)器)
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲(chǔ)器到外設(shè))
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462542
CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器)
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
DRAM價(jià)格正式反彈 三星通知分銷(xiāo)商:不再低于當(dāng)前價(jià)格出售DRAM芯片
時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-04-17 15:17:56
兆易創(chuàng)新全系列車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品累計(jì)出貨1億顆
全球累計(jì)出貨量已達(dá)1億顆,廣泛運(yùn)用在如智能座艙、智能駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)、新能源電動(dòng)車(chē)大小三電系統(tǒng)等,這一重要里程碑凸顯了兆易創(chuàng)新與國(guó)內(nèi)外主流車(chē)廠及Tier1供應(yīng)商的密切合作關(guān)系。兆易創(chuàng)新致力于為汽車(chē)領(lǐng)域客戶(hù)
2023-04-13 15:18:46
非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)
和用于讀取,寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器是一種存儲(chǔ)器,可以在字節(jié)級(jí)別讀取,寫(xiě)入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種,在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列,在塊中
2023-04-07 16:42:42
MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代
具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會(huì)丟失,而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
LS1043A無(wú)法使用某些供應(yīng)商的QSPI閃存啟動(dòng)?
發(fā)生在 Macronix spi flash 上,我們確實(shí)獲得了用于引導(dǎo)的正確 ENV 值。a) 從LS1043a參考手冊(cè)中,我們知道對(duì)于不同的供應(yīng)商,spi控制器根據(jù)板上連接的串行閃存設(shè)備在LUT中預(yù)編程了
2023-04-06 07:37:15
是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器?
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類(lèi),一類(lèi)就是易失性存儲(chǔ)器,一類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551
FRWY LS1012A USB轉(zhuǎn)以太網(wǎng)配置無(wú)法識(shí)別怎么解決?
USB 設(shè)備樹(shù):1 個(gè)集線(xiàn)器(5 Gb/s,0mA)| U-Boot XHCI 主機(jī)控制器| +-2 供應(yīng)商特定(480 Mb/s,248mA)ASIX Elec。AX88179
2023-03-28 06:08:04
評(píng)論
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