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電子發燒友網>今日頭條>隨著GaN技術的成熟,GaN市場發展將迎來黃金期

隨著GaN技術的成熟,GaN市場發展將迎來黃金期

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2023-06-07 13:49:03271

茂睿芯推出全新一代氮化鎵技術LD-GaN

氮化鎵(GaN)作為第三代半導體器件,憑借其優異的性能,在PD快充領域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330

利用GaN的帶寬和功率密度優勢對抗RCIED

氮化鎵(GaN)是用于在干擾器中構建RF功率放大器(PA)的主要技術GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因,也是功率密度能力的原因。因此,GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057

GaN HEMT大信號模型

GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011374

高功率GaN RF放大器的熱考慮因素

,達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 高電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和軍用雷達范疇,在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2023-05-19 11:50:49626

什么是氮化鎵半導體?GaN如何改造5G網絡?

GaN 通過實現更快的數據傳輸速度和更高的效率,在 5G 技術發展中發揮著至關重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號,使其成為 5G 基站和其他通信基礎設施的理想選擇。
2023-05-15 16:39:09353

65W高性能磁耦通訊GaN快充方案

隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規MOS,相關中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求,晶豐明源通過不斷創新,推出了集成GaN磁耦通訊快充BP87618+BP818+BP62610組合方案。
2023-05-08 14:49:32691

絕緣柵GaN基平面功率開關器件技術

GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793

絕緣柵Si基GaN平面器件關鍵工藝

傳統GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系,其中X金屬可為Ni,Mo,PT,Ti等。這種傳統有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝(>800℃),第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735

什么是GaN氮化鎵?Si、GaN、SiC應用對比

由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢,GaN 充電器的運行速度,比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率,GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330

GaN:RX65T300的原理、特點及優勢

GaN是第三代半導體材料,具有許多傳統硅半導體所不具備的優良特性,因此被視為新一代半導體技術,具有非常廣闊的應用前景。隨著 GaN功率器件技術成熟GaN功率器件已廣泛應用于數據中心、通訊基站
2023-04-21 14:05:42831

求助,是否有關于GaN放大器長期記憶的任何詳細信息

是否有關于 NXP GaN 放大器長期記憶的任何詳細信息。數據表說“專為低復雜性線性系統設計”。長期記憶是否不再是當前幾代 GaN 器件的關注點?這是整個產品堆棧嗎?
2023-04-17 06:12:19

如何設置、設計及正確地驅動GaN功率級

您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中,我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41962

BM02B-ACHLKS-GAN-ETF

BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28

GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
2023-03-27 14:36:14

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