氮化鎵場效應晶體管在許多電力電子應用中持續獲得關注,但氮化鎵技術仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質因數還有很大的提升空間,但GaN功率ic的發展是一條更有前途的道路。 現代
2024-03-05 14:29:42479 氮化鎵(GaN)場效應晶體管已經徹底改變了電力電子行業,具有比傳統硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關速度、更高的效率和更低的成本等優勢。然而,GaN技術的快速發展有時超過了專用GaN專用柵極
2024-03-05 14:28:16401 GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優勢,為電力電子產業帶來了革命性的變化。然而,GaN技術的快速發展有時超出了專門為GaN設計的柵極驅動器和控制器的發展。因此,電路設計師經常轉向為硅MOSFETs設計的通用柵極驅動器,這就需要仔細考慮多個因素以實現最佳性能。
2024-02-29 17:54:08188 )。另一方面,功率GaN的技術路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向,包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關器件,而耗盡型GaN FET是雙芯片常關器件(共源共柵Cascode結構)。 ? E-
2024-02-28 00:13:001843 在新一代電力電子技術領域,氮化鎵(GaN)技術因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能,已成為太空任務的革命性突破的關鍵。氮化鎵 (GaN) 技術已成為天基系統的游戲規則改變者,與傳統硅 MOSFET 相比,它具有卓越的耐輻射能力和無與倫比的電氣性能。
2024-02-26 17:23:14219 年出貨量占功率GaN市場的9%,僅次于GaN Systems。而在這次收購之后,此前全球出貨量排名前六的功率GaN廠商已經有兩家被大廠并購。 ? 功率GaN并購邏輯 ? 根據官方說法,英飛凌收購GaN
2024-02-26 06:30:001551 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)充電樁市場隨著高壓直流快充的推廣,在一些400kW以上的充電樁中已經采用了SiC功率器件。同為第三代半導體的GaN,由于在高頻應用上的優勢,一些廠商也在推動GaN進入到
2024-02-21 09:19:283848 電子發燒友網報道(文/黃山明)隨著智能家居的發展,高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小,但同時能夠保證最好的性能,氮化鎵(GaN)的出現,讓這一方案得以實現。在智能家居
2024-01-19 00:21:003337 偉詮電在氮化鎵(GaN)快充市場迎來了新的機遇,因為日本集成設備制造商(IDM)瑞薩公司近期宣布成功收購美國GaN廠商Transphorm。這對偉詮電來說意味著未來或將邁入瑞薩供應鏈,進一步加強
2024-01-16 18:43:46506 1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道,面向功率半導體應用市場。
2024-01-13 17:17:561042 5.10美元的高價收購Transphorm,總估值達到了3.39億美元。 據百能云芯電.子元器.件商.城了解,此次收購將賦予瑞薩電子自主GaN技術,進一步拓展其業務領域,將目光瞄準電動汽車、計算(數據中心、人工智能、基礎設施)、可再生能源、工業電力轉換等多個高速增長的
2024-01-12 14:54:25361 由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰,GaN功率器件的全面應用至今尚未達成。但是,隨著GaN功率器件輻照強化及驅動方式的創新改良,宇航電源將會得到更大助推。
結合高集成度電源設計,以及優化的宇航
2024-01-05 17:59:04272 隨著半導體技術的發展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 GaN因其特性,作為高性能功率半導體 材料而備受關注,近年來其開發和市場導入不斷加速。
2023-12-19 09:21:39342 報告內容包含:
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 作為一種新型功率器件,GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優勢。
2023-12-07 09:44:52777 GaN 技術的過去和現在
2023-12-06 18:21:00432 深入了解 GaN 技術
2023-12-06 17:28:542553 GaN 如何改變了市場
2023-12-06 17:10:56186 GaN是常用半導體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15908 GaN是否可靠?
2023-12-05 10:18:41169 利用封裝、IC和GaN技術提升電機驅動性能
2023-11-23 16:21:17236 GaN氮化鎵晶圓硬度強、鍍層硬、材質脆材質特點,與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應力更為敏感,芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現的問題。同時,GaN產品的高壓特性,也在封裝設計過程對爬電距離的設計要求也與硅基IC有明顯的差異。
2023-11-21 15:22:36333 GaN市場規模還高出數倍。 ? 這一筆大規模交易的背后,是對功率GaN市場發展潛力的看好。相比于SiC的功率應用產業化較早,GaN材料最初在LED、射頻等領域經歷了漫長的發展,功率GaN的市場嚴格來說是從19年才真正上規模。 ? 因此功率GaN市場發展潛力被廣泛看好,集邦咨詢的預測
2023-11-10 00:24:001758 GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性:氮化鎵(GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53434 GaN的驅動電路有哪些挑戰?怎么在技術上各個突破?GaN驅動電路有哪些設計技巧? GaN(氮化鎵)是一種新型的半導體材料,相比傳統的硅材料,具有更高的電子遷移率和能力,因此在功率電子領域有著廣泛
2023-11-07 10:21:44513 環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司(TWSE:6412)和英國劍橋大學技術服務部 (CUTS) 簽署了三方協議,共同設計和開發使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產品。群光電能科技是一家成熟
2023-11-06 17:32:31234 GaN近期為何這么火?如果再有人這么問你,你可以這樣回答:因為我們離不開電源。
2023-11-02 10:32:041265 電子發燒友網站提供《GaN基藍光半導體激光器的發展.pdf》資料免費下載
2023-10-31 11:13:510 隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源,氮化鎵(GaN)等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統硅MOSFET和IGBT的性能現在接近材料的理論極限,進一步發展只是以緩慢和高成本實現微小
2023-10-25 16:24:43641 交割日,GaN Systems現已成為英飛凌的一部分。 英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck表示:“氮化鎵技術為支持脫碳的更節能、更節能的二氧化碳解決方案鋪平了道路。收購GaN Systems顯著加快了我們的GaN路線圖,并通過掌握所有相關功率半導體技術,進一步加強了英飛凌在電源系統
2023-10-25 14:51:13477 隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場,氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證,同時也加速了氮化鎵技術在快充市場的普及。目前,快充源市場上氮化鎵主要以三種形式使用,即GaN單管功率器件、內置驅動器的GaN功率芯片以及內置控制器、驅動器和GaN功率器件的封裝芯片。其中,GaN單管功率器件發展最快
2023-10-23 16:38:59292 的GaN賽道的“掃地僧”——在氮化鎵行業長期耕耘、專注專精、做深做細、低調沉潛的形象,恰如金庸筆下武功深不可測而又難掩鋒芒的無名僧人。 隨著下游市場需求爆發,第三代半導體逐漸駛進黃金賽道,譽鴻錦半導體入場GaN賽道便帶著一份令人驚嘆的成績單
2023-10-17 14:31:401332 了GaN繼續拓展消費類電源外的市場領域。 ? GaN 進軍汽車應用亟待突破 ? GaN上車其實在幾年前就成為了行業內頭部企業的主要目標之一。2021年納微半導體預測,一輛電動車中,潛在能夠應用到GaN的部件的市場機會超過250美元,到了2025年,電動汽車中,GaN功率芯片市
2023-10-14 00:07:001549 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業照明領域已經實現規模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術和低功率PA正在進行工程化開發。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構,這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 利用GAN技術扶持5G5G:確定成功表
2023-09-27 14:37:46236 機構Yole數據顯示,2022年GaN功率器件在總功率半導體(功率芯片、功率分立器件和模塊)市場中的占比僅為0.3%。盡管GaN功率率器件的復合年增長率很高(59%),Yole預計到2027
2023-09-21 17:39:211626 目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限, 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲,效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50
GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關注,近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。
2023-09-13 15:05:25657 氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導體材料。是微波功率晶體管的優良材料,也是在藍色發光器件中具有重要應用價值的半導體。。GaN材料的研究和應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是發展微電子器件和光電子器件的新型半導體材料。
2023-09-07 17:07:551783 在消費類應用領域,由于快速充電器的快速增長,GaN 技術在 2020-2021 跨越了鴻溝,目前其他交直流應用場景中也采用了GaN? 帶有嵌入式驅動程序 / 控制器(MasterGaN、VIPerGaN)的系統封裝 (SiP) 由于集成簡單,將有助于更廣泛的使用
2023-09-07 07:20:19
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計,具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
英諾賽科(Innoscience)一直致力于推動GaN技術的發展,從而推動新一代電力電子設備的快速普及。2023年8月,英諾賽科推出了一款100V的GaN新品,采用FCQFN封裝,再次彰顯了其在GaN領域的領導地位。
2023-08-14 15:07:06973 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的 E-mode(增強型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標,隨著該項技術商用步伐的加快,在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優點 與硅基晶體管相比,GaN功率晶體管有什么優點呢?GaN在品質因數(
2023-08-03 14:43:28225 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前,您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27410 氮化鎵在服務器電源領域愈發扮演著重要角色,今天,“行家說”將為大家帶來3條該領域的內容服務,并為大家分析GaN備受數據中心青睞的原因。
2023-07-06 18:24:35814 GaN開始為人所知是在光電LED市場,廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上,GaN最初在功率半導體領域的目標據說是新能源汽車市場,而非消費電子市場。
2023-06-29 11:43:49398 作為電力電子領域的核心技術之一,基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數據中心等領域有廣泛應用,這對提高電能的高效利用及實現節能減排起著關鍵作用。
2023-06-29 10:17:12481 應用的良好結合,將推動GaN器件在Class D功放中的快速發展,迎來GaN Class D技術的創新時代。
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業應用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體集成驅動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率集成電路技術:過去,現在和未來
2023-06-21 07:19:58
通過集成和應用相關壓力測試的GaN可靠性
2023-06-21 06:02:18
低規格GaN快速充電器的脈沖ACF
2023-06-19 12:09:55
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
采用GaN電源集成電路的300W多模圖騰柱PFC
2023-06-19 08:56:48
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統方法
2023-06-19 06:52:09
GaN技術實現快速充電系統
2023-06-19 06:20:57
GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
6月16日,蜂巢能源稱,他們首次發布了戶儲領域的核心創新產品——超薄戶儲逆變器。值得一提的是,該產品搭載了GaN技術。
2023-06-18 16:41:55550 標準1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中,我們已經能夠將開關頻率推到600 kHz以上,同時保持97.5%的效率。當結合行業領先的圖騰柱PFC,峰值整個系統的效率達到80Plus制定的Titanium標準。
2023-06-16 11:01:43
設計。基于雙向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一體化“二合一”設計,本文提出了一種高效散熱方案采用Navitas集成驅動GaN-Power-IC器件的技術。CCMPFC的開關頻率設置為
2023-06-16 08:59:35
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
OBC和低壓DC/DC的集成設計可以減小系統的體積;提高功率密度,降低成本。寬帶隙半導體器件GaN帶來了進一步發展的機遇提高電動汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
極限。而上限更高的氮化鎵,可以將充電效率、開關速度、產品尺寸和耐熱性的優勢有機統一,自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加,采用氮化鎵技術除了能滿足能量需求,還可以有效降低碳排放。事實上,氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經過幾十年的不斷研究,并不斷嘗試利用不同的外延生長方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體異常火熱,國內外很多半導體企業都涌入其中。據Yole Développement統計,2021全球GaN功率器件市場規模為1.26億美元,預計
2023-06-08 09:40:301692 賽米卡爾科技有限公司技術團隊基于先進的TCAD仿真設計平臺開發出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數據庫,并系統地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結構對GaN基垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)電學和熱學特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體器件,憑借其優異的性能,在PD快充領域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 氮化鎵(GaN)是用于在干擾器中構建RF功率放大器(PA)的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因,也是功率密度能力的原因。因此,GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011374 ,達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 高電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和軍用雷達范疇,在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2023-05-19 11:50:49626 GaN 通過實現更快的數據傳輸速度和更高的效率,在 5G 技術的發展中發揮著至關重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號,使其成為 5G 基站和其他通信基礎設施的理想選擇。
2023-05-15 16:39:09353 隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規MOS,相關中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求,晶豐明源通過不斷創新,推出了集成GaN磁耦通訊快充BP87618+BP818+BP62610組合方案。
2023-05-08 14:49:32691 GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 傳統GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系,其中X金屬可為Ni,Mo,PT,Ti等。這種傳統有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝(>800℃),第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢,GaN 充電器的運行速度,比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率,GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330 GaN是第三代半導體材料,具有許多傳統硅半導體所不具備的優良特性,因此被視為新一代半導體技術,具有非常廣闊的應用前景。隨著 GaN功率器件技術的成熟, GaN功率器件已廣泛應用于數據中心、通訊基站
2023-04-21 14:05:42831 是否有關于 NXP GaN 放大器長期記憶的任何詳細信息。數據表說“專為低復雜性線性系統設計”。長期記憶是否不再是當前幾代 GaN 器件的關注點?這是整個產品堆棧嗎?
2023-04-17 06:12:19
您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中,我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41962 BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
2023-03-27 14:36:14
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