溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。
2024-03-20 10:19:47
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溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構，并填充了導電材料，它們在每個存儲層之間形成導電通道，從而使電子能夠在在存儲單元間移動，進行讀取、寫入和擦除操作。
2024-03-20 10:17:5331 
FPGA（現場可編程門陣列）屬于硬件設備，而不是軟件。它是一種可編程的硬件設備，由大量的邏輯單元、存儲單元和互連資源組成，能夠實現復雜的數字電路和系統設計。
2024-03-14 17:08:59122 存儲器層次結構可以從圖片中清晰的看出來，圖片中共分為六級，越向上的層次，存儲器速度越快，容量更小，造價越高。
2024-02-19 14:03:42415 
通過多級存儲器的設計，存儲器層次結構能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42121 
與主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點和應用場景。 首先，我們來詳細了解ROM的特點和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統后，存儲在ROM中的數據仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構成
2024-02-05 10:05:10737 SRAM 中的每個存儲單元由多個觸發器構成。每個觸發器可以存儲一個位的數據，并在電源供電時一直保持該狀態，不需要刷新操作。
2024-02-05 09:31:57950 ，包括其結構、特點以及如何寫入數據。 一、STM32 Flash的結構 STM32 Flash存儲器通常被分為多個扇區，每個扇區大小為2KB到256KB不等，根據不同的型號有所不同。每個扇區可以獨立進行
2024-01-31 15:46:03419 隨機訪問存儲器（RAM）分為靜態RAM（SRAM）和動態RAM（DRAM）。由于動態存儲器存儲單元的結構非常簡單，所以它能達到的集成度遠高于靜態存儲器。但是動態存儲器的存取速度不如靜態存儲器快。
2024-01-19 15:47:38514 
篇文章中將詳細討論RAM的工作原理以及為什么它會丟失數據。 一、RAM的工作原理 隨機存取存儲器（RAM）是一種常見的計算機內存類型，用于臨時存儲數據。它通過讓CPU快速訪問存儲的數據來提高計算機性能。RAM是由許多存儲單元組成的，每個單元都有
2024-01-16 16:30:19840 長江存儲晶棧Xtacking架構的原理就是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時也實現了更高的密度、更快的速度。
2024-01-16 11:41:11354 
SSD主要由控制單元和存儲單元組成，控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等，存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內部存儲讀寫的基本單元為Block和Page。
2024-01-02 10:16:58277 
NOR Flash是一種基于NOR門結構的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結構，這意味著每個存儲單元都有一個地址，可以直接訪問任何存儲單元，這使NOR Flash具有快速的隨機訪問能力，適用于執行代碼和讀取關鍵數據。
2023-12-27 14:37:05293 門。盡管它們都是用于存儲數據的，但在構造、功能、性能和應用方面存在很多區別。 首先，DRAM和NAND的構造方式不同。DRAM是由一個個存儲單元組成的，每個存儲單元由一個電容和一個開關組成。在讀寫數據
2023-12-08 10:32:003905 從架構上看，CMOS圖像傳感器類似于一個存儲器memory，它有大量存儲單元，支持行和列的尋址操作，區別在于存儲器是電路寫入內容，而sensor中的內容是可見光或近紅外光線寫入的。
2023-12-07 10:08:37190 
要了解存儲器的尋址方法，須先掌握其編址方法。S7 -200 SMART PLC的存儲單元編址有一定的規律，它將存儲器按功能不同劃分成若干個區，如I區（輸入繼電器區）、Q區（輸出繼電器區）、M區、SM區、V區、L區等，由于每個區又有很多存儲單元，因而這些單元需要進行編址。PLC存儲區常采用以下方式編址。
2023-12-07 09:43:58255 
Nor Flash采用NOR門結構，其中每個存儲單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實現高效的隨機訪問和快速的數據檢索。
2023-12-05 15:21:59363 Nor Flash 中的編程和擦除操作涉及寫入數據和擦除存儲單元的特定步驟。
2023-12-05 15:19:06321 閃存編程也不涉及將數據寫入存儲單元，為確保準確編程，Nor Flash 支持字節級編程，允許寫入或修改單個字節，而無需擦除整個塊。
2023-12-05 14:03:22390 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
無共享體系結構 （SNA：Shared-Nothing Architecture） 是一種分布式計算體系結構，其中每個更新請求都由計算機群集中的單個節點（處理器/內存/存儲單元）滿足。目的是消除節點
2023-11-27 10:12:52320 
安全存儲功能中使用的重要結構體 在整個安全存儲功能的操作過程中，存在一些很重要的結構體，這些結構體用于記錄或保存所有安全文件和dirf.db文件的操作信息，這些結構體的關系框圖如圖所示
2023-11-21 14:36:07137 
內部功能，這種產品也被稱作異步 DRAM 。 DRAM 的存儲單元的長寬比接近 1：1，為陣列（Array）形狀，存儲器的地址線則被分為行（Row）（地）址線和列（Column）（地）址線。行址線用來
2023-11-17 09:26:27378 的地址，這樣只要知道了存儲單元的地址，就可以找到這個存儲單元，其中存儲的指令就可以被取出，然后再被執行。
單片機的特點
體積小，結構簡單
控制能力強
低電壓，低功耗
優異的性能、價格比
FPGA
2023-11-14 15:30:30
存儲器容量是可編程序控制器本身能提供的硬件存儲單元大小，程序容量是存儲器中用戶應用項目使用的存儲單元的大小，因此程序容量小于存儲器容量。設計階段，由于用戶應用程序還未編制，因此，程序容量在設計階段是未知的，需在程序調試之后才知道。
2023-11-12 09:46:27416 邏輯單元在FPGA器件內部，用于完成用戶邏輯的最小單元。
2023-10-31 11:12:12540 
ROM存儲和RAM存儲在物理結構上有什么區別，如何才能實現只讀存儲和隨機存儲？
2023-10-30 07:09:38
SSD主要由控制單元和存儲單元(當前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198 
盤點芯邦科技存儲主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片 存儲主控芯片是一種集成電路芯片，用于控制和管理存儲設備。它負責管理多個存儲單元 （如內存、固態硬盤、閃存卡等）之間的數據傳輸和存取操作
2023-10-25 12:43:001054 
設計都涉及到對RAM的讀寫操作。在FPGA芯片中，RAM也叫做存儲塊（Block RAM），可以存儲大量的數據。 FPGA中的RAM可以一次讀取多個數據，這是因為RAM的結構是一個多列的數據表格，其中每一列都是一個包含多個存儲單元的塊。通過在時鐘的一次上升沿來讀取RAM中的數據，這個操作必須在一個
2023-10-18 15:28:20597 它來進行跨時鐘域傳輸數據。 一、雙口RAM的工作原理 雙口RAM是一種有兩個讀寫口的存儲器，因此可以在兩個時鐘域之間傳輸數據。它通常由一個存儲單元陣列和控制邏輯電路組成。其中，存儲單元陣列負責存儲數據，控制邏輯電路則負責管理存儲單
2023-10-18 15:24:01472 據悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據的3d nand閃存。該公司開發了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 怎么把單片機存儲單元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
固態驅動器（SSD）是一種由固態電子存儲芯片陣列構成的存儲設備，由控制單元和存儲單元組合而成。其接口規范、功能和使用方法與傳統硬盤完全一致，外形和尺寸也相同。與傳統硬盤相比，SSD提供了更快的讀寫速度和更高的可靠性。
2023-10-12 09:29:07746 
系統存儲器用來存放PLC生產廠家編寫的系統程序，用戶不能修改。 如：存放系統工作程序（監控程序）；存放命令解釋程序；存放功能子程序的調用管理程序；存放存儲系統參數。
2023-10-04 15:13:00209 
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
SSD主要由控制單元和存儲單元(當前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 
電子發燒友網站提供《如何配置存儲器保護單元(MPU).pdf》資料免費下載
2023-09-25 09:33:45
0 單片機可以使用鏈表結構存儲數據嗎
2023-09-20 07:56:38
電子發燒友網站提供《用于Zynq UltraScale+設備中PL隔離的存儲器和外設保護單元.pdf》資料免費下載
2023-09-13 15:23:160 GX1831 數字溫度計提供 12bit 分辨率的溫度測量，可以通過可編程非易失性存儲單元實現溫度的下限和上限報警。
2023-09-12 14:12:58275 
存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數據和控制信息等。根據存儲信息的介質和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結構。
2023-09-09 16:18:272105 本文以Cortex-A53處理器為例，通過訪問 處理器中的 **內部存儲單元** （tag RAM和dirty RAM），來讀取cache line 中的MOESI信息。
2023-09-08 14:35:44423 
在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節點相關部分的結構圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節點接觸(SNC)結構。
2023-09-08 10:02:25592 
根據專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導體相關技術領域中存儲單位與上線之間漏電測定的復雜技術問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 
電子發燒友網站提供《基于存儲體系結構的重要性.pdf》資料免費下載
2023-08-30 17:20:250 電子發燒友網站提供《存儲體系結構的現代化.pdf》資料免費下載
2023-08-30 16:58:280 電子發燒友網站提供《存儲體系結構注意事項:SAN和HCI.pdf》資料免費下載
2023-08-30 11:31:310 電子發燒友網站提供《網絡下一代企業存儲：NVMe結構.pdf》資料免費下載
2023-08-28 11:39:450 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021022 PrimeCell TrustZone Memory Adapter(TZMA)是符合AMBA標準的片上系統外圍設備。
TZMA允許在安全分區和非安全分區之間共享高達2MB的單個物理存儲單元。
分區
2023-08-17 08:04:57
ARM系統MMU(SMMU)體系結構為存儲器管理單元(MMU)實施提供了靈活的實施框架，具有多個實施定義的選項。
該體系結構可用于系統級的MMU。
它基于轉換表中保存的地址映射和內存屬性信息，支持從
2023-08-12 06:25:35
ETMv4跟蹤單元通過生成跟蹤元素來跟蹤處理元素或PE的執行。
ETMv4體系結構定義了從PE的執行生成這些跟蹤元素。
ETMv4跟蹤單元可以生成兩個跟蹤元素流：
·指令跟蹤元素流。
·如果實現并
2023-08-11 07:59:35
使用DDR4作為外接存儲單元時，蜂鳥e203的訪問地址為0x40000000,但是經過vivado的Block design后使用DDR4，在板子上跑測試DDR4讀寫程序，報store訪問異常
2023-08-11 06:17:58
體系結構包括當計數器達到閾值時產生中斷的機制。
在CoreSight性能監視單元體系結構中，事件計數器是單調增加的。但是，在某些情況下，PMU提供監控器來測量組成部分例如，監控器可能在分配資源時遞增
2023-08-09 07:20:43
Arm?密鑰管理單元（KMU）是一種集中的密鑰管理架構，用于存儲對稱密鑰材料（資產）。存儲在KMU中的密鑰對于軟件或其他硬件組件來說是不可讀的。
軟件只能使用存儲在KMU中的資產通過將密鑰導出到加密
2023-08-09 06:43:22
DynamIQ? 共享單元（DSU）包括支持DynamIQ的L3存儲系統、控制邏輯和外部接口? 簇DynamIQ? 集群微體系結構將一個或多個核心與DSU集成，以形成一個集群，該集群實現為指定的配置
2023-08-08 06:48:05
汽車微控制器正在挑戰嵌入式非易失性存儲器（e-NVM）的極限，主要體現在存儲單元面積、訪問時間和耐熱性能三個方面。在許多細分市場（例如：網關、車身控制器和電池管理單元）上，隨著應用復雜程度提高
2023-08-04 14:24:46333 
布局即可實現替換。
NAND Flash Menory
介紹 NAND Flash 有關資料均來自 KIOXIA 官網 。
存儲單元結構
下圖為閃存的內部存儲單元結構（橫截面）。存儲單元是數據存儲
2023-07-28 16:23:18
日志結構存儲在當今存儲系統中被廣泛使用，然而其中的垃圾回收會將有效數據重新寫入導致寫放大現象。
2023-07-28 10:31:52205 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
ROM中的資料永遠無法做修改。 高度集成化的NAND構成。（1個晶體管單元） 數據的寫入方法 在Wafer過程內寫入信息 “1”：將離子注入晶體管 “0”：不注入離子 數據的讀取方法 使讀取單元
2023-07-12 17:35:25736 
憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器（RRAM）。
2023-07-12 11:10:53355 
在FPGA的設計中的，內部的FIFO和RAM是兩種非常常見的存儲單元
2023-07-11 17:23:33956 東北大學近日宣布，單晶鈷（Co）/鉑（Pt）結構是一種簡單的鐵磁/非磁雙層結構，可以在不使用外部磁場的情況下通過電流注入來磁化。表明Co/Pt結構可以用光記錄信息，也可以有效地用電記錄信息，并且，他們已經開發了一種非易失性磁場，可以存儲來自光纖和電線的數據。宣布已成功開發一種記憶材料。
2023-07-11 09:59:55171 
存儲主控芯片是一種集成電路芯片，用于控制和管理存儲設備。它負責管理多個存儲單元（如內存、固態硬盤、閃存卡等）之間的數據傳輸和存取操作。存儲主控芯片通常包括處理器、內存控制器、接口控制器等功能模塊，以實現高效、可靠的數據傳輸和存儲管理。
2023-07-10 15:50:172807 隨著更快的圖形處理單元（GPU）能夠提供明顯更高的計算能力，存儲設備和GPU存儲器之間的數據路徑瓶頸已經無法實現最佳應用程序性能。
2023-07-08 15:10:39201 
鎖存器(Latch)是一種對脈沖電平敏感的存儲單元，它們可以在特定輸入脈沖電平作用下改變狀態。鎖存，就是把信號暫存以維持某種電平狀態。
2023-07-06 15:10:39646 
通用型PLC的硬件基本結構如圖1所示，它是一種通用的可編程控制器，主要由中央處理單元CPU、存儲器、輸入/輸出（I/O）模塊及電源組成。
2023-07-04 16:56:57666 
可編程控制器的結構多種多樣，但其組成的一般原理基本相同，都是以微處理器為核心的結構。通常由中央處理單元（CPU）、存儲器（RAM、ROM）、輸入輸出單元（I/O）、電源和編程器等幾個部分組成。
2023-07-04 16:44:531727 Nand Flash根據每個存儲單元內存儲比特個數的不同，主要分為 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell） 、 TLC（Triple-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）四大類。
2023-06-30 12:20:23829 
一、前言 本篇介紹STM32芯片的存儲結構，ARM公司負責提供設計內核，而其他外設則為芯片商設計并使用，ARM收取其專利費用而不參與其他經濟活動，半導體芯片廠商拿到內核授權后，根據產品需求，添加各類
2023-06-22 09:20:001040 
而存算一體則是把存儲單元和處理單元合二為一，把數據和計算融合在同一片區中，這樣處理的好處在于可以直接利用存儲器進行數據處理，從根本上消除馮諾依曼架構計算存儲分離的問題，尤其特別適用于現代大數據大規模并行的應用場景。
2023-06-20 15:49:251168 
C語言里變量是一個有名字的，具有具體屬性的一個存儲單元，可以將變量直接就理解為內存。
2023-06-15 08:49:521534 
隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數據，也可以隨時將數據寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785 
鎖存器（ latch）是電平觸發的存儲單元，數據存儲的狀態取決于輸入時鐘（或者使能）信號的電平值，僅當鎖存器處于使能狀態時，輸出才會隨著數據輸入發生變化。
2023-06-02 15:45:551442 
選通管（Selector）。為了抑制交叉存儲陣列的漏電流問題，往往引入選通管與存儲單元集成設計。相比于非易失性器件，易失性憶阻器作為選通管時，不需要額外的復位操作，簡化了外圍電路的設計，有助于存儲芯片的高密度集成；
2023-06-02 14:43:371592 
是邏輯塊。邏輯塊的關鍵部分是輸入的多路復用器、觸發器和查找表（LUT）。每個塊通過垂直和水平布線連接到相鄰的塊，以實現互連，電源和接地。配置數據位被水平地饋送到存儲單元，而垂直信號選擇要加載的存儲單元
2023-06-02 14:03:57
鎖存器（Latch），是電平觸發的存儲單元，數據存儲的動作取決于輸入時鐘（或者使能）信號的電平值。僅當鎖存器處于使能狀態時，輸出才會隨著數據輸入發生變化。
2023-06-02 11:32:251153 
鐵電存儲器硬件接線圖傳統的數據存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復擦寫后容易損壞，無法滿足機艙油氣濃度數據存儲的要求，故此，國產鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數可達1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
和模塊：與太陽能電池連接并從中捕獲能量的前端；將能量引導至存儲單元（電池或超級電容器）的電源管理功能，以及控制從存儲單元提取能量的電力負荷管理模塊。
2023-05-18 09:16:14785 
鎖存器（latch）：是電平觸發的存儲單元，數據存儲的動作（狀態轉換）取決于輸入時鐘（或者使能）信號的電平值，盡當鎖存器處于使能狀態時，輸出才會隨著數據輸入發生變化。
2023-04-25 11:00:478481 
內存芯片中每個單元都有以字節線和比特線組合的獨立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內存條為例，每粒內存芯片有4G個獨立地址。
2023-04-25 10:05:085448 
存儲器容量是可編程序控制器本身能提供的硬件存儲單元大小，程序容量是存儲器中用戶應用項目使用的存儲單元的大小，因此程序容量小于存儲器容量。
2023-04-23 10:32:16982 PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 。根據閃存的類型，閃存的使用壽命會縮短，大多數閃存產品在磨損開始惡化存儲完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環。就大小和成本而言，閃存具有比EEPROM更小的存儲單元尺寸，并且實現成本更低。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:42:42
SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步動態隨機存儲器，同步指存儲器的工作需要參考時鐘。
2023-04-04 17:11:323330 
PLC梯形圖中的某些編程元件沿用了繼電器這一稱號，如輸入繼電器、輸出繼電器、內部輔佐繼電器等，可是它們不是實在的物理繼電器，而是一些存儲單元（軟繼電器），每一軟繼電器與PLC存儲器中映像寄存器的一個存儲單元相對應。
2023-04-04 11:49:525069 CPU遵循的是 **馮·諾依曼架構** ，其核心是存儲程序/數據、串行順序執行。因此CPU的架構中需要大量的空間去放置存儲單元（Cache）和控制單元（Control），相比之下計
2023-03-31 14:51:364938 
存儲器內部結構基本都差不多，一般由存儲陣列，地址譯碼器和輸出控制電路組成。存儲陣列以外的電路都稱為外圍電路（Periphery）。存儲陣列是memory的核心區域，它有許多存儲單元組成，每個存儲單元
2023-03-30 14:50:044974 
堆棧指令是FX系列中新增的基本指令，用于多重輸出電路，為編程帶來便利。在FX系列PLC中有11個存儲單元，它們專門用來存儲程序運算的中間結果，被稱為棧存儲器。
2023-03-29 16:28:12410
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