存儲器的速度范圍。
FSMC 的 NOR FLASH 控制器支持同步和異步突發兩種訪問方式。選用同步突發訪問方式時， FSMC 將 HCLK(系統時鐘)分頻后，發送給外部存儲器作為同步時鐘信號
2024-03-15 15:53:42
TC364 微控制器是否支持外部存儲器？
根據我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲器。 在該微控制器的數據手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
DRAM（動態隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
264 
SRAM 中的每個存儲單元由多個觸發器構成。每個觸發器可以存儲一個位的數據，并在電源供電時一直保持該狀態，不需要刷新操作。
2024-02-05 09:31:57950 中，電感作為關鍵元件之一，為存儲和讀取數據提供支持。本文將詳細介紹電感在磁性存儲器中的作用，包括其原理、構造、性能和優點等方面，旨在為讀者提供全面而深入的了解。 首先，我們來了解一下電感的基本原理。電感是由一個或多
2024-01-30 16:18:14525 1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
運放在電路中主要存在三種應用，放大器，濾波器，振蕩器。再這三種應用電路中，運放的兩大特點虛短虛斷仍然成立嗎？
在阻尼振蕩器中，工作過程是否按照我描述的這樣，在反相輸入端加一個近似鋸齒波的電流源，正半
2024-01-26 16:18:26
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 三電平結構的變頻器有一個問題就是中點電位不平衡，在軟件控制層面有三種平衡模式，默認模式、比例模式和PI模式，或許叫法有所不同，總之是這三種平衡模式吧，請問這三種平衡模式是什么意思，具體而言有什么不同，這三種模式是如何對中點電壓平衡做補償的？
2024-01-09 16:12:28
人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實現高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點而受到廣泛使用。本文將詳細介紹SRAM的讀寫電路設計
2023-12-18 11:22:39496 SRAM是采用CMOS工藝的內存。自CMOS發展早期以來，SRAM一直是開發和轉移到任何新式CMOS工藝制造的技術驅動力。
2023-12-06 11:15:31635 在數字電子設備中，存儲器是至關重要的部分。它負責存儲和檢索數據，以支持各種計算和數據處理任務。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關鍵區別。
2023-12-05 15:46:17732 
?NY8A053E是一款高性能的微控制器MCU單片機，它提供了三種封裝類型，包括QFP64、QFP100和QFN100。這些封裝類型使得NY8A053E適用于各種不同的應用場景，包括工業控制
2023-11-27 21:45:44
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨
2023-11-15 10:20:01731 
SRAM 的數量是任何人工智能處理解決方案的關鍵要素，它的數量在很大程度上取決于您是在談論數據中心還是設備，或者是訓練還是推理。但我想不出有哪些應用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運行人工智能訓練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
設定啟動存儲器為主存擴展（AP模式）主要闡述有AP mode功能的MCU設定啟動程序存儲區為主存擴展的方法及范例程序。
2023-10-24 07:49:44
常見幾種硬盤的簡單介紹
硬盤是服務器托管用戶主機主要的數據存儲介質。目前硬盤的種類有三類，不同的選擇方案也會有不同的優劣對比。下面講講他們之間有什么不同吧
固態硬盤： 用固態電子存儲芯片陣列
2023-10-18 16:56:11
存儲領域發展至今，已有很多不同種類的存儲器產品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應用。
2023-10-17 15:45:50521 
存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
如何用單片機讓三極管出現三種不同的電平狀態？
2023-10-10 06:56:03
相同點？
感覺6116數據的存取很簡單呀？設置成“寫入”狀態，在地址端0001-0101依次輸入數據0001，0010，0011，0100，0101后，把存儲器設置成“讀出”狀態就可以看到輸出端
2023-10-07 08:39:25
自舉程序存儲在 STM32 器件的內部自舉 ROM 存儲器（系統存儲器）中。在生產期間由 ST編程。其主要任務是通過一種可用的串行外設（USART、CAN、USB、I2C 等）將應用程序下載到內部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
FSMC是STM32F1提供的一個靜態存儲控制器，是MCU用來擴展存儲器，可用來驅動SRAM、Nor Flash、NAND Flash。這里先簡單講解下這三種存儲器的應用場合。
2023-09-27 14:33:491009 
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
使用MM32F3270 FSMC驅動SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
高達48 MHz的ARM?Cortex?-M0+內核、高速嵌入式存儲器(高達64K字節的閃存和高達8K字節的SRAM)，以及各種增強型外設和I/O。
所有器件均提供標準通信接口(三個UART、一個SPI
2023-09-14 08:54:22
PWM 定時器。CW32L031 可以在 -40℃到 85℃的溫度范圍內工作，供電電壓寬達 1.65V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep兩種低功耗工作模式。
2023-09-14 08:26:49
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內核
具有高達48 MHz的主頻率、高速嵌入式存儲器（高達20 KB的FLASH和
至3K字節
2023-09-14 08:16:19
檢查。系統檢測到奇偶校驗失敗后，會產生對應的中斷標志。關于 SRAM 的詳細介紹，請參見 6 RAM 存儲器章
2023-09-14 07:25:37
CW32F030x6/x8是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內核
主頻率高達64MHz，高速嵌入式存儲器（高達64K字節的FLASH和高達
8K字節
2023-09-14 07:03:34
CW32L083是一款基于eFlash的單芯片低功耗微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+
核心，主頻高達64MHz，高速嵌入式存儲器（高達256K字節的FLASH和
高達24K字節
2023-09-14 06:41:28
以及一組高級控制 PWM 定時器。CW32L052 可以在 -40° C 到 85° C 的溫度范圍內工作，供電電壓寬達 1.65V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep兩種低功耗工作模式。
2023-09-14 06:28:26
）以及廣泛的增強型外圍設備和I/O。
所有設備都提供標準通信接口（三個UART、一個SPI、一個I2C）、一個12位ADC、五個
通用和基本定時器以及高級控制PWM定時器。
CW32L031工作在-40℃至85℃的溫度范圍內，電源電壓為1.65至5.5V，支持兩種低功耗工作模式（睡眠和深度睡眠）。
2023-09-14 06:02:27
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設->存儲器存儲器->外設和外設-&
2023-09-13 08:06:16
系統架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數據和控制信息等。根據存儲信息的介質和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結構。
2023-09-09 16:18:272105 本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯碼（ECC）的管理和實現。本應用筆記針對保護內部存儲器內容的 ECC 機制，描述了與之相關的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲器進行 ECC
2023-09-08 07:31:20
STM32 F7 概述? STM32總線架構和存儲器映射? 總線架構? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統配置控制器(SYSCFG)? 復位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導體相關技術領域中存儲單位與上線之間漏電測定的復雜技術問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
技術，每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數據速率 (DDR) 同步動態隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統存儲器最主流的存儲器技術，因為它使用電容器作為存儲元件來實現高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
發出警報聲。 本文主要介紹國產鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫療生命監護儀的存儲方案中。對于這些應用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設備可以
2023-08-16 10:30:26
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的動態存儲器控制器（DMC）和靜態存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的靜態存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發、測試和許可。
AHB MC利用了新開發的動態存儲器控制器（DMC）和靜態存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032204 何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數據仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態。主要分為兩種類型：靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，Fairchild發明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統中的存儲器主要用于存放系統程序、用戶程序和工作狀態數據。PLC的存儲器包括系統存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 靜態隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
8 存儲器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ，其中包含程序、數據和外部存儲器總線。該系列的某些產品包括一個SDRAM控制器，可利用
2023-06-21 12:15:03421 
，鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數據，特別適合在那些對寫入時間和次數有較高要求的應用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應用方便，本文介紹了國產鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統中的應用。
2023-06-20 14:19:25391 
自身需求的設備。
提示：土壤氮磷鉀存儲器是一款支持通過485命令寫入氮磷鉀參數，達到現場用戶展示數據的目的，進而方便客戶系統的評估土壤情況的設備。正確用法是使用之前需要用國標測量儀器采土樣先測
2023-06-16 10:09:26
我看MS51有三種Flash大小的，除了Flash大小不同外，其他配置一樣嗎
2023-06-15 10:15:16
存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數據，特別適合在那些對寫入時間和次數有較高要求的應用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應用方便，本文介紹了國產鐵電存儲器PB8
2023-06-08 09:52:17
************************************************* *************************************
* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數據在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
存儲器是集成電路領域的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統稱為記錄介質。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產品在1967年由貝爾實驗室提出，并于1971年由英特爾進一步開發。
2023-05-10 11:03:57408 通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
。AS由FPGA器件引導配置操作過程，它控制著外部存儲器和初始化過程，EPCS系列：如EPCS1，EPCS4配置器件專供AS模式，目前只支持 Cyclone系列。使用Altera串行配置器件來完成
2023-04-24 15:34:27
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設傳輸方式，本章將講解DMA外設到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設，通過串口調試助手等向開發板發送數據，數據會被返回給開發板并通過串口調試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。前面已講解過關于存儲器到存儲器數據傳輸方式，本章將講解存儲器到外設的傳輸方式以及在下一章將會講解外設到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
和用于讀取，寫入和擦除數據的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節級別讀取，寫入和擦除數據。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結構上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
及SRAM相當,大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關鍵技術的研發工作進展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11
7. 存儲器 RA2 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為0000 0000h到FFFF FFFFh，其中可以包含程序、數據和外部存儲器總線。程序和數據存儲器共用地址空間；可使用單獨的總線分別訪問
2023-04-06 16:45:03466 我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM。RAM主要的作用就是存儲代碼和數據供CPU在需要的時候調用。但是這些數據并不是像用袋子盛米那么簡單，更像是圖書館中用書架擺放書籍一樣，不但要放進去還要
2023-03-30 14:15:533181 
) 性存儲器中的配置比特流，配置所需的時鐘信號( 稱為CCLK) 由FPGA內部產生，且FPGA控制整個配置過程。? 在主模式下，FPGA上電后，自動將配置數據從相應的外存儲器讀入到SRAM中，實現內部結構映射；主模式根據比特流的位寬又可以分為：串行模式( 單比特流) 和并行模式( 字節寬度比
2023-03-29 14:50:06533
電子發燒友App
工商網監
評論