PN結是一種常見的半導體結構，它由p型半導體和n型半導體組成，這兩種半導體材料具有不同的摻雜濃度，形成一個正負載流的結構。當在PN結上施加正向電壓時，會引起空間電荷效應，即在PN結區域形成帶電
2024-03-01 11:14:59
325 在各種傳感技術中，最常用和最廣泛的檢測磁場的方法是霍爾效應法。基于霍爾效應，在各種應用中發現了許多霍爾效應傳感器或換能器，它們最常用于感測接近度、速度、電流和位置。 這是因為可以在集成電路上構建霍爾
2024-02-25 15:13:08127 
?單向導電性的，是二極管，不是PN結！?
真正令 PN結 導不了電的，關非 過不去，而是? 離不開及進不來，
交叉對流無障礙，背道而馳不允許，所以，當PN結成了集電結，單向導電性就被打破了。
2024-02-25 08:57:14
將P型半導體連接到正電極，則耗盡層的幅度變窄,P型區域內的空穴越過PN結移動到N型區域,N型區域內的電子則移動到P型區域。
2024-02-06 10:58:55567 
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
在負反饋網絡沒有考慮到反饋支路的負載效應，只是認為反饋網絡是單向的，即沒有考慮到輸入經反饋網絡到輸出的過程，如果考慮到反饋支路的負載效應，就必須重新分析反饋環節的影響。
1、請問如何判斷反饋支路
2024-01-26 09:58:01
為了使PN/PN耦合器的去分類請求也能動畫化，ACK_REQ信號必須連接到網絡的“基本功能”=“x”。
2024-01-25 10:26:07158 
熱電效應是指當兩個不同材料的接觸處存在溫度差時，會產生電場或電勢差，從而引起電荷的移動和電流的產生。熱電效應的研究對于熱電材料的開發和熱電轉換技術的應用有著重要的意義。 熱電效應可以分為三種
2024-01-18 11:43:15646 電流熱效應是指電流通過導體時，導體會受到Joule熱的加熱現象。根據電阻的熱效應，電器的功率會因為電流熱效應而變大。 首先，我們需要了解電流熱效應的原理。當電流通過導體時，導體內部的自由電子會受
2024-01-16 10:43:48208 利用電流熱效應工作的電器是指那些根據電流通過導體產生的熱量來實現其功能的電器。電流熱效應是指當電流通過導體時，由于導體的電阻，電能會被轉化為熱能，導致導體溫度升高。這種熱能轉化的現象廣泛應用于各種
2024-01-16 10:41:10224 微波爐的工作原理并非通過電流的熱效應實現，而是利用了微波的特殊性質以及分子的共振吸收來加熱食物的。 微波爐是一種利用高頻無線電波的設備，它的工作原理基于電磁輻射和分子的轉動和共振吸收。微波爐主要
2024-01-12 17:51:34391 場效應管和IGBT的驅動經常聽到米勒效應這個詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個等效電容在場效應管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍，進而導致驅動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
PN編碼器缺點：1、帶寬占用大：由于PN編碼器使用了正負極性和零態信號，對信號的頻帶要求較高，如果信號頻帶過窄，可能造成信號失真。因此在使用PN編碼器時需要考慮到其較大的帶寬占用問題。2、硬件可靠成本略高：它的硬件實現比較復雜，需要較高的成本。
2024-01-10 10:41:58157 
【科普小貼士】什么是pn結？
2023-12-13 15:06:07684 
采用不同的摻雜工藝將P型半導體和N型半導體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成了PN結， PN結具有單向導電性 。
2023-12-06 16:44:391041 
ad8346汽車級最高工作環境溫度是125度，最高結溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
上一個輸錯了型號，AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結溫
2023-12-05 06:37:12
您好，看了關于測試碼部分的pn9和pn23偽隨機碼，想用pn9序列做對齊，但是不太明白如何計算輸出的pn碼，有沒有關于如何生成這個碼的具體算法呢？或者具體生成值的表格呢？謝謝！
2023-12-01 08:29:55
上期簡單描述了下PN結的基本結構和耗盡區的形成過程，為方便后續定量研究，還是要從能帶圖入手，先看下平衡PN結的能帶圖吧，通過能帶圖，可以獲得PN結的很多有用的信息。
2023-11-30 18:25:262612 
半導體器件有四種基本結構，而PN結無疑是最常見，也是最重要的結構。
2023-11-30 18:22:43975 
IGBT與功率MOS最大的區別就是背面多了一個pn結，在正向導通時，背面pn結構向N-區注入空穴，使得N-區的電阻率急劇減?。措妼д{制效應）。
2023-11-29 15:16:24381 
下面簡要推導PN結導通狀態下的電荷濃度分布以及電流、電壓的關系。
2023-11-28 16:32:04477 
動，其PN結沒有電流通過，二極管截止。
2. MOSFET工作原理
MOS 場效應管也被稱為MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-11-28 15:53:49
在我們現有的功率半導體器件中，PN結占據了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優劣直接決定著功率半導體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 15:47:53408 
何謂PN結的擊穿特性？雪崩擊穿和齊納擊穿各有何特點？ PN結的擊穿特性是指當在PN結上施加的電壓超過一定的值時，PN結將發生擊穿現象，電流迅速增大，導致結電壓快速降低。擊穿是指在正向或反向電壓
2023-11-24 14:20:271216 電子發燒友網站提供《pn結工作原理.zip》資料免費下載
2023-11-20 14:39:41
3 場效應管是一種半導體器件，它可以用來放大或者控制電流 。根據結構的不同，場效應管可以分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOSFET）。其中，JFET是由一個pn結構組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521230 
ICS83PN625I 數據表
2023-11-03 18:30:170 呈正相關性。 首先，二極管的電容效應包括勢壘電容CB和擴散電容CD兩個部分。 勢壘電容CB（Cr） 在 PN 結的內部結構中，PN結空間內缺少導電的載流子，其電導率很低，因此相當于介質。 而PN結兩側的P區和N區，P區空穴多，N區電子多，因為擴散，會在中間形成
2023-11-01 17:12:04509 
，產生擊穿，把這種在強電場作用下，使勢壘區中原子直接激發的擊穿現象稱為齊納擊穿。齊納擊穿一般發生在摻雜濃度較高的PN結中。這是因為摻雜濃度較高的PN結，空間電荷區的電荷密度很大，寬度較窄，只要加不大
2023-10-20 10:10:21
，產生擊穿，把這種在強電場作用下，使勢壘區中原子直接激發的擊穿現象稱為齊納擊穿。齊納擊穿一般發生在摻雜濃度較高的PN結中。這是因為摻雜濃度較高的PN結，空間電荷區的電荷密度很大，寬度較窄，只要加不大
2023-10-20 10:07:05
為什么加正向電壓PN結變薄,加反向會變厚呢？ PN結是半導體器件中最基本和最常用的一種器件，具有正向導通和反向截止的特性。如果將PN結的兩端施加正向電壓，電子從N型區流向P型區，空穴從P型區流向
2023-10-19 16:42:521803 pn結的電容效應 為什么在pn結間加入i層可以減小結電容？ PN結是一種半導體器件，其中P型半導體和N型半導體間由弱耗盡區隔離。這種器件有許多應用，例如光電探測器、太陽能電池、場效應晶體管和整流器
2023-10-19 16:42:49507 ，使電子與空穴向反方向漂移。這兩種運動達到平衡時的結果就是形成一段沒有載流子的區域，稱為空間電荷區，也叫耗盡層。這個空間電荷區叫做PN結。
2023-10-19 14:16:45540 
PN結加正向電壓時,空間電荷區將變窄是因為：**PN結外加正向電壓，此時外電場將多數載流子推向空間電荷區，使其變窄，削弱了內電場
2023-10-18 17:38:582411 
ICS83PN161I 數據表
2023-10-11 18:30:020 PN/PN 耦合器用于連接兩個不同 PROFINET 子網，實現多個控制器不同子網間的可靠數據交換
2023-10-11 16:49:421769 
PN結的反向擊穿有哪幾種形式？? PN結（即正負電極結）是半導體器件的基礎結構之一，它是由p型半導體和n型半導體直接接觸組成的簡單晶體管結構。PN結的一個重要特性是反向擊穿，它指的是當PN結處于反向
2023-09-21 16:09:471700 Chipown經典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列，可完美替代進口工業級芯片5ARxx系列 。
2023-09-14 14:33:42709 
什么是PN結的導通電壓？? PN結是半導體器件中最常見的元器件之一，它將p型半導體和n型半導體的材料在一起，通過電場使它們連接在一起，并形成一個電子流的管道。在其中，導通電壓是PN結的一個重要參數
2023-09-13 15:09:292819 pn結是怎么形成的？有哪些基本特性 PN結是半導體器件中最基本的元器件之一，它的存在使得晶體管、二極管、光電池等半導體器件得以實現。PN結是由n型半導體和p型半導體通過特定工藝加工、熱擴散或離子注入
2023-09-13 15:09:203674 簡述pn結的三種擊穿機理? PN結是半導體器件中最常見的結構之一，它由P型半導體和N型半導體材料組成。在正向偏壓下，PN結會工作在正常的導電狀態，而在反向偏壓下，PN結則會發生擊穿現象，這是PN
2023-09-13 15:09:182979 密切相關。在PN結外加正向偏壓的情況下，暗電流隨外加電壓增大而急劇增大，遠大于光電流，因此加正偏壓無意義。在PN結外加反向偏壓的情況下，暗電流隨反向偏壓升高而增加。
這些噪聲源的成因可以歸結為物質的光電效應以及熱效應等，具體取決于光電探測器的設計和工作環境。
2023-09-01 17:05:31
在上一節計算光學小講堂中，我們學習了光源掩模協同優化（source mask co-optimization, SMO）的相關知識。這一節我們將主要探索光學鄰近效應修正（Optical Proximity Correction，OPC）技術是如何用來提升光刻工藝窗口，為芯片生產保駕護航的。
2023-09-01 09:48:442297 
I2C1 使用 pin PN4 和 PN5 來通信失敗, 但作為 GPIO 成功使用 。
你需要檢查電路是否有強烈的阻力
2023-08-25 06:56:40
電子發燒友網站提供《PN7160卡仿真.pdf》資料免費下載
2023-08-17 14:32:490 電子發燒友網站提供《PN7160安卓移植指南.pdf》資料免費下載
2023-08-17 11:40:261 結型場效應管柵極反偏但仍有電流，MOS場效應管柵極絕緣，沒有電流。
2023-08-17 09:19:34616 
ICS83PN148I 數據表
2023-07-14 11:40:380 ICS83PN128I 數據表
2023-07-13 19:22:020 ICS83PN156I 數據表
2023-07-10 20:39:050 ICS83PN187I 數據表
2023-07-10 20:38:460 83PN15639 數據表
2023-07-10 19:36:180 GT41FUA-PN，霍爾效應傳感器，設計用于無刷直流電機應用的電子換向。該裝置包括一個用于磁傳感的片上霍爾電壓發生器，一個放大霍爾電壓的比較器，以及一個用于提供噪聲抑制的開關磁滯，開放收集器輸出
2023-07-07 14:29:160 什么是PN編碼器？PN編碼器主要應用與優點：PN編碼器具有很多優點。首先，它可以將原始信號進行變換編碼，從而增加了發送信號的保密性。其次，它可以通過事先協定好的代碼進行解碼，提高了數據傳輸的準確性
2023-07-05 13:55:521297 
半導體可以摻雜其他材料，變成p型或n型。pn結二極管可以是正向偏置或反向偏置。led是產生光子的正向偏壓二極管。太陽能電池是吸收光子的pn結，給電子足夠的能量進入導帶。
2023-06-30 09:51:361958 
供應PN8160SEC-R1H，更多產品手冊、提供PN8160SEC-R1H 12V2A適配器方案，更多pn8160數據手冊應用料資請向芯朋微代理驪微電子申請。>>
2023-06-10 10:59:394 場效應管可以分成兩大類，一類是結型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
CPU 1514SP T-2 PN和CPU 1514TP TF-2 PN，它們不僅具有擴展的運動控制功能，而且，以SIMATIC S7-1500控制器的創新固件版本V3.0為基礎。
2023-06-07 15:48:06364 
PN7150作為卡模擬功能時，華為手機無法讀取卡模擬。使用小米/三星等手機模擬讀卡成功。對比兩個日志文件發現，華為手機讀取PN7150卡模擬時，識別的是NFC-DEP，而小米手機識別
2023-06-05 08:00:41
我正在嘗試使用 PN532 芯片模擬 NFC 卡 - 因此將 PN532 放在桌子上，使用 Android 或 iOS 設備，能夠從芯片讀取數據。這個想法是使用 PN532 的主動功能使讀/寫過程更容易/更快/防故障。
但是，我遇到了問題。有什么我應該效仿的例子嗎？
2023-06-01 08:42:59
二極管大家都很熟悉，前面也好幾次對其工作特性分析過，具有導電單向性，其主要性能參數有：反向峰值電壓，正向平均電流，正向耗散功率，pn結電容、溫度效應，一般大家都比較關心靠前的那些參數指標，卻很少過多
2023-05-30 09:16:562189 
我了解到NXP PN7160的部分固件存放在FLASH中，可以通過sFWU的方式進行更新。
2023-05-30 07:30:06
關于二極管的原理來自于PN結，下圖為本征半導體。
2023-05-29 10:31:131124 
我設計了帶有 I2C 端口的 PN7160 和 PN7161 板。
我得到以下結果：
1.所有PN7160板都運行良好。
2.所有PN7161板都不工作，啟動失敗。
PN7160 和 PN
2023-05-29 07:02:23
PN7462 是否支持 Segger RTT？
2023-05-19 07:35:56
PN560是否支持felica？哪些NXP芯片支持felica？
多謝！
2023-05-09 06:17:58
當我以共享模式運行 libnfc-nci demoapp 時，閱讀器設備顯示 pn7150 的 uid 是“040302010400”，但是我如何為 PN7150 設置特定的 UID？
我可以參考什么文件？
2023-05-08 08:44:55
我正在使用 PN7462 開發套件和 MCUXpresso IDE v11.4.1，在調試代碼時出現錯誤，
圖片中提到的，你能告訴我為什么這個錯誤也有根本原因和解決方案嗎，
2023-05-05 11:10:03
我看有些項目使用PN7150時使用的驅動為pn544，文件列表如下
dx@ubuntu:~/nfc/pn544$ ls
2023-05-04 07:08:48
我正在尋找使用 PN7150 讀/寫 MIFARE Ultralight 頁面的命令序列。我正在努力閱讀 PN7150 用戶手冊 - 我看到了 MIFARE Classic（帶身份驗證）的序列圖，但沒有看到 MIFARE Ultralight。誰能啟發我或指出一些示例代碼。
2023-05-04 07:04:12
我正在開發一款 Android12 設備，它將使用 PN532 實現 NFC 功能。我搜索了 PN532 產品介紹，但沒有找到 PN532 的 android12 移植指南。
我可以從你那里得到一些
2023-04-23 07:51:12
我想使用 PN7362 芯片實現 NFC 功能。但是，如果安裝MCUXpresso IDE 搜索SDK，則沒有PN7362 的SDK。
我不知道如何在 MCUXpresso IDE 中使用我在恩智浦
2023-04-23 06:56:21
ICS83PN625I 數據表
2023-04-17 18:46:590 ICS83PN161I 數據表
2023-04-14 19:17:410 放大狀態下的三極管是兩個PN結都大于0.7V嗎？求解
2023-04-12 11:30:57
如何解決PCB制造中的HDI工藝內層漲縮對位問題呢？
2023-04-06 15:45:50
ICS83PN148I 數據表
2023-04-04 18:46:090 我們正在開發一款帶有 PN5190 的閱讀器。 部分讀者在調用函數phhalHw_Pn5190_EnBootNormalMode時初始化PN5190失敗，返回錯誤。通常當PN5190正常工作時，初始
2023-04-03 08:55:36
ICS83PN128I 數據表
2023-03-30 19:50:370 二極管具有電容效應。它的電容包括勢壘電容CB和擴散電容CD。
1．勢壘電容CB（Cr）
前面已經講過，PN結內缺少導電的載流子，其電導率很低，相當于介質；而PN結兩側的P區、N區的電導率高，相當于金屬導體。從這一結構來看，PN結等效于一個電容器。
2023-03-30 13:58:342860 
我有一個問題?？梢杂胠ibnfc-nci驅動pn532嗎？如果可以驅動，我們有任何說明嗎？我期待著您的反饋。
2023-03-29 07:58:08
ICS83PN156I 數據表
2023-03-24 18:49:290 ICS83PN187I 數據表
2023-03-24 18:49:120 83PN15639 數據表
2023-03-23 19:44:410 CONNDSUBPLUG17POSSTRSLDCUP
2023-03-23 02:16:21
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