高密度MRAM未來將會取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備

高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備，通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。

對于Everspin而言，Toggle MRAM的成功正在幫助推動其在其他產(chǎn)品領(lǐng)域的雄心壯志，并且最近宣布了其新的32Mb Toggle MRAM，其容量是其當前解決方案的兩倍。Everspin表示，它旨在支持需要更高密度選項的關(guān)鍵應(yīng)用，例如在嵌入式系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中存儲配置，設(shè)置和數(shù)據(jù)記錄，以及預(yù)測5G 網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動的設(shè)備需求。

那么，為什么不讓客戶使用兩個16Mb設(shè)備呢？新的更高容量的Toggle MRAM可以滿足客戶的需求，這些客戶在板上放置了16兆，并在此過程中增加了復雜性并占用了更多空間。Toggle MRAM提供了簡便性，特別是當它替換SRAM和EEPROM的組合時，將其描述為“kluge修復程序”，尤其是在SRAM中添加了化學電池之后。從（設(shè)計）簡單性以及設(shè)備的長期可靠性的角度來看，真的沒有可比性。

Everspin的新型32Mb Toggle MRAM旨在滿足嵌入式系統(tǒng)，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中對配置，設(shè)置和數(shù)據(jù)記錄的不斷增長的存儲要求。盡管5G仍在加速發(fā)展并仍處于測試模式，但Everspin希望它在未來兩年內(nèi)從連接的設(shè)備的角度來看爆炸式增長，并且推動這些設(shè)備的數(shù)據(jù)和代碼容量需求。僅這些設(shè)備的數(shù)據(jù)流就需要越來越多的持久性以實現(xiàn)斷電和數(shù)據(jù)記錄。

Everspin的最新Toggle MRAM已在游戲，工業(yè)，軍事和航空航天市場與客戶一起采樣，所有這些產(chǎn)品都利用了該產(chǎn)品的無限循環(huán)耐久性，可在-40C至+125C的各種溫度范圍內(nèi)進行讀寫。

除了容量更高之外，32Mb Toggle MRAM還保持了EVERSPIN所有Toggle MRAM設(shè)備中可用的快速讀寫訪問速度和20年的數(shù)據(jù)保留，該公司還發(fā)布了新的2Mb和8Mb切換數(shù)據(jù)容量要求較低的客戶，以補充現(xiàn)有的1Mb，4Mb和16Mb設(shè)備，這些設(shè)備均具有串行和并行接口以及幾種流行的封裝選項。

許多行業(yè)談?wù)摱紘@高密度MRAM中的STT進行，而忘記了Toggle已經(jīng)存在了一段時間。Everspin于2006年首次投入生產(chǎn)，對于擁有如此龐大和多樣化客戶群的公司而言，Everspin具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。它為我們提供了在更先進，更高密度的STT上進行研發(fā)的收入。

當今Toggle MRAM的主要用途是在需要維護數(shù)據(jù)的系統(tǒng)中替換SRAM電池組合，即使電源關(guān)閉或出現(xiàn)故障也是如此。在暴露于大量輻射的應(yīng)用中，特別是在衛(wèi)星中，它也是SRAM或NOR閃存的絕佳替代品。輻射消除了當今主流技術(shù)的負擔。

Everspin目前是唯一一家銷售分立的獨立MRAM芯片的公司，并且自2006年以來一直在商業(yè)化生產(chǎn)ToggleMRAM。STT-MRAM的開發(fā)是為了使MRAM的擴展比Toggle以往任何時候都小。Everspin的低密度舊零件是使用130納米Toggle MRAM制造的，而該公司的較新的90納米零件則使用STT。最新的Toggle MRAM產(chǎn)品的主要值得注意的更新是密度。

MRAM引起了代工廠的極大興趣，因為它們無法制造小于28nm的NOR閃存，并且客戶正在尋找替代品，而Everspin正在幫助這些代工廠在其標準CMOS邏輯工藝上推出MRAM。使用MRAM制作的芯片越多，MRAM的生產(chǎn)效率就越高，而其價格卻越便宜。這一切都是靠自己為生的，因為它越便宜，它就會賣出更多。

盡管STT-MRAM的規(guī)模可以比Toggle小，并且持續(xù)的工藝縮減將使MRAM的成本降到SRAM，NOR和DRAM以下，而NAND可能仍在很長一段時間內(nèi)比MRAM便宜。同時Everspin不僅是領(lǐng)先的Toggle MRAM播放器，該公司還是唯一一家銷售分立的，獨立的MRAM芯片的公司。Everspin代理英尚微電子可為客戶提供一切技術(shù)支持及產(chǎn)品解決方案等一體系產(chǎn)品服務(wù)。

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MRAM(31550) MRAM(31550)
5G(552895) 5G(552895)

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RAM和NAND再遇強敵， MRAM被大廠看好的未來之星

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簡儀推出新產(chǎn)品高密度多功能數(shù)據(jù)采集模塊——PCIe/PXIe-5113/5113s，針對高密度模擬輸入通道需求提供高性價比的解決方案，擴展DAQ數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品的涵蓋范圍。產(chǎn)品亮點 01 高密度模擬

2023-10-25 14:30:59

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2023-06-15 15:14:35

Holt品牌 HI-3220系列單片CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC 詳細資料

Holt集成電路公司的HI-3220是一系列單片CMOS高密度應(yīng)用數(shù)據(jù)管理IC，能夠在16個ARINC 429接收通道和8個ARINC 429-發(fā)送通道之間管理、存儲和轉(zhuǎn)發(fā)航空電子數(shù)據(jù)消息，使這些

2023-06-15 11:20:44

高密度互連印刷電路板如何實現(xiàn)高密度互連HDIne ?

高密度互連 (HDI) 需求主要來自于芯片供應(yīng)商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過孔。

2023-06-01 16:43:58

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HBM3：用于解決高密度和復雜計算問題的下一代內(nèi)存標準

在這個技術(shù)革命的時代，人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來存儲數(shù)據(jù)，其中高帶寬內(nèi)存（HBM）提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。

2023-05-25 16:39:33

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8倍密度，像做3D NAND一樣做DRAM

Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存

2023-05-08 07:09:00

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Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。

2023-04-27 17:33:44

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一文了解新型存儲器MRAM

(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。即：MRAM是非揮發(fā)性介質(zhì); MRAM是磁性隨機存儲介質(zhì); MRAM具有RAM的讀寫速度。

2023-04-19 17:45:46

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MPO光纖跳線解決高密度高速傳輸需求

被廣泛應(yīng)用于在布線過程里需要高密度集成光纖線路環(huán)境中。 ? 解決高密度高速傳輸需求的MPO ? MPO，全名Multi-fiber Push ON，是用來做設(shè)備到光纖布線鏈路的跳接線。MPO光纖跳線由MPO連接器和光纜組成。MPO連接器是一種使用精密模具成型在機械

2023-04-18 01:16:00

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MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

及SRAM相當,大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設(shè)備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進展順利，自旋注入MRAM今后

2023-04-07 16:41:05

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高密度MRAM未來將會取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備

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