羅姆半導(dǎo)體公司近日宣布，其旗下高性能的650V GaN器件（EcoGaN）已被全球知名的綠色解決方案供應(yīng)商臺達(dá)電子旗下的Innergie品牌成功采用，用于其最新推出的45W輸出AC適配器“C4
2024-03-12 11:13:01
255 高性能的應(yīng)用場景，中斷響應(yīng)速度低至ns級，而非常高負(fù)載情況下ThreadX任務(wù)抖動依然可控制在10us以內(nèi)，同時(shí)完備的HAL驅(qū)動庫具備極速外設(shè)響應(yīng)速度。對于熟悉STM32的開發(fā)工程師可實(shí)現(xiàn)零門檻升級至
2024-03-07 20:06:14
為幫助業(yè)界更好地利用GaN和SiC等寬帶隙技術(shù)，在電動汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高性能電源轉(zhuǎn)換，Allegro宣布推出新型高帶寬電流傳感器 ACS37030和ACS37032，這些全新高功率密度傳感器能夠降低能量損耗，同時(shí)改進(jìn)SiC和GaN技術(shù)的效率和可靠性。
2024-03-04 16:50:18173 我非常榮幸地向大家推薦幾款高性能的三防平板電腦，這些產(chǎn)品都來自億道三防onerugged系列。它們以其卓越的性能和出色的工藝設(shè)計(jì)，成為行業(yè)中備受矚目的產(chǎn)品。
2024-02-20 10:05:33123 VCSEL激光器與EEL激光器的區(qū)別 VCSEL激光器與EEL激光器是兩種不同的激光器技術(shù)，本文將詳細(xì)介紹它們的區(qū)別。VCSEL激光器是垂直腔面發(fā)射激光器的縮寫，而EEL激光器是邊發(fā)射激光器的縮寫
2024-01-31 10:15:48580 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小，但同時(shí)能夠保證最好的性能，氮化鎵（GaN）的出現(xiàn)，讓這一方案得以實(shí)現(xiàn)。在智能家居
2024-01-19 00:21:003337 TGA2622-SM：高性能X波段放大器，滿足脈沖應(yīng)用需求華灃恒霖電子，作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片貿(mào)易商，深知在高端應(yīng)用領(lǐng)域，對于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增長。今天，我們非常榮幸地為您
2024-01-14 21:40:44
華灃恒霖電子，作為業(yè)界領(lǐng)先的專業(yè)分銷商，深知在高端應(yīng)用領(lǐng)域，對于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增長。今天，我們非常榮幸地為您推薦Qorvo的TGA2214-CP，一款專為滿足這些
2024-01-14 21:39:41
TGA2622-SM：高性能X波段放大器，滿足脈沖應(yīng)用需求華灃恒霖電子，作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片貿(mào)易商，深知在高端應(yīng)用領(lǐng)域，對于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增長。今天，我們非常榮幸地為您
2024-01-14 16:39:06
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。
2023-12-19 09:21:39342 
電壓之前，讓我們首先了解一下VCSel芯片的原理和應(yīng)用。 VCSel芯片的工作原理是利用半導(dǎo)體材料。它由多個(gè)半導(dǎo)體層組成，其中包括發(fā)光層和多個(gè)襯底層。光子通過這些層的相互作用來進(jìn)行放大和發(fā)射，從而產(chǎn)生激光光束。與傳統(tǒng)的邊射激光器不同，VCSel芯片的發(fā)射是沿垂直方向的，因此具有更好的光束質(zhì)
2023-12-18 11:28:132720 大模型或者句向量在訓(xùn)練時(shí)，使用的語料都是較為通用的語料。這導(dǎo)致了這些模型，對于垂直領(lǐng)域的知識識別是有缺陷的。它們沒有辦法理解企業(yè)內(nèi)部的一些專用術(shù)語，縮寫所表示的具體含義。這樣極大地影響了生成向量的精準(zhǔn)度，以及大模型輸出的效果。
2023-12-07 09:41:53558 
secondary cpu啟動 由于psci方式啟動secondary cpu的流程，除了其所執(zhí)行的cpu_ops不同之外，其它流程與spin-table方式是相同的，因此我們這里只給出執(zhí)行流程圖
2023-12-05 17:41:13212 
secondary cpu執(zhí)行流程 aarch64架構(gòu)secondary cpu的內(nèi)核入口函數(shù)為secondary_entry（arch/arm64/kernel/head.S），以下為其執(zhí)行主流程
2023-12-05 16:12:58272 
啟動secondary cpu 內(nèi)核在啟動secondary cpu之前當(dāng)然需要為其準(zhǔn)備好執(zhí)行環(huán)境，因?yàn)閮?nèi)核中cpu最終都將由調(diào)度器管理，故此時(shí)調(diào)度子系統(tǒng)應(yīng)該要初始化完成。 同時(shí)cpu啟動完成轉(zhuǎn)交
2023-12-05 15:46:51231 
spin-table spin-table啟動流程的示意圖如下： 芯片上電后primary cpu開始執(zhí)行啟動流程，而secondary cpu則將自身設(shè)置為WFE睡眠狀態(tài)，并且為內(nèi)核準(zhǔn)備了一塊內(nèi)存
2023-12-05 15:27:21273 
在整個(gè)應(yīng)力作用下，性能略有下降。正如預(yù)期的那樣，跨導(dǎo)和漏電流隨著時(shí)間的推移而減小。電子遷移率下降對溫度的影響
2023-12-02 10:27:26323 
。與此同時(shí)，多總線通信的需求日益增長，通信數(shù)據(jù)量也逐步增多。這樣的趨勢導(dǎo)致測試系統(tǒng)對于測試工具性能的要求也隨之提高。為了滿足這些需求，除了配置高性能電腦外，CANoe也
2023-11-30 08:24:53265 
其他智能手機(jī)制造商最初也追隨這一趨勢，但幾年后便停止使用VCSEL，轉(zhuǎn)而使用屏下指紋傳感器。蘋果仍然是僅有的幾家采用VCSEL的參與者之一。與2018年相比，2022年用于移動和消費(fèi)應(yīng)用的VCSEL市場增長了80%，現(xiàn)在在平板電腦、AR/VR頭顯、掃地機(jī)器人和智能門鎖中都能找到VCSEL的身影。
2023-11-24 16:01:59331 
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動性能
2023-11-23 16:21:17236 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《設(shè)計(jì)低功耗和高性能的工業(yè)應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 14:50:42
0 等，客戶分布在人工智能、各類數(shù)據(jù)中心、電信和高性能計(jì)算等各個(gè)領(lǐng)域。 ? 集成方案好處多，適合AI大模型發(fā)展 ? Credo發(fā)布集
2023-11-14 09:51:081296 近日，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展，相關(guān)成果以“Green Vertical-Cavity Surface-Emitting
2023-11-10 09:48:54317 
案例，將瑞識科技推向了VCSEL領(lǐng)域創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)跑者的角色，也為如何開拓VCSEL的應(yīng)用提供了諸多啟發(fā)。 行業(yè)領(lǐng)先 瑞識高性能紅光VCSEL量產(chǎn)出貨超千萬顆 隨著消費(fèi)電子、汽車電子、數(shù)據(jù)通信等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，VCSEL市場規(guī)模正持續(xù)擴(kuò)大。研究機(jī)構(gòu) Yole Group預(yù)測稱，2027年僅VCSEL芯片市
2023-10-20 13:50:38237 案例，將瑞識科技推向了VCSEL領(lǐng)域創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)跑者的角色，也為如何開拓VCSEL的應(yīng)用提供了諸多啟發(fā)。 行業(yè)領(lǐng)先 瑞識高性能紅光VCSEL量產(chǎn)出貨超千萬顆 隨著消費(fèi)電子、汽車電子、數(shù)據(jù)通信等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，VCSEL市場規(guī)模正持續(xù)擴(kuò)大。研究機(jī)構(gòu) Yole Group預(yù)測稱，2027年僅VCSEL芯片市場規(guī)模
2023-10-20 13:21:51593 星光 2是迄今最高性能單板機(jī)。 搭載高性能昉·驚鴻7110搭載64位高性能四核RISC-V CPU，2MB的二級緩存，工作頻率最高可達(dá)1.5 GHz。昉·驚鴻7110具有多個(gè)的高速本地接口，支持
2023-09-28 10:34:57
下具有很好的擬合度，詳細(xì)討論了大角度擴(kuò)展模型中的基函數(shù)采樣數(shù)目和加權(quán)系數(shù)的選取依據(jù)及其擬合精度。結(jié)果表明，文中所提計(jì)算方法可準(zhǔn)確地?cái)M合對MIMO多天線系統(tǒng)分析時(shí)的適用性和計(jì)算效率，能降低理論計(jì)算的復(fù)雜性，可滿足實(shí)際信道建模及 MassiveMIMO陣列設(shè)計(jì)的精度需求，且可提高性能和計(jì)算效率。
2023-09-19 07:53:10
基流科技主要致力于構(gòu)建大模型ai時(shí)代的基礎(chǔ)高性能計(jì)算網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營企業(yè)，致力于打造大模型ai時(shí)代的“思科”。胡效赫是清華大學(xué)的博士、博士后，曾是加州大學(xué)伯克利分校的訪問學(xué)者，精通分布式計(jì)算和高性能網(wǎng)絡(luò)。
2023-09-18 11:28:191077 目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)洌试陂_關(guān)頻率超過 250 kHz 時(shí)也會受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
開關(guān)電源芯片U8722X是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。
2023-09-07 15:52:10466 同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
2023-09-06 15:54:13910 在競爭激烈的當(dāng)今市場中，可再生能源、儲能、電源適配器、電源充電器和數(shù)據(jù)處理應(yīng)用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解決方案來提高性能，以滿足不斷增長的電信、汽車、醫(yī)療保健和航空航天行業(yè)的需求。氮化鎵
2023-09-06 06:38:52
，以及優(yōu)化的GaN VGS驅(qū)動電壓實(shí)現(xiàn)較高穩(wěn)健性和效率。這種集成了自舉二極管的單芯片允許設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)GaN的性能優(yōu)勢，同時(shí)簡化設(shè)計(jì)和減少物料要求。
2023-09-05 06:58:54
摘要：研究了基于AlGaN/GaN型結(jié)構(gòu)的氣敏傳感器對于CO的傳感性.制備出AlGaN/GaN型氣敏傳感器器件，并測試得到了器件在50℃時(shí)對于不同濃度（1%，9000，8000，5000
2023-09-01 16:22:490 ;高性能服務(wù)器;藍(lán)海大腦;多元異構(gòu)算力;大模型訓(xùn)練;通用人工智能;GPU服務(wù)器;GPU集群;大模型訓(xùn)練GPU集群;大語言模型;深度學(xué)習(xí);機(jī)器學(xué)習(xí);計(jì)算
2023-08-23 17:36:151709 
HPM是一個(gè)高度可配置的自動生成的AMBA 3總線子系統(tǒng)，基于稱為AXI總線矩陣的高性能AXI交叉開關(guān)，并由AMBA基礎(chǔ)設(shè)施組件進(jìn)行擴(kuò)展。
有關(guān)這些組件的信息，請參閱PrimeCell高性能矩陣
2023-08-22 06:22:10
ARM周期模型工具提供了一個(gè)集成環(huán)境，該環(huán)境將系統(tǒng)驗(yàn)證與硬件開發(fā)流程并行。
周期模型編譯器采用RTL硬件模型并創(chuàng)建一個(gè)高性能的可鏈接對象，稱為周期模型，它是周期和寄存器準(zhǔn)確的。
周期模型編譯器提供了與驗(yàn)證環(huán)境交互的API：
2023-08-16 06:30:07
使用 PyTorch 對具有非方形圖像的 YOLOv4 模型進(jìn)行了訓(xùn)練。
將 權(quán)重轉(zhuǎn)換為 ONNX 文件，然后轉(zhuǎn)換為中間表示 （IR）。
無法確定如何獲得更好的推理性能。
2023-08-15 06:58:00
ARM周期模型工具提供了一個(gè)集成環(huán)境，該環(huán)境將系統(tǒng)驗(yàn)證與硬件開發(fā)流程并行，如圖1.1所示。
周期模型編譯器采用RTL硬件模型并創(chuàng)建一個(gè)高性能的可鏈接對象，稱為周期模型，即準(zhǔn)確的周期和寄存器。
周期模型提供了與驗(yàn)證環(huán)境交互的API。
2023-08-12 06:46:25
ARM?性能模型庫是一個(gè)包，其中包含支持的ARM性能模型，用于動態(tài)建模和模擬已配置的ARM IP的性能。
您可以根據(jù)模型的性能數(shù)據(jù)調(diào)整您的IP配置，從而提高SoC設(shè)計(jì)中IP的性能。
不同版本的ARM
2023-08-11 06:20:07
調(diào)試使平臺的軟件開發(fā)人員能夠創(chuàng)建應(yīng)用程序、中間件和滿足高性能、低功耗三個(gè)關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)的平臺軟件消耗和可靠性。
ARMv4體系結(jié)構(gòu)首先引入了外部調(diào)試功能，以支持開發(fā)人員使用嵌入式和深度嵌入式處理器，并已
2023-08-08 06:41:13
最先進(jìn)的人工智能
模型在不到五年的時(shí)間內(nèi)經(jīng)歷了超過 5，000 倍的規(guī)模擴(kuò)展。這些 AI
模型嚴(yán)重依賴復(fù)雜的計(jì)算和大量內(nèi)存來實(shí)現(xiàn)
高性能深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) （DNN）。只有使用 CPU、GPU 或?qū)Ｓ眯酒?/div>
2023-07-28 10:10:17
隨著光電子和信息技術(shù)的發(fā)展,尤其是設(shè)備升級和工藝改進(jìn)后,VCSEL無論在性能還是應(yīng)用上都取得了長足的發(fā)展。由于VCSEL具有閾值電流低、工作波長穩(wěn)定、光束質(zhì)量好、易于一維和二維集成等優(yōu)點(diǎn),在光通信
2023-07-18 16:06:211724 
、體積、功耗等性能參數(shù)起到了決定性作用。如何為激光雷達(dá)提供合適的驅(qū)動方案？以及如何與客戶協(xié)同對VCSEL芯片進(jìn)行激光雷達(dá)工作環(huán)境下的測試，將多結(jié)高功率VCSEL芯片在激光雷達(dá)上的性能發(fā)揮到極致？ 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，針對這些問題
2023-07-12 11:24:352121 
這背后就有VCSEL芯片制成的接近感應(yīng)模塊的支持——通過低功率的VCSEL芯片發(fā)射激光，當(dāng)有物體靠近時(shí)會自動反射激光，手機(jī)就能偵測到物體接近，并判斷屏幕是熄滅還是點(diǎn)亮，這就讓手機(jī)日常使用時(shí)盡可能降低功耗并減少誤觸，方便人們使用。
2023-07-06 15:17:23537 
。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨(dú)特的優(yōu)勢，其中，針對GaN功率器件的性能特點(diǎn)，該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無線充電、激光雷達(dá)等應(yīng)用場合。
圖1 半導(dǎo)體材料特性對比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
標(biāo)準(zhǔn)1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中，我們已經(jīng)能夠?qū)㈤_關(guān)頻率推到600 kHz以上，同時(shí)保持97.5%的效率。當(dāng)結(jié)合行業(yè)領(lǐng)先的圖騰柱PFC，峰值整個(gè)系統(tǒng)的效率達(dá)到80Plus制定的Titanium標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-16 11:01:43
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)基于先進(jìn)的TCAD仿真設(shè)計(jì)平臺開發(fā)出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫，并系統(tǒng)地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結(jié)構(gòu)對GaN基垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）電學(xué)和熱學(xué)特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271 
該器件已準(zhǔn)備就緒：為Transphorm的創(chuàng)新常關(guān)型氮化鎵平臺應(yīng)用于新一代汽車和三相電力系統(tǒng) ? 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)
2023-06-02 13:54:07395 量子磁探測傳感器，或稱為原子磁強(qiáng)計(jì)，其原理是借助激光與原子的相互作用實(shí)現(xiàn)對微弱磁場的高靈敏度檢測。原子磁強(qiáng)計(jì)中采用的光源以VCSEL為主，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">VCSEL具備工作溫度范圍寬及高光束質(zhì)量這兩大優(yōu)勢
2023-05-24 16:40:07543 
電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準(zhǔn)確預(yù)測器件大信號性能造成更多困難。
2023-05-24 09:40:011374 
VCSEL激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）是一種垂直于襯底面射出激光的激光器，可以在襯底上多個(gè)方向上排列多個(gè)激光器，形成并行光源或面陣光源
2023-05-23 10:31:13916 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463 策略概要]，本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2023-05-17 10:19:13832 
隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求，晶豐明源通過不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦通訊快充BP87618+BP818+BP62610組合方案。
2023-05-08 14:49:32691 
合作伙伴，受邀參與該次大會，并在大會論壇上分享了先楫高性能MCU搭載OpenHarmony系統(tǒng)在工業(yè)終端的應(yīng)用。
OpenHarmony開源兩年多，吸引了130多家伙伴、超過5100名開發(fā)者參與
2023-04-23 15:01:44
MAPC-A2021GaN 放大器 32 V，8 W 1.8 - 2.7 GHz - MACOM PURE CARBIDEMAPC-A2021 是一款碳化??硅基 GaN
2023-04-23 14:59:32
MAPC-A1508GaN 放大器 50 V，700 W 900 - 930 MHzMAPC-A1508 是一款碳化??硅基 GaN HEMT D 型放大器，適用于 900
2023-04-23 13:18:27
ZIPCと高性能嵌入式工坊を連攜しテドッグする場合の補(bǔ)足マニュアル
2023-04-21 19:19:280 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06363 策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2023-04-03 11:12:17553 
高性能雙運(yùn)算放大器
2023-03-28 18:29:33
高性能電流模式控制器
2023-03-28 18:25:04
高性能電流模式控制器
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