逆變器中場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的原因有哪些? 逆變器中場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的原因有以下幾個(gè)方面： 1. 導(dǎo)通電阻發(fā)熱：在工作過(guò)程中，場(chǎng)效應(yīng)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流會(huì)通過(guò)導(dǎo)體。根據(jù)歐姆定律，通過(guò)導(dǎo)體的電流與電阻成正比，因此
2024-03-06 15:17:20
185 通電導(dǎo)體周圍存在磁場(chǎng)和電流的磁效應(yīng)是不同的。在本文中，我將詳細(xì)闡述這兩種磁效應(yīng)的原理、特點(diǎn)和應(yīng)用。 首先，讓我們從通電導(dǎo)體周圍存在磁場(chǎng)的磁效應(yīng)開(kāi)始討論。當(dāng)電流通過(guò)一根導(dǎo)體時(shí)，比如一根直線導(dǎo)線，會(huì)形成
2024-02-26 09:30:39178 在各種傳感技術(shù)中，最常用和最廣泛的檢測(cè)磁場(chǎng)的方法是霍爾效應(yīng)法。基于霍爾效應(yīng)，在各種應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)了許多霍爾效應(yīng)傳感器或換能器，它們最常用于感測(cè)接近度、速度、電流和位置。 這是因?yàn)榭梢栽诩呻娐飞蠘?gòu)建霍爾
2024-02-25 15:13:08127 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動(dòng)。
2024-02-22 18:16:54830 電動(dòng)機(jī)原理是電流的磁效應(yīng)嗎？ 是的，電動(dòng)機(jī)原理與電流的磁效應(yīng)密切相關(guān)。在電動(dòng)機(jī)中，通過(guò)電流在磁場(chǎng)中產(chǎn)生的磁效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)機(jī)械能轉(zhuǎn)換為電能或者電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的過(guò)程。 一般來(lái)說(shuō)，電動(dòng)機(jī)由電源、磁場(chǎng)與導(dǎo)體
2024-02-04 10:02:29356 加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓時(shí)導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
如果在柵源之間加正向電壓，溝道電阻會(huì)越來(lái)越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
為使P
2024-01-30 11:51:42
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
在負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)沒(méi)有考慮到反饋支路的負(fù)載效應(yīng)，只是認(rèn)為反饋網(wǎng)絡(luò)是單向的，即沒(méi)有考慮到輸入經(jīng)反饋網(wǎng)絡(luò)到輸出的過(guò)程，如果考慮到反饋支路的負(fù)載效應(yīng)，就必須重新分析反饋環(huán)節(jié)的影響。
1、請(qǐng)問(wèn)如何判斷反饋支路
2024-01-26 09:58:01
不會(huì)有明顯的改變。此時(shí)三極管功率基本不變，電流達(dá)到飽和，電壓降也已經(jīng)是最小值。
場(chǎng)效應(yīng)管以N增強(qiáng)型為例，其本質(zhì)是一個(gè)壓控電阻，通過(guò)控制柵源電壓控制漏源電阻，具有互導(dǎo)特性，輸出阻值的變化比上輸入電壓
2024-01-18 16:34:45
熱電效應(yīng)是指當(dāng)兩個(gè)不同材料的接觸處存在溫度差時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)或電勢(shì)差，從而引起電荷的移動(dòng)和電流的產(chǎn)生。熱電效應(yīng)的研究對(duì)于熱電材料的開(kāi)發(fā)和熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用有著重要的意義。 熱電效應(yīng)可以分為三種
2024-01-18 11:43:15646 電流熱效應(yīng)是指電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體會(huì)受到Joule熱的加熱現(xiàn)象。根據(jù)電阻的熱效應(yīng)，電器的功率會(huì)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">電流熱效應(yīng)而變大。 首先，我們需要了解電流熱效應(yīng)的原理。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)部的自由電子會(huì)受
2024-01-16 10:43:48208 利用電流熱效應(yīng)工作的電器是指那些根據(jù)電流通過(guò)導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量來(lái)實(shí)現(xiàn)其功能的電器。電流熱效應(yīng)是指當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，由于導(dǎo)體的電阻，電能會(huì)被轉(zhuǎn)化為熱能，導(dǎo)致導(dǎo)體溫度升高。這種熱能轉(zhuǎn)化的現(xiàn)象廣泛應(yīng)用于各種
2024-01-16 10:41:10224 舉例而言，一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個(gè)電阻，在電源和漏極接一個(gè)負(fù)載，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可以看做是一個(gè)互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請(qǐng)問(wèn)此時(shí)這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
請(qǐng)問(wèn)在這個(gè)電流輸入信號(hào)的電路下，左下的電流驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管的小電路是什么原理和作用，在輸入電流0-20毫安的過(guò)程中他的開(kāi)通關(guān)斷程度是怎么樣的？在輸入電流信號(hào)的前提下，上面這個(gè)電壓信號(hào)輸入電路有沒(méi)有
2024-01-13 13:26:43
微波爐的工作原理并非通過(guò)電流的熱效應(yīng)實(shí)現(xiàn)，而是利用了微波的特殊性質(zhì)以及分子的共振吸收來(lái)加熱食物的。 微波爐是一種利用高頻無(wú)線電波的設(shè)備，它的工作原理基于電磁輻射和分子的轉(zhuǎn)動(dòng)和共振吸收。微波爐主要
2024-01-12 17:51:34391 場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動(dòng)經(jīng)常聽(tīng)到米勒效應(yīng)這個(gè)詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個(gè)等效電容在場(chǎng)效應(yīng)管或者IGBT開(kāi)通的時(shí)候在某一階段會(huì)放大較多倍，進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
霍爾效應(yīng)公式的推導(dǎo)過(guò)程可以從電磁力的角度出發(fā)。首先我們先了解一下霍爾效應(yīng)的基本原理。 霍爾效應(yīng)是指當(dāng)電流通過(guò)一定材料時(shí)，垂直于電流方向的磁場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生一種電勢(shì)差。這個(gè)電勢(shì)差稱為霍爾電壓，它與電流
2024-01-10 17:51:09515 的電流實(shí)際值，裝置本身的采集計(jì)算途徑是什么？請(qǐng)教：
請(qǐng)問(wèn)6RA70電樞電流調(diào)節(jié)器給定值r20與r19正常的關(guān)系應(yīng)該是什么樣的？r20穩(wěn)定而r19跳動(dòng)大有哪些因素可以造成！我想采用排除法逐一排除一下！
2023-12-29 07:17:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 SGN19C320I2D型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-25 11:44:59
SGN19C160I2D型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及用于50V操作的高功率L波段放大器的寬帶寬，以及給你更高的增益。此
2023-12-22 15:57:02
SGN19C210I2D型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-22 15:49:08
控制電流的流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)主要由柵極、源極和漏極組成，柵極和源極之間通過(guò)絕緣層隔離，源極和漏極之間通過(guò)導(dǎo)電層連接。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)絕緣層的材料和摻雜方式可分為MOSFET和JFET兩種。 MOSFET是一種絕緣層采用氧化物的場(chǎng)效應(yīng)管
2023-12-21 11:27:16431 SGN19H240M1H型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H240M1H為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:12:57
SGN19H181M1H型號(hào)簡(jiǎn)介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H181M1H為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:06:21
光伏儲(chǔ)能逆變器孤島效應(yīng)實(shí)驗(yàn)如何做及實(shí)驗(yàn)步驟講解 防孤島效應(yīng) 1、技術(shù)要求：光伏系統(tǒng)并網(wǎng)技術(shù)要求 若并網(wǎng)逆變器并入的電網(wǎng)供電中斷，逆變器應(yīng)在2s內(nèi)停止向電網(wǎng)供電。 2、測(cè)量?jī)x表 TAC-RLC防孤島
2023-12-20 08:59:16274 
PCB線路板知識(shí)來(lái)襲，今日講解羅杰斯pcb組裝
2023-12-19 10:03:42574 、原理、應(yīng)用以及磁阻效應(yīng)的形成機(jī)制等方面進(jìn)行詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的闡述。 首先，為了更好地理解霍爾效應(yīng)的磁阻效應(yīng)，我們需要了解霍爾效應(yīng)的基本原理。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，當(dāng)一個(gè)導(dǎo)電材料中有電流通過(guò)時(shí)，所有帶正電荷的載流子（如正
2023-12-18 14:49:00478 電路板的電流放大效應(yīng)是指在電路板中，由于不同部分的電阻和電容參數(shù)不同，導(dǎo)致電流在電路板中傳輸時(shí)受到放大的現(xiàn)象。
2023-12-15 18:21:29448 電磁繼電器（Electromagnetic Relay）是一種基于電流的磁效應(yīng)工作的電子開(kāi)關(guān)裝置，廣泛應(yīng)用于各種電氣控制系統(tǒng)中。它由一個(gè)電磁線圈和一對(duì)可移動(dòng)觸點(diǎn)組成，當(dāng)線圈電流通過(guò)時(shí)，產(chǎn)生的磁場(chǎng)
2023-12-15 15:43:58366 報(bào)告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開(kāi)關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 霍爾電流傳感器的測(cè)量原理是什么？ 霍爾電流傳感器是一種常用于測(cè)量電流的傳感器，它利用霍爾效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流的測(cè)量。霍爾效應(yīng)是指當(dāng)導(dǎo)體通過(guò)一定磁場(chǎng)時(shí)，電流在垂直于磁場(chǎng)和電流方向的方向上產(chǎn)生一個(gè)電壓
2023-12-07 11:25:52703 利用 HEMT 和 PHEMT 改善無(wú)線通信電路中的增益、速度和噪聲
2023-12-07 09:53:20217 開(kāi)關(guān)模式下的電源電流如何檢測(cè)？這12個(gè)電路&10個(gè)知識(shí)點(diǎn)講明白了
2023-12-06 16:04:17256 
設(shè)計(jì)的電源采用 TL084 型四路運(yùn)算放大器，旨在將 0–5 V 范圍內(nèi)的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的 0–20 mA 電流。 TL084 四路運(yùn)算放大器專門設(shè)計(jì)為低功耗、高阻抗 JFET 輸入
2023-12-04 15:22:41386 
對(duì)nA級(jí)電流測(cè)量，如何選擇運(yùn)放。請(qǐng)專家講解一下之間的關(guān)系，有沒(méi)有相關(guān)資料。
2023-11-24 06:52:42
電勢(shì)差。這種電勢(shì)差可以通過(guò)外接電路來(lái)獲取電流，從而實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換。 壓電效應(yīng)在很多領(lǐng)域中都有重要的應(yīng)用。以下是一些常見(jiàn)的應(yīng)用示例： 1. 壓電傳感器：壓電材料可以用于制作壓力傳感器、加速度傳感器、壓力開(kāi)關(guān)等。這些傳
2023-11-23 11:00:301376 場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，它可以用來(lái)放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場(chǎng)效應(yīng)管可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。其中，JFET是由一個(gè)pn結(jié)構(gòu)組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521230 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SPI協(xié)議知識(shí)講解.ppt》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 10:41:50
2 2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會(huì)上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用的850V Cynthus?系列硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延產(chǎn)品。行業(yè)客戶、知名投資機(jī)構(gòu)爭(zhēng)相了解合作。
2023-11-14 10:32:08383 
趨膚效應(yīng)也叫集膚效應(yīng)，導(dǎo)線通入交流電或者交變磁場(chǎng)時(shí)，電流在導(dǎo)線橫截面上的分布是不均勻的
2023-11-01 10:23:38291 
開(kāi)關(guān)模式下的電源電流如何檢測(cè)？這12個(gè)電路&10個(gè)知識(shí)點(diǎn)講明白了
2023-10-17 16:09:06389 
其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺(tái)積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會(huì)創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎(jiǎng)。 ? ? CGD 的 ICeGaN 已使用臺(tái)積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶進(jìn)行大批量
2023-10-10 17:12:15199 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46799 在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04946 
在電動(dòng)汽車(EV)充電系統(tǒng)和光伏逆變器系統(tǒng)中，電流傳感器通過(guò)監(jiān)測(cè)分流電阻器上的壓降或?qū)w中電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)來(lái)測(cè)量電流。這些高壓系統(tǒng)使用電流信息控制和監(jiān)測(cè)電源轉(zhuǎn)換、充電和放電。在之前雖然霍爾效應(yīng)電流
2023-09-27 15:38:02413 
我們都知道，載流導(dǎo)線會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向可以用右手定則來(lái)判斷，即右手大拇指伸直指向電流方向，四指環(huán)繞方向即磁場(chǎng)方向，且距離導(dǎo)線越近，磁場(chǎng)強(qiáng)度也越強(qiáng)。
2023-09-22 12:32:49721 
之前的文章已經(jīng)討論了單根孤立導(dǎo)線在通過(guò)高頻電流時(shí)，導(dǎo)線內(nèi)部的磁場(chǎng)對(duì)電流的影響（集膚效應(yīng)）。高頻時(shí)，導(dǎo)線外部磁場(chǎng)與直流或低頻磁場(chǎng)一樣，由導(dǎo)線表面向徑向方向輻射開(kāi)來(lái)。電流在外表面流通，電流密度從導(dǎo)線表面向中心軸線逐漸減少。
2023-09-21 16:50:501022 
為什么只有共源級(jí)有密勒效應(yīng)，而共柵級(jí)、共漏級(jí)沒(méi)有密勒效應(yīng)？ 密勒效應(yīng)是指在半導(dǎo)體器件中，頻率越高時(shí)電路增益越低的現(xiàn)象。 該現(xiàn)象是由于半導(dǎo)體器件電容的存在而導(dǎo)致的，而這個(gè)電容主要是空乏區(qū)電容和晶體管
2023-09-21 15:55:43717 M. Miller提出的。但是，它們之間卻沒(méi)有必然聯(lián)系。共漏級(jí)沒(méi)有密勒效應(yīng)并不是什么奇怪的現(xiàn)象，這個(gè)問(wèn)題需要從共漏級(jí)電路本身和密勒效應(yīng)兩個(gè)角度去分析。 首先，我們需要先了解一下共漏級(jí)電路的基本原理。共漏級(jí)是晶體管的三種基本放大電路，它具有電流放大和電壓反相的特點(diǎn)。在共漏級(jí)電路中，
2023-09-20 17:41:37345 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別是什么？? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動(dòng)。常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，它們雖然在功能上有相似之處，但在
2023-09-18 18:20:512223 諸多應(yīng)用難點(diǎn)，極高的開(kāi)關(guān)速度容易引發(fā)振蕩，過(guò)電流和過(guò)電壓導(dǎo)致器件在高電壓場(chǎng)合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開(kāi)通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓?fù)涞膽?yīng)用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
的趨膚效應(yīng)。 交流電流趨膚效應(yīng)的產(chǎn)生可以用下圖加以解釋。 上圖是一個(gè)放大的圓形導(dǎo)線截面，可以想象它是由許多截面相同的“細(xì)導(dǎo)線”扎在一起而組成。當(dāng)交流電流通過(guò)導(dǎo)線時(shí)，由于對(duì)稱的關(guān)系，磁力線在導(dǎo)線內(nèi)外都是一些同心
2023-09-15 10:58:37682 
和細(xì)節(jié)都可以參考。
內(nèi)容充實(shí)
基于Linux，講解了其涉及低功耗各個(gè)框架模塊的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，后面的擴(kuò)展知識(shí)點(diǎn)，低功耗問(wèn)題定位及優(yōu)化思路都是干貨內(nèi)容，都是工程實(shí)踐相關(guān)的內(nèi)容，內(nèi)容比較充實(shí)。
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2023-09-08 23:38:15
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152542 場(chǎng)效應(yīng)管的原理與作用 場(chǎng)效應(yīng)管在電路中起什么作用？? 場(chǎng)效應(yīng)管，也被稱為晶體管，是一種重要的電子元件。它由一個(gè)半導(dǎo)體材料制成，可以調(diào)節(jié)電流的流動(dòng)，被廣泛應(yīng)用于電路的放大和開(kāi)關(guān)控制。 場(chǎng)效應(yīng)
2023-09-02 11:31:132856 在上一節(jié)計(jì)算光學(xué)小講堂中，我們學(xué)習(xí)了光源掩模協(xié)同優(yōu)化（source mask co-optimization, SMO）的相關(guān)知識(shí)。這一節(jié)我們將主要探索光學(xué)鄰近效應(yīng)修正（Optical Proximity Correction，OPC）技術(shù)是如何用來(lái)提升光刻工藝窗口，為芯片生產(chǎn)保駕護(hù)航的。
2023-09-01 09:48:442297 
場(chǎng)效應(yīng)管常用驅(qū)動(dòng)芯片有哪些？ 場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種可以控制電流的半導(dǎo)體器件，是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用廣泛的一種器件。在這種器件中，輸入電壓可以控制輸出電流的大小，因此可以應(yīng)用在很多電子電路中。而為
2023-08-25 15:47:392610 CH704是出廠編程的霍爾效應(yīng)線性電流傳感器。通過(guò)主側(cè)電流路徑流過(guò)的電流引起內(nèi)置霍爾片上的相應(yīng)磁場(chǎng)。
2023-08-24 15:42:04440 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流，MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣，沒(méi)有電流。
2023-08-17 09:19:34616 
前面講解了時(shí)序約束的理論知識(shí)FPGA時(shí)序約束理論篇，本章講解時(shí)序約束實(shí)際使用。
2023-08-14 18:22:14842 
電路基礎(chǔ)知識(shí)講解，電路基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)；真的很全！ 還包括電路基本元件知識(shí)與電路元件的伏安特性和功率特性。
2023-07-31 11:56:192509 
場(chǎng)效應(yīng)管（英語(yǔ)：field-effect transistor，縮寫(xiě)：FET）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:295255 
電流互感器的主要作用:把大電流按一定 比例變?yōu)樾?b class="flag-6" style="color: red">電流,提供給各種儀表、繼電保護(hù)及自動(dòng)裝置用，并將二次系統(tǒng)與高電壓隔離。電流互感器的二次側(cè)額定電流為1A或5A,
這不僅保證了人身和設(shè)備的安全，也使儀,表和繼電器的制造簡(jiǎn)單化、標(biāo)準(zhǔn)化，
降低了成本，提高了經(jīng)濟(jì)效益。
2023-07-25 09:27:56605 
通常GaN Hemt驅(qū)動(dòng)存在2個(gè)難題：驅(qū)動(dòng)電壓低，容易誤啟動(dòng)；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅(qū)動(dòng)器，不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。
2023-07-23 15:08:36442 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ATF-541M4低噪聲增強(qiáng)模式偽HEMT微型無(wú)引線封裝產(chǎn)品簡(jiǎn)介.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-20 10:17:430 FET電流源是一種有源電路，它使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡(jiǎn)單的方法，只需使用單個(gè)FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-07-17 15:52:502155 
8V19N490-19 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 20:21:500 EMC基礎(chǔ)知識(shí)分享
2023-06-30 15:37:388 下文總結(jié)了電路基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)。
2023-06-27 17:12:371031 
襯底材料和GaN之間純?cè)谳^大的晶格失配和熱失配，外延層中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在較強(qiáng)電流崩塌效應(yīng)，影響器件的性能發(fā)揮。
2023-06-14 14:00:551652 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）。
2023-06-10 09:27:33411 
場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
傳統(tǒng)燃油汽車中應(yīng)用的電流傳感器有霍爾效應(yīng)（Hall Effect）電流傳感器、磁通門（Flux Gate） 電流傳感器、穿隧磁阻效應(yīng)（TMR）電流傳感器。
2023-06-06 08:45:24746 
C語(yǔ)言是單片機(jī)開(kāi)發(fā)中的必備基礎(chǔ)知識(shí)，這里就列舉部分STM32學(xué)習(xí)中會(huì)遇見(jiàn)的C 語(yǔ)言基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)。 01? ? 位操作 ? 下面我們先講解幾種位操作符，然后講解位操作使用技巧。C語(yǔ)言支持如下6中位操作
2023-05-31 09:07:50628 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）。
2023-05-26 11:42:17722 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:061218 
電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號(hào)電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準(zhǔn)確預(yù)測(cè)器件大信號(hào)性能造成更多困難。
2023-05-24 09:40:011374 
這些優(yōu)勢(shì)是目前取代雷達(dá)常用的高功率、大帶寬行波管（TWT）放大器的趨勢(shì)背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導(dǎo)致的TWT放大器固有的使用壽命相對(duì)較短的限制，長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)后開(kāi)啟時(shí)TWT損壞的風(fēng)險(xiǎn)，以及由于管中的所有組件都是潛在的單點(diǎn)硬故障，因此平均故障間隔時(shí)間（MTBF）較低。
2023-05-24 09:37:07892 
交變電流通過(guò)導(dǎo)線時(shí)，電流在導(dǎo)線橫截面上的分布是不均勻的，導(dǎo)體表面的電流密度大于中心的密度，且交變電流的頻率越高，這種趨勢(shì)越明顯，該現(xiàn)象稱為趨膚效應(yīng)(skin effiect)，趨膚效應(yīng)也稱集膚效應(yīng)。
2023-05-19 09:31:352963 
場(chǎng)效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34847 BOSHIDA電源模塊 電源基礎(chǔ)知識(shí)講解 系統(tǒng)負(fù)載 系統(tǒng)負(fù)載要求，這是對(duì)電源設(shè)計(jì)者提出的最大挑戰(zhàn)，同時(shí)也是開(kāi)始設(shè)計(jì)一個(gè)電源之前必須弄明白的事情。隨著大量激增的用電系統(tǒng)，本質(zhì)上是沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)的用電需求
2023-04-25 09:09:40198 電路硬件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)
一、硬件電路設(shè)計(jì)原理
硬件電路設(shè)計(jì)主要分三個(gè)步驟：
1、設(shè)計(jì)電路原理圖
2、生成網(wǎng)絡(luò)表
3、設(shè)計(jì)印刷電路板
在進(jìn)行原理圖設(shè)計(jì)的時(shí)候，就是將一個(gè)個(gè)
2023-04-24 11:18:27
。在連接器行業(yè)上LVDS插座分類和LVDS插座規(guī)格都是有很多種類型的，但是大致的作用都是差不多一樣的，下面由燦科盟小編講解LVDS連接器的一些行業(yè)知識(shí)。
2023-04-17 10:16:44494 
霍爾效應(yīng)感應(yīng)電流怎么判斷？用什么定則呢？
2023-04-13 10:55:49
電路硬件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí) 一、硬件電路設(shè)計(jì)原理 硬件電路設(shè)計(jì)主要分三個(gè)步驟： 1、設(shè)計(jì)電路原理圖 2、生成網(wǎng)絡(luò)表 3、設(shè)計(jì)印刷電路板 在進(jìn)行原理圖設(shè)計(jì)的時(shí)候，就是將一個(gè)個(gè)元器件按照一定
2023-04-11 16:01:54
霍爾效應(yīng)在應(yīng)用技術(shù)中特別重要。如果對(duì)位于磁場(chǎng)(B)中的導(dǎo)體(d)施加一個(gè)電流(Iv)，該磁場(chǎng)的方向垂直于所施加電壓的方向，那么則在既與磁場(chǎng)垂直又和所施加電流方向垂直的方向上會(huì)產(chǎn)生另一個(gè)電壓(UH)，人們將這個(gè)電壓叫做霍爾電壓，產(chǎn)生這種現(xiàn)象被稱為霍爾效應(yīng)。
2023-04-08 10:33:543181 、GRE VPN 技術(shù)原理詳細(xì)講解3、OSPF理論知識(shí)詳細(xì)講解4、VRRP 技術(shù)原理詳細(xì)講解5、交換機(jī)工作原理詳細(xì)講解6、路由器工作原理詳細(xì)介紹
2023-04-07 11:59:58
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當(dāng)然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很少聽(tīng)到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來(lái)聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。
2023-04-06 17:32:551088 
如何解決PCB制造中的HDI工藝內(nèi)層漲縮對(duì)位問(wèn)題呢？
2023-04-06 15:45:50
怎樣理解電動(dòng)機(jī)運(yùn)行電流不得大于正負(fù)百分之五的額定電流呢？
2023-03-31 16:31:00
模式：信號(hào)回路產(chǎn)生的磁場(chǎng)與電纜及金屬外殼或印制板地等產(chǎn)生的共模電流是磁耦合驅(qū)動(dòng)共模共模電流輻射的基本驅(qū)動(dòng)模式。 而“豬尾巴”效應(yīng)是電流驅(qū)動(dòng)模式下的共模輻射，而該現(xiàn)象在日常使用中很常見(jiàn)。本文以一篇實(shí)例
2023-03-29 11:54:10
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