磁阻RAM（MRAM）是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?；贛RAM的設(shè)備可以為“黑匣子”應(yīng)用提供解決方案，因?yàn)樗許RAM的速度寫(xiě)入數(shù)據(jù)，同時(shí)在發(fā)生總功耗之前保留數(shù)據(jù)。

MRAM還適用于具有簡(jiǎn)歷播放功能的娛樂(lè)應(yīng)用程序。掉電期間，指示播放媒體時(shí)間戳的書(shū)簽會(huì)快速存儲(chǔ)在非易失性MRAM中。然后幾乎立即進(jìn)行后續(xù)播放并繼續(xù)播放（下圖1）。

圖1：掉電期間，書(shū)簽存儲(chǔ)在MRAM中，以允許媒體繼續(xù)播放應(yīng)用程序

通過(guò)管理加密，安全系統(tǒng)也可以從MRAM中受益。加密參數(shù)可以快速存儲(chǔ)并在系統(tǒng)關(guān)閉期間保留。對(duì)于在斷電期間需要快速數(shù)據(jù)參數(shù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)完整性的游戲機(jī)也是如此。

Everspin MR2A16A提供了SRAM兼容的35 ns讀/寫(xiě)定時(shí)信號(hào)，具有無(wú)限的耐久性。數(shù)據(jù)始終會(huì)保持20年以上的非易失性。低壓禁止電路可自動(dòng)在斷電時(shí)保護(hù)數(shù)據(jù)，防止電壓超出規(guī)格的寫(xiě)入。對(duì)于必須快速永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR2A16A是理想的存儲(chǔ)器解決方案。

MR2A16A采用小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和44引腳薄型小型外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM芯片產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。MR2A16A在廣泛的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供商用（0至+70°C），工業(yè)（-40至+85°C），擴(kuò)展（-40至+105°C）和AEC-Q100 1級(jí)（-40至+125°C） C）工作溫度范圍選項(xiàng)。Everspin代理英尚微提供專業(yè)應(yīng)用解決方案等技術(shù)支持。

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