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電子發燒友網>今日頭條>通過DRAM單元來實現高密度存儲并降低每存儲位成本

通過DRAM單元來實現高密度存儲并降低每存儲位成本

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2023-06-28 16:20:11355

光纖連接器對網絡速度的影響 光纖連接器的高密度布局和設計方法

光纖連接器的高密度布局和設計方法是在有限的空間內實現更多連接器數量的一種策略,以提高光纖網絡系統的容量和效率。
2023-06-26 15:20:001129

長電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構集成SiP解決方案即將在國內大規模量產

路由器、智能穿戴設備等各類終端產品。隨著5G的導入,模塊要有更高的功率,工作頻率、更大的帶寬和更小的模組尺寸。 長電科技面向5G射頻功放打造的高密度異構集成SiP解決方案,具備高密度集成、高良品率等顯著優勢。該方案通過工藝流程優化、
2023-06-19 16:45:00355

GaN高密度300W交直流變換器介紹

GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23

HI-3220 CMOS高密度應用數據管理IC手冊

Holt集成電路公司的HI-3220是一個單體系列芯片CMOS高密度應用數據管理IC能夠管理、存儲和轉發航空電子數據16個ARINC 429接收信道之間的消息,以及八個ARINC 429發射信道
2023-06-15 15:14:352

Holt品牌 HI-3220系列 單片CMOS高密度應用數據管理IC 詳細資料

Holt集成電路公司的HI-3220是一系列單片CMOS高密度應用數據管理IC,能夠在16個ARINC 429接收通道和8個ARINC 429-發送通道之間管理、存儲和轉發航空電子數據消息,使這些
2023-06-15 11:20:44

RAM/ROM存儲器的設計

隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數據,也可以隨時將數據寫入任何一個指定的存儲單元
2023-06-05 15:49:47785

易失性閾值轉變憶阻器:AIoT時代的新興推動者

選通管(Selector)。為了抑制交叉存儲陣列的漏電流問題,往往引入選通管與存儲單元集成設計。相比于非易失性器件,易失性憶阻器作為選通管時,不需要額外的復位操作,簡化了外圍電路的設計,有助于存儲芯片的高密度集成;
2023-06-02 14:43:371592

高密度互連印刷電路板如何實現高密度互連HDIne ?

高密度互連 (HDI) 需求主要來自于芯片供應商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規過孔。
2023-06-01 16:43:58523

鐵電存儲器PB85RS2MC在RFID中的應用

作為一種非易失性存儲器,鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點,雖然容量和密度限制了其大規模應用,但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合,鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134

存儲系統——緩存.DRAM.磁盤

被相關人閱讀。新手對電腦的設計空間。雖然內存技術在密度和性能方面有所提高, 而新的存儲設備技術為設計方案、原理和方法提供了改進的特性-在這個驚人的完整的論文中提出的氣味學將仍然有幾十年的有用。我只希望有一本書在三十多
2023-05-26 15:42:590

以更低的系統成本實現更高的移動存儲性能

以更低的成本獲得更高的存儲性能可能會在存儲設備的設計中造成瓶頸。為了實現更高的性能,設備必須使用片上DRAM,這增加了總體成本。這就是統一內存擴展(UME),JEDEC規范的出現。它被定義為 JEDEC UFS(通用閃存)規范的擴展。JEDEC UFS設備使用NAND閃存技術進行數據存儲
2023-05-26 14:22:28673

什么是外部存儲

磁表面存儲器——磁表面存儲器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的,載體和表面磁性材料統稱為記錄介質。 存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061409

HBM3:用于解決高密度和復雜計算問題的下一代內存標準

在這個技術革命的時代,人工智能應用程序、高端服務器和圖形等領域都在不斷發展。這些應用需要快速處理和高密度存儲數據,其中高帶寬內存 (HBM) 提供了最可行的內存技術解決方案。
2023-05-25 16:39:333396

單板硬件設計:存儲器( NAND FLASH)

降低成本。 flash 分為 nor flash 和 nand flash: nor flash 數據線和地址線分開,可以實現ram一樣的隨機尋址功能,可以讀取任何一個字節。但是擦除仍要按塊
2023-05-19 15:59:37

8倍密度,像做3D NAND一樣做DRAM

電子發燒友網報道(文/周凱揚)在存儲行業有些萎靡不振的當下,大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫存,也有的廠商考慮從新的技術方向給存儲行業注入生機,比如最近發布了3D X-DRAM技術的NEO
2023-05-08 07:09:001982

什么是DRAMDRAM存儲單元電路讀寫原理

內存芯片中每個單元都有以字節線和比特線組合的獨立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內存條為例,每粒內存芯片有4G個獨立地址。
2023-04-25 10:05:085448

MPO光纖跳線解決高密度高速傳輸需求

被廣泛應用于在布線過程里需要高密度集成光纖線路環境中。 ? 解決高密度高速傳輸需求的MPO ? MPO,全名Multi-fiber Push ON,是用來做設備到光纖布線鏈路的跳接線。MPO光纖跳線由MPO連接器和光纜組成。MPO連接器是一種使用精密模具成型在機械
2023-04-18 01:16:005585

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優缺點

。根據閃存的類型,閃存的使用壽命會縮短,大多數閃存產品在磨損開始惡化存儲完整性之前,能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環。就大小和成本而言,閃存具有比EEPROM更小的存儲單元尺寸,并且實現成本更低。原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:42:42

MRAM實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

的可擦寫次數多,并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣,肯定會選擇MRAM。當采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產時,將有可能實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:41:05

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