嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
如下圖所示，GD32F4系列內部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
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賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內具有20年的數據保留。
2024-02-19 10:52:40191 
我正在與 SafetPack 為 TC38x 調試的無損測試 (MBIST) 合作。 但我找不到 Geth Tx/Rx RAM 和 gtm_mcsxslow/Fast-DPLL RAM 的正確的 SRAM 初始化過程。
你能否給我一些關于上面提到的 RAMS 的初始化過程的提示。
2024-02-01 07:09:22
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內具有20年的數據保留。
2024-01-09 10:54:28171 
問一下大家.
如何放大10nV 直流信號. (內阻是60K) .用普通運放是放大不了的.太多噪聲.
2024-01-02 06:36:47
RAM來維持它的運行和使用，只有在保存相關文件時才會轉存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點而受到廣泛使用。本文將詳細介紹SRAM的讀寫電路設計
2023-12-18 11:22:39496 的設計縮小更多尺寸。然而，當我們轉向更小尺寸的節點時，保持這種區別變得越來越具有挑戰性。現在，SRAM 正在遵循越來越多的邏輯設計規則，并且與基于邏輯晶體管的設計相比，進一步縮小存儲器的優勢并不明顯。
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工藝的內存。自CMOS發展早期以來，SRAM一直是開發和轉移到任何新式CMOS工藝制造的技術驅動力。
2023-12-06 11:15:31635 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
SRAM 的數量是任何人工智能處理解決方案的關鍵要素，它的數量在很大程度上取決于您是在談論數據中心還是設備，或者是訓練還是推理。但我想不出有哪些應用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運行人工智能訓練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 nv32f100為什么能模擬usb通訊，比如hid鍵盤之類的，而其他單片機必須要有usb外設才能用
2023-11-03 08:21:47
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么實現一個非阻塞性的串口屏收發
2023-10-24 08:15:33
AT32 部分型號有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執行速度比在非零等待閃存執行速度快，如果有函數對執行速度有要求，可以將該函數加載到零等待區執行。當零等待閃存使用完后，如果還有函數對執行速度有要求，可以將該函數加載到 SRAM 執行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數代碼。
2023-10-20 06:10:59
如何捕捉并重現稍縱即失的瞬時信號？
2023-10-18 06:26:54
ArkTS語言的虛擬機）實例，應用組件之間可以方便的共享對象和狀態，同時減少復雜應用運行對內存的占用。
采用面向對象的開發方式，使得復雜應用代碼可讀性高、易維護性好、可擴展性強。
原生支持應用組件級的跨端
2023-09-26 16:48:41
使用MM32F3270 FSMC驅動SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
M0 core上運行。非易失性閃存允許進行場上堆棧升級。? 低功耗特性:? BlueNRG可以使應用程序滿足適度緊密的峰值電流需求。在輸出功率為1dBm時，最大峰值電流只有10mA。極低功率的休眠
2023-09-08 06:02:47
飛思卡爾的Kinetis設備提供FlexMemory技術，該技術為靈活的內存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
讓一顆SRAM型FPGA在太空長期穩定運行的難度，就類似練成獨孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
動態存儲運行時數據在神經網絡的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內存事務
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發的存儲器例如閃存或DRAM。內存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術，按照512K個字（16）位進行組織存儲單元。
2023-07-22 14:58:561092 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內核時鐘周期。片內集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內同時集成4 kB非易失性Flash/EE數據存儲器、256字節RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進的物理安全機制保護敏感數據，提供最高等級的密鑰存儲安全保護。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實時
2023-07-14 15:15:30
NV021 Final 數據表
2023-07-10 21:00:31
0 IP_數據表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 NV4V31SF 數據表
2023-07-04 20:27:470 NV4V41SF 數據表
2023-07-04 20:27:360 NV4V31MF 數據表
2023-07-04 20:27:190 DS4510是CPU監控電路，具有內部集成的64字節EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業標準I2C接口，使用 快速模式(400kbps)或
2023-07-04 16:58:41
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節NV用戶存儲器。DS4550采用數字編程替代硬件跳線和機械開關，實現對數
2023-07-04 16:43:20
檢測模式，可以根據不同的需求進行定制。
總之，分離式液位傳感器是一種高精度、高可靠性、適用范圍廣、安裝方便、可編程性強的液位檢測設備。相比于傳統的浮球傳感器，它具有更多的優勢，可以更好地滿足不同行業的液位檢測需求。
2023-06-20 14:02:25
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
NV170D-SOP8語音芯片有一組PWM輸出口，可以直推0.5w喇叭，音質清晰，內置LVR復位，無需外加復位電路。
2023-05-22 14:33:55176 
一種便攜式存儲設備，當插入計算機時，被解析為內置硬盤設備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。
5、RAM
RAM是一個易失性內存選項。一旦設備
2023-05-18 14:13:37
SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據？其中的“刷新電路”什么意思？謝謝~
2023-05-10 14:56:06
targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲上的數據，但 bsp 不包括使用 CAAM 標記密鑰加密所需
2023-05-09 08:45:33
我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們在 SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運行完美。
給出了兩個 icf 文件：
1) 內存
2023-05-05 06:38:08
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊
2023-04-27 20:25:406 我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內存區域的數據緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數據緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數據緩存？
2023-04-23 08:01:09
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
NV040C語音芯片，可部分替代MCU的功能，通過通訊口調用NV040C語音芯片集成的標準功能模塊，實現更多的擴展功能應用，在MCU開發設計上可節省1元以上的成本，同時省去產品開發過程中各類需求功能代碼的開發和調試時間。
2023-04-10 12:45:27273 我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩定的制造業供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
ELP-04NV
2023-04-06 23:35:38
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
景和功能上都有所不同，語音時長也不同。 目前市面上需求量最多的是40秒和80秒的語音芯片，那么80秒的語音芯片有哪些呢？ 一、NV語音芯片系列：NV080C、NV080D、NVG080W、NV080B等； 九芯電子的語音芯片主要是品牌代表N+語音系列V+語音時長（如080）+芯片系
2023-03-30 14:47:16446 
今天就帶你詳細了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲代碼和數據供CPU在需要的時候調用。
2023-03-30 14:11:51587 
BOARD EVAL NV890101MWTX
2023-03-30 11:56:04
BOARD EVAL FOR NV890100
2023-03-30 11:54:40
BOARD EVAL NV890201MWTX
2023-03-30 11:54:30
BOARD EVAL FOR NV706271
2023-03-29 22:54:26
B02P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:59:06
B04P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:52:39
B03P-NV(LF)(SN)
2023-03-29 21:50:16
ATTACHMNT NP3 PANEL CUTOUT NV3
2023-03-29 19:55:45
GASKET WATERPROOF FOR NV3Q 10/PK
2023-03-29 19:55:44
WATERPROOF PACKINGS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:44
Battery NV Series
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3Q
2023-03-29 19:55:43
PROTECTIVE SHEETS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:43
親愛的社區，我有幾個關于 SRAM ECC 的問題。1) SRAM 上的ECC 是否默認啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內核啟動 A53 內核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
NV021 Final 數據表
2023-03-24 19:10:280 我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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