嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
TC364 微控制器是否支持外部存儲器？
根據我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲器。 在該微控制器的數據手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
通過多級存儲器的設計，存儲器層次結構能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42
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1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
據報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術方面取得了重大進展。該公司成功開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創新的運算架構，使其功耗僅為其他類似技術的1%。
2024-01-19 14:35:126646 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
CPU的核心功能包括數據運算和指令控制。CPU運算的數據和執行的指令全部存儲在CPU的寄存器中，這些數據和指令又都來自于CPU高速緩存。
2024-01-02 16:01:48662 
靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲器（cache memory）做為一部分存儲在相對慢速的主存儲器（main memory）中數據和指令的緩沖區域。
2023-12-25 09:21:50242 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統主要是實現數據的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
SRAM是目前最成熟的易失性高速存儲器，通常由6管（6T）實現數據的讀寫，可以用做CPU和內存（DRAM）之間的高速緩存。
2023-10-31 17:46:551259 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
電子發燒友網站提供《管理基于Cortex-M7的MCU的高速緩存一致性.pdf》資料免費下載
2023-09-25 10:11:48
0 如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
電子發燒友網站提供《利用MPLAB Harmony v3在Cortex-M7（SAM S70/E70/V70/V71）MCU上創建不可高速緩存的存儲區.pdf》資料免費下載
2023-09-20 11:50:460 電子發燒友網站提供《利用MPLAB Harmony v3在Cortex-M7 MCU上在運行時使用高速緩存維護操作處理高速緩存一致性問題.pdf》資料免費下載
2023-09-20 11:40:240 電子發燒友網站提供《使用MPLAB Harmony v3基于PIC32MZ MCU在運行時使用高速緩存維護操作處理高速緩存一致性問題.pdf》資料免費下載
2023-09-19 16:28:100 典型的SoC存儲體系包括處理器內部的寄存器、高速緩存（Cache）、片內ROM、片外主存。其中，內部寄存器通常由十幾個到幾十個構成，用于緩存程序運行時頻繁使用的數據（局部變量、函數參數等）。
2023-09-19 09:30:301434 
STM32MP151A/D器件基于高性能ARM?Cortex?-A7 32位RISC內核，運行頻率高達800 MHz。
Cortex-A7處理器包括一個32K字節的一級指令高速緩存、一個32K字節
2023-09-13 07:23:32
片上閃存特性和系統框圖
? 存儲空間組織架構
? 用戶閃存
? 系統閃存
? OTP
? 選項字節
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預取
? 指令高速緩存
? 數據高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護和寫保護
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
閃存。
主32位AHB5多層總線矩陣，位于中央圖中的11個主設備和10個從設備互連。
128位AHB5指令高速緩存再填充總線矩陣為由兩個128位接口和兩個32位接口組成接口。
128位接口是連接到的從0端口到閃存的指令緩存和主0端口存儲器接口或FLITF。
2023-09-08 06:48:06
什么是高速緩存？? 高速存儲器塊，包含地址信息（通常稱作TAG）和相關聯的數據。? 目的是提高對存儲器的平均訪問速度? 高速緩存的應用基于下面兩個程序的局部性 ：? 空間局部性：如果一個存儲器的位置
2023-09-07 08:22:51
下表中列出的 STM32 微控制器(MCU)中。這些緩存使用戶從內部和外部存儲器提取指令和數據時或在用于外部存儲器的數據流量時提高應用性能并降低功耗。本文檔提供了典型示例，以強調 ICACHE 和 DCACHE 功能，并便于配置。
2023-09-07 07:51:27
1.具有雙發布功能的高性能6級流水線(每個時鐘周期最多執行兩條指令)。
2.作為系統總線的64位AXI總線接口。
3.可選的指令高速緩存(4至64KB)和數據高速緩存(4至64KB)，每個高速
2023-09-04 06:28:56
新能源汽車的核心技術是大家熟知的動力電池、電池管理系統和整車控制單元。車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持續增加，因此對于高性能非易失性存儲技術的需求也越來越高，因為當系統在進行資料分析
2023-09-01 10:04:52
每當一個核通過MVA操作對另一個核執行廣播無效指令高速緩存時，例如，當將可執行代碼從閃存復制到存儲器時，其他核每次都刷新并重新啟動它們的預取單元，而不進行任何處理。
由于該錯誤，其他核心可能停止它們的執行，直到不再發生剩余的廣播操作。
2023-09-01 09:16:59
受影響的ARM CPU上，建議的緩解措施包括在轉換到需要保護以前的執行上下文的執行上下文時，使部分或全部分支預測器緩存失效。
有關術語執行上下文的定義，請參見第1.2節。
CVE-2018-3639，也
2023-08-25 07:36:27
軟件可能會允許惡意行為者不正當地從特權內存(DRAM或CPU緩存)中收集少量敏感數據。
·ARM認為這些利用不會損壞、修改或刪除數據。
·所有變體都基于導致高速緩存分配的推測性內存訪問。
然后，可以
2023-08-25 07:15:47
架構的卓越響應性和易用性。
憑借內置的指令和數據高速緩存以及緊密耦合的存儲器(TCM)，這款超標量處理器即使在終端要求最苛刻的處理應用程序中也不會變慢
2023-08-25 06:25:54
隨著高速數據通信的進步，數據更頻繁地發送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數據操作。鐵電存儲器是具有物聯網新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設備
2023-08-24 10:05:59
)的原理，與微程序復雜指令集計算機(CISC)相比，指令集和相關的解碼機制得到了極大的簡化。
片上混合數據和指令高速緩存與寫緩沖區一起，大大提高了平均執行速度，并減少了處理器所需的平均內存帶寬。
這允許外部存儲器以最小的性能損失支持額外的處理器或直接存儲器訪問(DMA)通道
2023-08-24 07:16:02
CPU高速緩存集成于CPU的內部，其是CPU可以高效運行的成分之一，本文圍繞下面三個話題來講解CPU緩存的作用
2023-08-21 12:17:35797 
高速緩存維護操作。
中斷延遲通過中斷和重新啟動加載存儲多條指令以及使用集成中斷控制器來保持較低的延遲。
Cortex-R8處理器為低延遲和確定性提供了兩種專門的內存解決方案：
·緊耦合存儲器(TCM
2023-08-18 08:28:22
Cortex-A7 MPCore處理器是一款實現ARMv7-A架構的高性能、低功耗處理器。
Cortex-A7 MPCore處理器在帶有一級高速緩存子系統、可選集成GIC和可選二級高速緩存控制器的單個多處理器設備中具有一到四個處理器
2023-08-18 07:25:18
，并且提供了可選的硬件加速器一致性端口(ACP)，以減少與其他主機共享存儲器區域時的軟件高速緩存維護操作。
中斷延遲通過中斷和重新啟動加載-存儲多條指令以及使用集成中斷控制器來保持低。
Cortex-R7 MPCore處理器為低延遲和確定性提供了兩種專門的內存解決方案
2023-08-18 06:34:29
為了有效利用其他資源，例如寄存器文件，實現了有限的雙指令發布。
提供硬件加速器一致性端口(ACP)以減少在與其他主機共享存儲器時對緩慢的軟件高速緩存維護操作的要求。
通過中斷和重新啟動加載存儲多條指令
2023-08-18 06:09:34
(SB)、所有內核以及內核之間共享的邏輯。
共享邏輯包括CPU橋(CPU側)(CBC)、L2高速緩存，以及維護核心中的高速緩存與L2高速緩存和低延遲RAM(LLRAM)存儲器之間的一致性的一致性邏輯
2023-08-17 08:02:29
和糾正的糾錯碼(ECC)功能在實現時包括在數據和指令高速緩存中。
Tcm接口支持實施外部ECC，以提供更高的可靠性并滿足與安全相關的應用。
Cortex-M7處理器包括可選的浮點算術功能，支持單精度和雙精度算術。
請參見第8章浮點單元。
該處理器適用于需要快速中斷響應功能的高性能、深度嵌入式應用程序
2023-08-17 07:55:23
執行模式將嵌入式內存內容轉儲到調試器，使其適用于芯片啟動和調查軟件故障，如高速緩存一致性錯誤。
它允許快速測試內存和內存保護邏輯。
因此，MBIST事務是使用IP核時鐘連續執行的，因此，可以通過以全功能
2023-08-17 07:10:53
在多處理器配置中，在監聽控制單元(SCU)的控制下，高速緩存相關群集中最多有四個Cortex-A32處理器可用，該監聽控制單元維護L1和L2數據高速緩存一致性。
Cortex-A32處理器支持
2023-08-16 06:54:59
在多處理器配置中，在監聽控制單元(SCU)的控制下，高速緩存相關群集中最多有八個處理器可用，該監聽控制單元維護L1、L2和L3數據高速緩存一致性。
本節提供周期模型與硬件的功能比較的摘要，以及周期模型的性能和準確性
2023-08-12 07:30:35
在多處理器配置中，在監聽控制單元(SCU)的控制下，高速緩存關聯群集中最多有四個Cortex-A53處理器可用，該監聽控制單元維護L1和L2數據高速緩存一致性。
Cortex-A53多處理器支持
2023-08-12 06:44:40
ARM946E-S? 是一個可合成的宏小區，結合了ARM9E-S? 加工機具有指令和數據緩存、緊密耦合的指令和數據SRAM的核心帶有保護單元、寫緩沖區和AMBA的存儲器? （高級微處理器總線體系結構
2023-08-08 07:33:30
ARM946E-S? 是一個可合成的宏小區，結合了ARM9E-S? 帶指令和數據高速緩存的處理器核心、帶保護單元的緊密耦合指令和數據SRAM存儲器、寫緩沖區和AMBA? （高級微處理器總線體系結構
2023-08-02 17:50:31
消息支持，以管理分布式內存管理單元（MMU），例如CoreLink MMU-400。這些可以通信通過具有多達三個ACE Lite從機的CCI-400。
硬件管理的一致性可以通過以下方式提高系統性能并降低系統功耗共享片上數據。管理一致性有以下好處：
?減少外部存儲器訪問。
?減少軟件開銷。
2023-08-02 17:33:01
：
?用于增強操作系統安全性的TrustZone架構?專為高性能系統設計的主、從和外圍AXI/AMBA接口?智能能源管理器（IEM）支持。
高速緩存控制器是一個統一的、物理尋址的、物理標記的8路高速緩存。您可
2023-08-02 15:09:49
當中央處理器（CPU）產生大量內存流量時，添加片上二級緩存（也稱為二級緩存，L2CC）是提高計算機系統性能的公認方法。根據定義，二級緩存假定存在與CPU緊密耦合或內部的一級緩存或主緩存。
2023-08-02 13:11:45
ARM720T是一款通用的32位微處理器，具有8KB的高速緩存、擴大的寫入緩沖區和內存管理單元（MMU），組合在一個芯片中。ARM720T中的CPU是ARM7TDMI。ARM720T是與ARM處理器
2023-08-02 11:36:56
）一種設備，是存儲器區域的歸屬節點，接受來自RN Fs和RN is的相干請求，并根據需要生成對系統中所有適用RN Fs的窺探，以支持相干協議。
I/O主節點（HN-I）作為從屬I/O子系統的主節點
2023-08-02 10:38:59
ARM946E-S是一個可合成的宏單元，結合了ARM處理器。它是ARM9Thumb系列高性能32位片上系統處理器解決方案的一員。
ARM946E-S具有緊密耦合的SRAM存儲器、指令和數據緩存
2023-08-02 09:41:21
MBIST是測試嵌入式存儲器的行業標準方法。MBIST通過根據測試算法執行對存儲器的讀取和寫入序列來工作。存在許多行業標準的測試算法。MBIST控制器生成正確的讀取和寫入序列。ARM L210 MBIST控制器用于與ARM L210一起執行二級高速緩存RAM的內存測試。
2023-08-02 08:07:10
動態存儲運行時數據在神經網絡的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內存事務
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發的存儲器例如閃存或DRAM。內存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
電子發燒友網站提供《STM32F7技術--高速緩存.pdf》資料免費下載
2023-08-01 15:18:550 就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數據。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統掉電的情況下仍可保留所存數據，但因其技術都源于R
2023-07-25 10:31:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內核時鐘周期。片內集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內同時集成4 kB非易失性Flash/EE數據存儲器、256字節RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
，用于構建新一代信任設備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32590集成了存儲器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數據高速緩存、4KB指
2023-07-14 14:33:26
構建新一代信任設備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32591集成了存儲器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數據高速緩存、4KB指令
2023-07-14 14:09:44
構建新一代信任設備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32592集成了存儲器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數據高速緩存、4KB指令
2023-07-14 14:04:11
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
緩存服務器是什么？緩存服務器是專用網絡服務器或充當在本地保存網頁或其他互聯網內容的服務器的服務。通過將以前請求的信息放入臨時存儲（或高速緩存）中，高速緩存服務器既可以加快數據訪問速度，又可以減少
2023-07-07 17:48:59353 RAID控制卡的日志存儲器存放重要數據，如日志和數據寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢日志內存，以了解從哪里開始恢復。
2023-06-12 17:11:11323
************************************************* *************************************
* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數據在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術，與傳統的存儲器技術相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統
2023-05-19 15:59:37
標準的Flash存儲卡，也是非易失性存儲設備。USB大容量存儲設備類(USB MSC)是Cs/FS文件系統最常用的大容量存儲設備。U盤也是非易失性存儲設備，在連接主機時被識別為外部硬盤驅動器。而RAM
2023-05-18 14:13:37
其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續航特性，它適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462544 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
中，事情就會迅速惡化......我會遇到硬故障（有時調試器在調試時“死機”）。我已經為此工作了幾天，似乎觸發因素是以下情況之一：a) 整個 8 MByte 的 HyperRAM 在 MPU 中被定義為
2023-04-17 07:04:11
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
和用于讀取，寫入和擦除數據的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節級別讀取，寫入和擦除數據。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結構上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩定的制造業供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲中，分為用戶應用程序存儲區CodeFlash，用戶非易失數據存儲區DataFlash,系統引導程序存儲區Bootloader，系統非易失配置信息存儲區InfoFlash。一般在使用時
2023-04-07 11:46:50
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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