手冊說L9369的PROM不是非易失存儲(chǔ)，那么如果芯片掉電（VBP），PROM中的數(shù)據(jù)是否會(huì)全部丟失？
EPB應(yīng)用是否要求VBP掛KL30上
2024-03-21 07:19:54
通過外部引腳可配置BOOT從SRAM中啟動(dòng)，上電過程SRAM沒有初始化，BOOT從SRAM啟動(dòng)的作用是什么，這個(gè)我不能理解。
我想實(shí)現(xiàn)所有程序都在SRAM中運(yùn)行，有沒有實(shí)現(xiàn)的方法？
2024-03-12 07:30:49
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量儀表到
2024-03-06 09:57:22
我將一個(gè)數(shù)組定義在SRAM2中，另一個(gè)數(shù)組定義在CCM中，我可以利用memcpy這個(gè)函數(shù)來將SRAM2里的數(shù)據(jù)拷貝到CCM中嗎。
因?yàn)槲铱纯偩€矩陣圖，CCM的D-BUS和SRAM2并無交集，是不是也就意味著這兩塊內(nèi)存互相無法進(jìn)行交互呢？
2024-03-06 08:21:14
FX3自帶SDK中的例程GPIF ii sram-master：讀寫sram指令中的地址由狀態(tài)機(jī)中的地址計(jì)數(shù)器來決定，請(qǐng)教一下如何在FX3固件代碼中指定讀寫sram的地址，可否提供一個(gè)例程或相關(guān)文檔
2024-02-27 07:20:24
如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
186 
我正在與 SafetPack 為 TC38x 調(diào)試的無損測試 (MBIST) 合作。 但我找不到 Geth Tx/Rx RAM 和 gtm_mcsxslow/Fast-DPLL RAM 的正確的 SRAM 初始化過程。
你能否給我一些關(guān)于上面提到的 RAMS 的初始化過程的提示。
2024-02-01 07:09:22
PSOC6如何把變量定義在外部串行SPI SRAM中，并且在使用時(shí)可以跟內(nèi)部SRAM變量使用方法類似
2024-02-01 06:33:40
，
qspi_obj.context);
}
...
}
其中，紅色的字體定義如下
/** 在 quad 之后輪詢內(nèi)存的就緒狀態(tài)時(shí)應(yīng)用超時(shí)
* 啟用命令已發(fā)出。 Quad 使能是一種非易失性寫入
2024-01-31 06:01:09
您能告訴我 PSoC? 4中SRAM陣列的數(shù)據(jù)保持電壓嗎？
我想知道在 VDD 電源電壓下降或上升時(shí) SRAM 可以保留數(shù)據(jù)的最小電壓。
MPN： PSoC? 4100S Max/CY8C4148AZI-S555
2024-01-19 06:08:12
運(yùn)行/example中的Power_On_Self_Test為什么SRAM并不能成功讀寫。用示波器看SRAM的管腳，使能和讀寫的管腳一直都是高電平，這是為什么？
2024-01-12 07:17:25
RAM來維持它的運(yùn)行和使用，只有在保存相關(guān)文件時(shí)才會(huì)轉(zhuǎn)存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
——Teeworlds 。
什么是 Teeworlds
Teeworlds （激戰(zhàn)世界） 是一款免費(fèi)的在線多人射擊游戲，擁有獨(dú)特的像素藝術(shù)風(fēng)格和簡單而刺激的游戲玩法。以下是關(guān)于 Teeworlds
2023-12-25 19:47:25
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 西門子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術(shù)中嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則。過去，我們對(duì) SRAM 有單獨(dú)的設(shè)計(jì)規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 NVSRAM的工作原理基于將SRAM部分的數(shù)據(jù)在斷電前復(fù)制到NVM單元中，并在重新上電時(shí)將數(shù)據(jù)從NVM恢復(fù)到SRAM。
2023-12-05 16:46:59271 NVSRAM在通信設(shè)備中具有良好的性能和可靠性，使其成為一種受歡迎的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。
2023-12-05 16:02:33456 NVSRAM和NVRAM都涉及非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，但它們在實(shí)現(xiàn)方式和應(yīng)用方面有一些區(qū)別。
2023-12-05 10:55:25417 非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，提供非易失性存儲(chǔ)。
2023-12-05 10:09:56303 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么實(shí)現(xiàn)一個(gè)非阻塞性的串口屏收發(fā)
2023-10-24 08:15:33
AT32 部分型號(hào)有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執(zhí)行速度比在非零等待閃存執(zhí)行速度快，如果有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到零等待區(qū)執(zhí)行。當(dāng)零等待閃存使用完后，如果還有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到 SRAM 執(zhí)行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數(shù)代碼。
2023-10-20 06:10:59
隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn)，工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機(jī)械設(shè)備就能夠采用所連接的無線傳感器節(jié)點(diǎn)的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，提前預(yù)測可能發(fā)生的故障，并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施，以避免意外的系統(tǒng)停機(jī)。累積
2023-10-19 11:27:37
如何捕捉并重現(xiàn)稍縱即失的瞬時(shí)信號(hào)？
2023-10-18 06:26:54
注射器正壓密合性測試儀 品質(zhì)可靠/濟(jì)南三泉智能科技有限公司 注射器密合性正壓測試儀是具有安全、高效、精確、易操作、實(shí)時(shí)記錄和便于攜帶等優(yōu)點(diǎn)，可以為注射器的生產(chǎn)和質(zhì)檢提供有效的測試手段，下面
2023-09-20 09:10:50
注射器密合性正壓測試儀 品質(zhì)可靠/濟(jì)南三泉智能科技有限公司 注射器密合性正壓測試儀是具有安全、高效、精確、易操作、實(shí)時(shí)記錄和便于攜帶等優(yōu)點(diǎn)，可以為注射器的生產(chǎn)和質(zhì)檢提供有效的測試手段，下面
2023-09-19 08:59:43
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
在PPSSPP社區(qū)和賽昉科技軟件團(tuán)隊(duì)的共同努力下，PPSSPP 9月最新發(fā)布的1.16版本中增加了基于IR的全新RISC-V JIT后端，現(xiàn)在各位游戲愛好者們可以在VisionFive 2上玩PSP
2023-09-11 17:17:26
注射器密合性正壓測試儀 品質(zhì)可靠 注射器密合性正壓測試儀是具有安全、高效、精確、易操作、實(shí)時(shí)記錄和便于攜帶等優(yōu)點(diǎn)，可以為注射器的生產(chǎn)和質(zhì)檢提供有效的測試手段，下面三泉智能為您提
2023-09-07 16:30:08
飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強(qiáng)大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運(yùn)行 ISR 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000
硬件: NuMaker-M032SE
2023-08-31 09:21:19
內(nèi)核支持內(nèi)部中斷和外部中斷，其中內(nèi)部中斷包括計(jì)時(shí)器中斷和軟件中斷。這里我們以Nuclei SDK中demo_timer為例，簡單講解內(nèi)部中斷的非向量處理模式。
系統(tǒng)環(huán)境
Windows
2023-08-16 07:58:31
讓一顆SRAM型FPGA在太空長期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲(chǔ)器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運(yùn)行時(shí)的非易失性
2023-08-02 06:37:01
nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。由于溫度和過多的寫入周期會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗，因此數(shù)據(jù)可能會(huì)泄漏。
2023-07-25 15:36:04244 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)
2023-07-14 17:15:06
DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進(jìn)的物理安全機(jī)制保護(hù)敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級(jí)的密鑰存儲(chǔ)安全保護(hù)。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)
2023-07-14 15:15:30
終端或ATM讀卡器提供安全保障。磁卡數(shù)據(jù)可采用AES或DES/TDES算法加密。IC帶有快速擦除非易失SRAM (NVSRAM)、硬件隨機(jī)數(shù)發(fā)生器(RNG)、電壓攻
2023-07-14 14:28:53
芯片檢測中的非破壞分析有哪些？
2023-06-27 15:20:08
我想使用 i.mx8mp 處理器將來自 anvo 的 nvSRAM ANV32AA1W 配置到我的定制板中。
我已將其包含在 DTS 中，如下所示
&ecspi2
2023-06-08 09:08:17
我正在嘗試使用 MCUXpresso 配置工具版本 13.1 為 SRAM 配置 RT1172 SEMC。
我只將 SDRAM 視為一個(gè)選項(xiàng)：
在此處的類似帖子中有回復(fù) (2022-08-30)，這將在下一版本中通過“模式”設(shè)置提供：
是否有關(guān)于此功能可用性的狀態(tài)更新？
2023-06-02 08:28:39
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
我要在SDRM中建立一個(gè)大的數(shù)組，請(qǐng)問如何定位到SRAM中？
2023-05-26 06:12:06
://bbs.elecfans.com/jishu_2354763_1_1.html
再加個(gè)控制設(shè)備：
現(xiàn)在就可以通過非接觸式傳感器玩游戲了！！！！
2023-05-24 22:27:11
我使用 Wemos D1 mini 制作了一款簡單但具有挑戰(zhàn)性的游戲。
我盡量使說明盡可能詳細(xì)，但如果您對(duì)此有任何疑問，請(qǐng)告訴我。
您所要做的就是將魔杖從電線的一端拿到另一端。它有一個(gè) OLED
2023-05-23 06:14:41
一種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí)，被解析為內(nèi)置硬盤設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動(dòng)器是一種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。
5、RAM
RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
摘要：上一篇文章我們具體講解了FSMC的原理配置，這一章主要是關(guān)于使用FSMC的SRAM初始化流程，以及使用STM32CubeMX對(duì)FSMC進(jìn)行配置。
2023-05-14 10:27:391300 
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊
2023-04-27 20:25:40
6 我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
S32DS、RTD和LLCE CAN驅(qū)動(dòng)有對(duì)應(yīng)的工具版本嗎？我想知道，LLCE driver是否可以在非autosar os中運(yùn)行，是否有關(guān)于LLCE Driver +S32DS3.5的文檔可以學(xué)習(xí)。
2023-04-18 09:21:58
我現(xiàn)在使用 RT1176 作為我們的控制單元。為了在我們的產(chǎn)品中獲得更多性能，我們在我們的板上添加了一個(gè) FPGA。 它們通過同步 ADMUX SRAM 模式下的 SEMC 相互通信，但我對(duì)時(shí)序圖有
2023-04-17 06:55:21
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲(chǔ)中，分為用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲(chǔ)區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲(chǔ)區(qū)InfoFlash。一般在使用時(shí)
2023-04-07 11:46:50
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
嗨恩智浦專家，我知道 MIMXRT1xxx 能夠在 ITCM 中運(yùn)行 hello_world 但是 MIMXRT595 中沒有 ITCM 只有 SRAM。MIMXRT595-EVK是否可以在SRAM中運(yùn)行hello_world zephyr示例？
2023-03-30 06:38:30
親愛的社區(qū)，我有幾個(gè)關(guān)于 SRAM ECC 的問題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動(dòng) A53 內(nèi)核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
我目前正在嘗試防止臨時(shí)對(duì)稱密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時(shí)歸零）對(duì)它們進(jìn)行異或，我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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